不可以,因為磁珠電阻較大

呵呵,磁珠會猛的一紅,接著成碎塊了,R5KB以上磁珠,通幾百伏時可以達(dá)到40A!

謝謝!

謝謝!

請問,一般的磁珠最大能過幾安培的電流?

"磁珠會猛的一紅,接著成碎塊"----
有那么嚴(yán)重?聳人聽聞了吧.
磁珠的作用,狀態(tài),不在于電流大小,而是變化率!

我的開關(guān)電源主回路電流為10A,但峰值電流很大,大概有30A左右,請問能用磁珠嗎?

磁珠對較大的di/dt有微弱的抑制作用.電流較大時,只是在相同的變化時間內(nèi)引起較大的di/dt.大膽地試試吧,估計不會導(dǎo)致其它電路故障,也不會炸掉.再不放心,多包上幾層粘帶紙保護(hù)一下.
請將試驗結(jié)果上傳一下.

老師不讓我試,因為這款電路馬上要驗收,炸壞了,我要負(fù)全部責(zé)任,還是算了吧.

我有一款機(jī)EMI過不了,又不能改電路,只能偷偷的在主Q上加磁珠,
不知可行否?
另誰能提供阻抗較大的瓷珠

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/19/1090622964.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

所謂磁珠其實(shí)是一種高磁導(dǎo)率的鐵氧體材料,又叫
飽和電感器,用于抑制di/dt在電流過零時刻.在電流比較大
的時候通常處于磁飽和狀態(tài),所以單純大的直流電流是不會引起損耗的
鐵氧體磁材料的損耗主要和材質(zhì),delta B,f, 等參數(shù)有關(guān)
在功率MOSFET上加磁珠,通常可以減少CONDUCTION EMI高頻部分和RFI
但是會造成效率變低0.1~0.5 Percent!

你看我這個咋搞嘛?500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/19/1090710599.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

在不改COMMON CHOKE圈數(shù)﹐而降低CORE的u值﹐使感量降低到5mH,結(jié)果8M處有改善.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/19/1090710984.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

應(yīng)該說,5M/9M都改善了,9M改善的明顯些.
這說明:1 你的共模電感用低u材料后Q值提高了;
       2 犧牲了電感,導(dǎo)致較低頻段掃描線略有抬高,但仍在限線以下.
你的改動很有啟發(fā),有揚(yáng)長避短之感.改的好!加分.