現(xiàn)在在LED調(diào)光驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中有很多工程師都用到了iWatt 36XX系列的調(diào)光IC ，但是大家在初次使用的過程中經(jīng)常都會(huì)出現(xiàn)調(diào)光閃爍的問題，因?yàn)檎{(diào)光應(yīng)用的方案對(duì)大多數(shù)工程師來說都還是一個(gè)新的領(lǐng)域，所以在初次使用iWatt調(diào)光方案出現(xiàn)調(diào)光異常都會(huì)非常困惑?，F(xiàn)就此問題與大家分享一點(diǎn)心得，歡迎大家對(duì)此提出自己的見解。
首先，是否所有的閃爍都是IC本身設(shè)計(jì)引起的呢？答案是否定的，不可否認(rèn)，沒有哪一家調(diào)光的IC能夠去適應(yīng)所有的調(diào)光器，但是IWATT的方案是可以適應(yīng)市面上絕大多數(shù)調(diào)光器，而且調(diào)光效果非常理想。那么是什么原因在很多工程師在使用的過程中還是會(huì)出現(xiàn)閃爍呢？而且這種閃爍在IWATT的DEMO BOARD上不會(huì)出現(xiàn)？
這是應(yīng)為我們?cè)谠O(shè)計(jì)的過程 中沒有能夠注意一些設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)，針對(duì)大部分工程師所出現(xiàn)的問題我簡單歸納為以下幾點(diǎn)：
1. 輸入X電容過大，大部分工程師都知道，大的X電容能有更好的差模濾波效果，但是輸入X電容過大會(huì)影響到IC對(duì)輸入切相波形的檢測(cè)，導(dǎo)致檢測(cè)波形不穩(wěn)而出現(xiàn)閃爍。一般建議輸入X電容的容量在0.01uF~0.033uF之間，只有少數(shù)高功率因數(shù)，低壓輸入的情況下X電容可以加大到約0.057uF..輸入X電容引起的閃爍大概在60%～90%的輸出電流的情況下。
2. 在調(diào)光的時(shí)候出現(xiàn)較大的電流跳躍，如輸出350mA但是調(diào)到90mA電流以后直接跳躍到150mA ，反向調(diào)節(jié)也會(huì)出現(xiàn)。那么這種電流跳躍是怎么形成的呢？首先我們要了解IWATT IC工作的原理。我們是怎么實(shí)現(xiàn)輸出電流調(diào)節(jié)的呢？當(dāng)輸出電流在100%到30%的時(shí)候我們是通過PFM的調(diào)節(jié)，輸出電流越小工作頻率越高。但是在小于30%的輸出電流時(shí)我們不能再去提高頻率，這個(gè)時(shí)候我們的IC會(huì)進(jìn)入PWM的工作模式（900Hz）去調(diào)節(jié)兩個(gè)不同工作頻率的占空比一個(gè)低頻20K，和一個(gè)在30%輸出時(shí)的工作頻率，如160K。
而這種出現(xiàn)在30%電流附近的跳躍就是因?yàn)?/SPAN>ISENSE信號(hào)的干擾而出現(xiàn)的誤判，怎么去改善ISENSE 的波形呢？
3，另外在設(shè)計(jì)的過程中還會(huì)出現(xiàn)10%輸出電流以下的閃爍，由于這個(gè)時(shí)候輸出電流非常小，所以這個(gè)時(shí)候的閃爍非常微弱。同樣這時(shí)的閃爍主要也是由于ISENSE信號(hào)的干擾所造成的與第二點(diǎn)的原因基本相同。那么什么樣的ISENSE信號(hào)才是好的信號(hào)呢？
3602/3612/3614就是通過控制 Isense基準(zhǔn)電壓來改變輸出電流.當(dāng)調(diào)至較低的輸出電流時(shí), Isense的基準(zhǔn)電壓也相應(yīng)變低. 如果Isense 波形因?yàn)樽儔浩鞣植茧娙荻鴮?dǎo)致太高太長的LEADING SPIKE,可能這個(gè)尖峰就會(huì)導(dǎo)致IC對(duì) Isense 誤判斷而調(diào)光不順。
如上圖的實(shí)際波形我們可以看出ISENSE 的 LEADING SPIKE 已經(jīng)和ISENSE 的波形疊加在一起沒有辦法區(qū)分，而這樣的波形是最容易讓IC產(chǎn)生誤判。我們都知道，由于變壓器的分布電容和MOSFET的Cgs LEADING SPIKE是很難完全濾除的，但是我們只需要把它控制在不影響我們IC檢測(cè)的范圍內(nèi)就是可以的了。
由于我們IC內(nèi)部本身就有對(duì) LEADING SPIKE 的一個(gè)消隱時(shí)間（約400nS)，對(duì)于ISENSE 的波形我們要做到以下3點(diǎn)：
A,很窄的LEADING SPIKE ，一定要小于400nS，這樣不會(huì)影響到
ISENSE的檢測(cè)。
B, LEADING SPIKE 和ISENSE 真實(shí)波形的谷底一定要低，這樣IC才能區(qū)分LEADING SPIKE 和真實(shí)的ISENSE 的波形。
C, LEADING SPIKE 和ISENSE 真實(shí)波形間的震蕩一定要小。
做好以上A,B,C 三點(diǎn) 2號(hào)和3號(hào)問題就能很好的解決。如何做好A,B,C 三點(diǎn)呢？
要做好這3點(diǎn)主要從兩個(gè)方面做：
1. 從源頭上控制
A,改變變壓器的打法，使用三明治打法或者在每層繞組間加膠帶，減小變壓器的分布電容。
B，選用Cgs比較小的MOSFET。
C, 在畫板時(shí)注意ISENSE的走線，要做到功率地與信號(hào)地分開，ISENSE的信號(hào)在布線時(shí)要遠(yuǎn)離功率信號(hào)，且把功率和信號(hào)環(huán)路的回路做到 最短。
2. 進(jìn)行濾波，如下圖：
C16 和C14的搭配使用可以將干擾很大的ISENSE 信號(hào)濾成IC可以檢測(cè)的信號(hào)。C16一般用到220pF，它的作用是加快ISENSE信號(hào)，讓 LEADING SPIKE 能變窄且達(dá)到谷底。而C14一般用10nF，它的作用是率掉LEADING SPIKE與ISENSE 電流間震蕩波形的幅值。
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期待大家踴躍發(fā)言，。。。
感謝IWATT BOB
