恩。。

專家說的對(duì)。

好像要根據(jù)你的輸出電壓、電流、以及大小和工作狀態(tài)來繞制。。

真希望哪位高手總結(jié)一下。。

　　普通分層繞法：

　　一般的單輸出電源，變壓器分為3個(gè)繞組，初級(jí)繞組Np,次級(jí)繞組Ns,輔助電源繞組Nb;當(dāng)實(shí)用普通分層繞法時(shí)，繞制的順序是：Np--Ns--Nb，當(dāng)然也有的是采用Nb--Ns--Np的繞法，但不常用。

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　　此種繞法工藝簡(jiǎn)單，易于控制磁芯的各種參數(shù)，一致性較好，繞線成本低，適用于大批量的生產(chǎn)，但漏感稍大，故適用于對(duì)漏感不敏感的小功率場(chǎng)合，一般功率小于10W的電源中普遍實(shí)用這種繞法

　　三明治繞法

　　三明治繞法久負(fù)盛名，幾乎每個(gè)做電源的人都知道這種繞法，但真正對(duì)三明治繞法做過深入研究的人，應(yīng)該不多。相信很多人都吃過三明治，就是兩層面包中 間夾一層奶油。顧名思義，三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同，三明治又分為兩種繞法：初級(jí)夾次級(jí)，次級(jí)夾初級(jí)。先來看第一種，初 級(jí)夾次級(jí)的繞法(也叫初級(jí)平均繞法)

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　　如上圖，順序?yàn)镹p/2,Ns,Np/2,Nb，此種繞法有量大優(yōu)點(diǎn)，由于增加了初次級(jí)的有效耦合面積，可以極大的減少變壓器的漏感，而減少漏感 帶來的好處是顯而易見的：漏感引起的電壓尖峰會(huì)降低，這就使MOSFET的電壓應(yīng)力降低，同時(shí)，由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低，從 而改善EMI;由于在初級(jí)中間加入了一個(gè)次級(jí)繞組，所以減少了變壓器初級(jí)的層間分布電容，而層間電容的減少，就會(huì)使電路中的寄生振蕩減少，同樣可以降低 MOSFET與次級(jí)整流管的電壓電流應(yīng)力，改善EMI。

　　第二種，次級(jí)夾初級(jí)的繞法(也叫次級(jí)平均繞法)

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　　如上圖，順序?yàn)镹s/2,Np,Ns/2,Nb。當(dāng)輸出是低壓大電流時(shí)，一般采用此種繞法，其優(yōu)點(diǎn)有二：

　　1、可以有效降低銅損引起的溫升：由于輸出是低壓大電流，故銅損對(duì)導(dǎo)線的長(zhǎng)度較為敏感，繞在內(nèi)側(cè)的Ns/2可以有效較少繞線長(zhǎng)度，從而降低此Ns/2繞組的銅損及發(fā)熱。外層的Ns/2雖說繞線相對(duì)較長(zhǎng)，但是基本上是在變壓器的外層，散熱良好故溫度也不會(huì)太高。

　　2、可以減少初級(jí)耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級(jí)遠(yuǎn)離磁芯，次級(jí)電壓低，故引起的高頻干擾小。

　　我們大家來進(jìn)一步深入討論下這個(gè)三明治繞發(fā)對(duì)EMI的影響。首先，我們來看初級(jí)夾次級(jí)的繞法，我們知道，變壓器的初級(jí)由于電壓較高，所以繞組較多， 一般要超過2層，有時(shí)甚至達(dá)到4-5層，這就給變壓器帶來一個(gè)分布參數(shù)---層間電容，形成原理相信大家都清楚，我就不多解釋了。當(dāng)MOSFET關(guān)斷的時(shí) 候，變壓器的漏感與MOSFET的結(jié)電容以及變壓器的層間電容會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)，幅度達(dá)到幾十甚至超過一百V，這對(duì)MOSFET與EMI來說都是不允許的，所 以，我們?cè)黾覴CD吸收來抑制這個(gè)振蕩，達(dá)到保護(hù)MOSFET與改善EMI的目的。

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　　上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形

　　從這個(gè)角度來說，三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個(gè)角度來說，三明治繞法確實(shí)是增加了初次級(jí)的耦合面積，減少了漏感，同時(shí)又使初 次級(jí)的耦合電容增加了;當(dāng)開關(guān)管反復(fù)開關(guān)時(shí)，電容也會(huì)反復(fù)充放電，也就是說會(huì)引起振蕩，此振蕩正比于開關(guān)頻率，會(huì)對(duì)EMI產(chǎn)生不利的影響。

總結(jié)得太好了,贊一個(gè)

學(xué)習(xí)了

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