隨著現(xiàn)在手機(jī)等鋰電的容量要求越來越大,相應(yīng)地其保護(hù)板也要求越來越小,目前市場上出現(xiàn)的TSOP-6封裝的雙N MOS體積只有TSOP-8封裝的一半還小,因此在許多應(yīng)用場合有其獨特的功能.而且由于成本等上面的控制,TSOP-6的封裝更加有優(yōu)勢.
2005年6月,我司推出了TSOP-6封裝的這種MOS.在廣大客戶和朋友的支持下,應(yīng)用范圍不段擴(kuò)大,也得到了一致好評,現(xiàn)在為市面上性價比最好的同類型MOS,傳上該產(chǎn)品的資料,歡迎大家的參與和來電!1136361379.pdf
關(guān)于雙N MOS的TSOP-6取代TSOP-8的趨勢討論 !
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@濁酒一杯
一班無知的家伙,6條腿的不可能替代8條腿的,不信你看幾大手機(jī)廠有改了沒有.根本原因在于,TSSOP-6的固定承受功率只有1.25W而TSSOP-8的在2.5W決定了當(dāng)電池過流時很可能把TSSOP-6封裝燒掉.在歐美根本不可能過關(guān).國內(nèi)人做事不講游戲規(guī)則,遲早會出問題,看看做單管的就知道.
假設(shè)電池的容量為800MAH,算最快充電最大的充電電流400MA,MOSFET的內(nèi)阻為60毫歐.算起來功率P=I2*R=0.4*0.4*0.06=0.0096W.
假設(shè)按照目前最大的1800MAH算,P=0.9*0.9*0.06=0.0486W.
不知道我算的是不是對?謝謝指正
如果沒有保護(hù)IC,那我就不好說了,估計TSSOP-8的一樣會被燒掉
假設(shè)按照目前最大的1800MAH算,P=0.9*0.9*0.06=0.0486W.
不知道我算的是不是對?謝謝指正
如果沒有保護(hù)IC,那我就不好說了,估計TSSOP-8的一樣會被燒掉
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@sevenchiang
假設(shè)電池的容量為800MAH,算最快充電最大的充電電流400MA,MOSFET的內(nèi)阻為60毫歐.算起來功率P=I2*R=0.4*0.4*0.06=0.0096W.假設(shè)按照目前最大的1800MAH算,P=0.9*0.9*0.06=0.0486W.不知道我算的是不是對?謝謝指正如果沒有保護(hù)IC,那我就不好說了,估計TSSOP-8的一樣會被燒掉
我司MIS8205做出來的整板內(nèi)阻客戶反映數(shù)據(jù)為47-57毫歐之間,但是內(nèi)阻仍然是我們調(diào)整的關(guān)鍵因素:)
感謝TELLY兄的指正與參與!不知道TELLY兄是做什么工作的?
感謝TELLY兄的指正與參與!不知道TELLY兄是做什么工作的?
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@濁酒一杯
你可以拿一個保護(hù)板來試一下,用2017的就好了,我保證你將電流調(diào)到4A時MOS發(fā)燙到可以熔掉電池外殼.你算的數(shù)值是在正常工作狀態(tài).而TSSOP-6的功率也是理想值,我做過實驗,會燒.你得考慮的是電池在短路或過流時的承受力.
TELLY;
你好,你的問題,在于對MOSFET的電流值的理解,
你要看測試條件,我們在定義電流值時,是根據(jù)其熱阻值,
焊在FR4的PCB板上,測試出來,是有一定條件的!
關(guān)于這個問題,你可以到美國國家半導(dǎo)體公司網(wǎng)站上有相關(guān)的資料可以查詢參考:)
你好,你的問題,在于對MOSFET的電流值的理解,
你要看測試條件,我們在定義電流值時,是根據(jù)其熱阻值,
焊在FR4的PCB板上,測試出來,是有一定條件的!
關(guān)于這個問題,你可以到美國國家半導(dǎo)體公司網(wǎng)站上有相關(guān)的資料可以查詢參考:)
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@sevenchiang
TELLY;你好,你的問題,在于對MOSFET的電流值的理解,你要看測試條件,我們在定義電流值時,是根據(jù)其熱阻值,焊在FR4的PCB板上,測試出來,是有一定條件的!關(guān)于這個問題,你可以到美國國家半導(dǎo)體公司網(wǎng)站上有相關(guān)的資料可以查詢參考:)
江生:
你說的不錯,但每個應(yīng)用有它特殊性,當(dāng)電路過流或短路時,電流可高達(dá)6~8A過流的判斷時是V=IR來算,目前理光的過流的V植設(shè)定為0.2V,R代表MOS的內(nèi)阻.所以I(過電流)=0.2/R,當(dāng)R=60MR時,過電流可高達(dá)3.33A,如果用2017等就更大,這就是原裝電池為什么都加FUSE的原因.我研究工程的.你呢?
你說的不錯,但每個應(yīng)用有它特殊性,當(dāng)電路過流或短路時,電流可高達(dá)6~8A過流的判斷時是V=IR來算,目前理光的過流的V植設(shè)定為0.2V,R代表MOS的內(nèi)阻.所以I(過電流)=0.2/R,當(dāng)R=60MR時,過電流可高達(dá)3.33A,如果用2017等就更大,這就是原裝電池為什么都加FUSE的原因.我研究工程的.你呢?
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@濁酒一杯
江生: 你說的不錯,但每個應(yīng)用有它特殊性,當(dāng)電路過流或短路時,電流可高達(dá)6~8A過流的判斷時是V=IR來算,目前理光的過流的V植設(shè)定為0.2V,R代表MOS的內(nèi)阻.所以I(過電流)=0.2/R,當(dāng)R=60MR時,過電流可高達(dá)3.33A,如果用2017等就更大,這就是原裝電池為什么都加FUSE的原因.我研究工程的.你呢?
你好,加FUSE是為了二次保護(hù),是為了在極端的情況下具有更高的安全性.短路的時候電流是瞬間的,如果保護(hù)IC正常工作,一般地是不會損害MOSFET的!
我是一個業(yè)務(wù)員而已:),知道的東西很有限,歡迎你有機(jī)會可以過來鄙司坐坐:)
我是一個業(yè)務(wù)員而已:),知道的東西很有限,歡迎你有機(jī)會可以過來鄙司坐坐:)
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@濁酒一杯
厲害厲害,南海半導(dǎo)體的關(guān)博士拿三合微科的WAFER自己做PACKAGE就變成高科技企業(yè)啦.呵呵~~
張兄:濁酒一杯兄做這個行業(yè)已經(jīng)最少有7-8年的光景了,是我等的前輩,有問題可以拿過來討論,不要發(fā)生不必要的爭吵,市場可以證明一切嘛!
我司產(chǎn)品區(qū)別與張兄所說的兩家高科技企業(yè),不在兩位仁兄的討論之內(nèi).
相比較而言,我們愿意提供最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、服務(wù)和讓你感覺很爽的價格:),貿(mào)易商免:)
小江 13760467736 0755-25925891
我司產(chǎn)品區(qū)別與張兄所說的兩家高科技企業(yè),不在兩位仁兄的討論之內(nèi).
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