芯片內(nèi)部集成650v耐高壓POWERMOS，以滿足低功耗的要求。待機模式下，通過降低工作頻率來降低功耗同時輸出穩(wěn)定的工作電壓。頻率降低限制在20KHz/21.5KHz以下以避免產(chǎn)生音頻噪聲。在諸如開環(huán)、過壓或由短路引起的過載等失效模式下，芯片通過內(nèi)部的保護電路來使得芯片切換到重啟動模式。通過內(nèi)部精密電流峰值控制，變壓器的尺寸和次級二極管的可以變得更小，從而來降低整個系統(tǒng)的成本。芯片具有用戶定義軟起動功能，以降低電磁干擾;工作電流可通過外部電阻調(diào)整; 同時芯片內(nèi)部集成了輸入欠壓保護, 內(nèi)置過熱保護, 內(nèi)置過載保護和開環(huán)保護, 自動重起期間可過壓保護等保護功能。通過頻率修調(diào)，以降低EMI,100KHz開關(guān)頻率下，最大占空比72%,輸出電流容差<±5%。芯片外圍應(yīng)用電路設(shè)計簡單, DIP8封裝，滿足RoHS環(huán)保要求,低功耗待機模式,以滿足歐盟要求。