您好。 最近我在調(diào)試IR2130 驅(qū)動H橋時(shí)，遇到了三個(gè)不了解的地方，希望看到的能夠給予指點(diǎn)。此圖，是前段日子在電源網(wǎng)上拷貝某位前輩的，三點(diǎn)不太明白：
NO.1：IGBT 柵極發(fā)射極之間并聯(lián)的電阻、二極管有什么作用呢？其他電路（MOSFET）的柵極源極之間也經(jīng)常并聯(lián)K級別的電阻以及二極管，不太明白起何作用？
NO.2：每個(gè)小橋臂都并聯(lián)了RC電路，這個(gè)又是為了保護(hù)什么呢？
NO.3：IR2130高壓側(cè)柵極驅(qū)動電路，采用的自舉電路，其中的反向二極管為何必須是快恢復(fù)二極管呢？其實(shí)際的工作原理也不太清楚。
小弟共有以上三點(diǎn)不明白的地方，希望路過看到的朋友、大師們，指點(diǎn)一二，謝謝O(∩_∩)O~
續(xù)集：調(diào)試出來一點(diǎn)，圖片看一下：
多謝回復(fù)，最近看到了一點(diǎn)相關(guān)的東西：
1：的確不是二極管，是穩(wěn)壓管。電阻的作用是放電，MOSFET管GS端相當(dāng)于一個(gè)電容，當(dāng)施加電壓時(shí)，充電，導(dǎo)通；Vgs去除后，最好弄個(gè)放電回路，以防誤導(dǎo)通。
2：那個(gè)RC并聯(lián)道路是用來緩沖的，跟MOS管的內(nèi)部構(gòu)造有關(guān)系。
3：快恢復(fù)二極管的作用懂了。
呵呵，之前沒有接MOS，懸空著干測的，剛剛接上了負(fù)載，測試了一下，有波形產(chǎn)生了，自舉電路真是微妙，O(∩_∩)O~。
美中不足的是，波形有點(diǎn)不平衡（示波器一端夾著自舉電容的負(fù)極，另一端測試高端PWM），整體有個(gè)波動。
手機(jī)卡壞了，照片也沒法傳，H橋低端的波形很漂亮，高端的波形峰值有一個(gè)周期下滑的跡象。
請問是因?yàn)樽耘e電容的問題么？我用的是普通的電解電容，4.7uF的。
謝謝您的分析！O(∩_∩)O~~
這是現(xiàn)場拍的圖片，請您給分析一下：
現(xiàn)在我是用單片機(jī)產(chǎn)生雙極性SPWM波形，也就是說左上與左下波形互補(bǔ)；右上與右下波形互補(bǔ)，同時(shí)：左上與右下同步，左下與右上同步。
同時(shí)加上驅(qū)動，報(bào)錯(cuò)，應(yīng)該是我的死區(qū)時(shí)間加的太少了，于是我現(xiàn)在就單獨(dú)調(diào)試一個(gè)對角通道，一下是圖片：
低端驅(qū)動的波形: （示波器：地& LO2）
自舉波形（示波器：自舉電容地& HO1）
自舉波形放大圖片
負(fù)載波形：
負(fù)載波形放大
看圖片貌似地不穩(wěn)定，飄飄的，呵呵
圖形太多了，看著也有點(diǎn)亂，目前就有兩點(diǎn)
NO.1：上下管子，輸出死區(qū)時(shí)間12us，波形實(shí)際所測，但是一旦信號加上，就保護(hù)了。
MOS管的緩沖電路我沒有加，是不是在過度的間隙，MOS管沒有反應(yīng)過來，就同時(shí)導(dǎo)通了？
NO.2：自舉波形參考地有波動，是電容的選取有問題么？
我繼續(xù)再多調(diào)試兩遍，多換換變量，前輩您也給把把關(guān)。
1、12us的死去時(shí)間已經(jīng)很大了。我不大懂你說的保護(hù)，你說是指哪里保護(hù)了？
2、你說的自舉參考地有波動是什么意思？ 你是怎么測的？ 如果是干擾尖峰的話，那就應(yīng)該是你的布線問題。如果不是，那就說明你沒測對
您好 這里有一篇很棒的MOSFET驅(qū)動詳解 http://bbs.dianyuan.com/topic/582407
可以看一下哦
報(bào)告營長！在黨的英明指導(dǎo)下，在營長的熱心關(guān)懷下，今天終于用單片機(jī)逆變出工頻的正弦波，至此，小弟的SPWM，暫時(shí)可以畫上一個(gè)逗號，在此，跟營長大人分享一下，再次感謝您的諄諄教導(dǎo)！O(∩_∩)O~
圖片敬上：（示波器衰減了，DC24V逆變AC，現(xiàn)在還沒有升壓，老師曰：有危險(xiǎn)，就不要玩了，等日后畢業(yè)了，再繼續(xù)，^_^）
是你自己能干，挺漂亮的正弦波，贊一個(gè)！
其實(shí)，我也只是個(gè)學(xué)生
