大家都知道,在開關(guān)電源中電感,有一個(gè)不可忽視的問(wèn)題,就是電感的繞線所引起兩個(gè)分布參數(shù)(或稱寄生參數(shù))的現(xiàn)象.其一是繞線電阻,這是不可避免的.其二是分布式雜散電容,隨線制工藝、材料而定.雜散電容在低頻時(shí)影響不大,隨著頻率的提高而漸顯出來(lái),到某一頻率以上時(shí),電感也許變成了電容的特性了.
問(wèn)題:1.怎樣來(lái)理解電感到某一頻率以上時(shí)電感會(huì)呈現(xiàn)電容的特性了.
2.而這一頻率有沒有一個(gè)具體的數(shù)值.
3.如何來(lái)確定這一電感是否呈現(xiàn)出電容的特性了.
Thanks in advance for help!
請(qǐng)教一個(gè)關(guān)于電感的分布電容問(wèn)題
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@sztonytian
誰(shuí)有電感的等效電路.請(qǐng)上傳一下.
給你一個(gè)我測(cè)試的電感,Z VS F 的曲線如下:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/37/1137046346.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
在2M之前都是電感性的,由于分布電容使得2M -16M 之間程電容性.阻抗隨著頻率降低,之后又因?yàn)槁└械淖饔迷诟哳l時(shí)候呈現(xiàn)感性.在30M之內(nèi),有2個(gè)阻抗峰值,1個(gè)谷.
簡(jiǎn)單模型為 CORE 阻抗Rc//分布電容C//(電感L+繞線電阻Rm)最后加一個(gè)漏感.
可以模擬到第2個(gè)峰.

在2M之前都是電感性的,由于分布電容使得2M -16M 之間程電容性.阻抗隨著頻率降低,之后又因?yàn)槁└械淖饔迷诟哳l時(shí)候呈現(xiàn)感性.在30M之內(nèi),有2個(gè)阻抗峰值,1個(gè)谷.
簡(jiǎn)單模型為 CORE 阻抗Rc//分布電容C//(電感L+繞線電阻Rm)最后加一個(gè)漏感.
可以模擬到第2個(gè)峰.
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@jurda
給你一個(gè)我測(cè)試的電感,ZVSF的曲線如下:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/37/1137046346.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">在2M之前都是電感性的,由于分布電容使得2M-16M之間程電容性.阻抗隨著頻率降低,之后又因?yàn)槁└械淖饔迷诟哳l時(shí)候呈現(xiàn)感性.在30M之內(nèi),有2個(gè)阻抗峰值,1個(gè)谷.簡(jiǎn)單模型為CORE阻抗Rc//分布電容C//(電感L+繞線電阻Rm)最后加一個(gè)漏感.可以模擬到第2個(gè)峰.
我看不懂這個(gè)曲線. 對(duì)我來(lái)講.太深了.
是否能說(shuō)得詳細(xì)點(diǎn)?
是否能說(shuō)得詳細(xì)點(diǎn)?
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