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Vds波形何來？

大家好！我想和大家討論一下反激中mosfet關(guān)斷時結(jié)合RCD吸收電路Vds的波形！

我的理解：當(dāng)mos關(guān)斷后，漏感電流給mos漏源電容充電，當(dāng)Vds電壓上升到Vin+Vc時，RCD電路導(dǎo)通，漏感電流給電容C充電。此時Vds波形電壓就被鉗位在Vin+Vc。

這只是我很粗略的理解。我觀測Vds波形，還會有 一個振蕩。對于其中的過程，真的不太理解。希望前輩們可以詳細(xì)的講解一下。非常感謝！

  

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2011-07-26 22:09

實際上，RCD就是為了吸收Vpeak的過高尖峰，當(dāng)然它的缺點就是會影響機子的整體效率（又吸收就有功率損耗嘛！）。

至于你提到的問題，不妨用簡單的邏輯式表達(dá)：f=1/2pie*根號(L*C);

其中的f就是你所提及的前面多個振蕩的平均頻率；L就是你圖示的漏感；C近視為你RCD中的電容。所以你就可以不難理解他們之間的關(guān)系了。

我前面提到的RCD功耗可以表達(dá)為：P=1/2*C*V^2*F,了解這點，對你以后如何提高機子效率有一丁點的幫助。

再想想：RCD中的R，C和f會是什么關(guān)系呢？

呵呵～

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gaohq
LV.8
3
2011-07-26 22:33
@zhaobo53521808
實際上，RCD就是為了吸收Vpeak的過高尖峰，當(dāng)然它的缺點就是會影響機子的整體效率（又吸收就有功率損耗嘛?。?。至于你提到的問題，不妨用簡單的邏輯式表達(dá)：f=1/2pie*根號(L*C);其中的f就是你所提及的前面多個振蕩的平均頻率；L就是你圖示的漏感；C近視為你RCD中的電容。所以你就可以不難理解他們之間的關(guān)系了。我前面提到的RCD功耗可以表達(dá)為：P=1/2*C*V^2*F,了解這點，對你以后如何提高機子效率有一丁點的幫助。再想想：RCD中的R，C和f會是什么關(guān)系呢？呵呵～

我以前一直認(rèn)為那個振蕩是L跟開關(guān)管的Cds之間振蕩的呢？

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bpyanyu
LV.8
4
2011-07-26 23:51
@gaohq
我以前一直認(rèn)為那個振蕩是L跟開關(guān)管的Cds之間振蕩的呢？

這樣理解應(yīng)該沒錯的呀

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gaohq
LV.8
5
2011-07-27 07:50
@bpyanyu
這樣理解應(yīng)該沒錯的呀
可2樓說是L跟RCD中的C振蕩的。
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hk2007
LV.8
6
2011-07-27 08:37
@gaohq
可2樓說是L跟RCD中的C振蕩的。

參與震蕩的C包括mos寄生電容、變壓器寄生電容，另外就是RCD中的C。

只是RCD中的C容值比較大，所以占主要的。

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tanny1987
LV.3
7
2011-07-27 11:39
@hk2007
參與震蕩的C包括mos寄生電容、變壓器寄生電容，另外就是RCD中的C。只是RCD中的C容值比較大，所以占主要的。

感謝大家的細(xì)心回答！離真相更接進(jìn)一步了！還得琢磨琢磨！

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tanny1987
LV.3
8
2011-07-27 14:12
@tanny1987
感謝大家的細(xì)心回答！離真相更接進(jìn)一步了！還得琢磨琢磨！
剛剛想了下，好像參與振蕩的是Cds吧！
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bdzn
LV.9
9
2011-07-27 14:57
@tanny1987
剛剛想了下，好像參與振蕩的是Cds吧！
頂。
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LV.1
10
2011-07-27 16:48
@bdzn
頂。
頂起
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tanny1987
LV.3
11
2011-07-27 16:54
@
頂起
都“軍長”了，也不發(fā)表點言論！
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zvszcs
LV.12
12
2011-07-27 17:35
@
頂起
就是離散參數(shù)LC振蕩哇
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tanny1987
LV.3
13
2011-07-27 18:36
@zvszcs
就是離散參數(shù)LC振蕩哇

能不能實際點，說下這個過程。最好通俗易懂！

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tanny1987
LV.3
14
2011-07-28 10:58
@tanny1987
能不能實際點，說下這個過程。最好通俗易懂！

誰能給點“權(quán)威性”的發(fā)言！大俠們在哪里？

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lgsps
LV.5
15
2012-06-06 14:22
@tanny1987
誰能給點“權(quán)威性”的發(fā)言！大俠們在哪里？

關(guān)斷瞬間的那個震蕩，是因為漏感和MOS的COSS及原邊的寄生等效電容一起震蕩出來的，一般都是幾十兆的頻率，

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