外殼尺寸:170*85*44,要求過5級能效,溫升不能超過40度,用什么方案好呢,盡量用反激的。
150W反激用什么方案好呢?全封閉
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終端機子做的比較少,不大清楚5級能效是多少.....................另外,你的輸入電壓沒有給出來。
采用QR模式設(shè)計,用以下元器件器件,效率可輕易超過90%,溫升40-50℃:
600V-650V的MOS,EER4045(fmin:60-70KHZ),EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ),12V二極管用MBR20100。
采用CCM模式設(shè)計,用以下元器件,效率也不難超過90%
600-650V的MOS,EER3540或者EER4045,開關(guān)頻率66KHZ,KRP控制在0.6-0.7(視輸入電壓而定),12V采用MBR20100即可。
高功率反激變換器設(shè)計,經(jīng)驗大于理論,成敗與否,有以下幾個關(guān)鍵點:
1、最小Vdcmin設(shè)置;
2、漏感比值最小化設(shè)計;
3、最佳KRP(氣隙及IRMS等電流應力折中設(shè)計)設(shè)計;
4、最佳占空比設(shè)置(VDS及VBRS等電壓應力折中設(shè)計)。
5、必要時,采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。
6、盡量采用EER等長寬比值較大的磁芯,另外,寧肯采用更大一些的磁芯,開關(guān)頻率也不要超過100KHZ?。。∪缬刑貏e的磁芯散熱方式,PQ3230或許比較合適。
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@小凡凡
終端機子做的比較少,不大清楚5級能效是多少.....................另外,你的輸入電壓沒有給出來。采用QR模式設(shè)計,用以下元器件器件,效率可輕易超過90%,溫升40-50℃:600V-650V的MOS,EER4045(fmin:60-70KHZ),EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ),12V二極管用MBR20100。采用CCM模式設(shè)計,用以下元器件,效率也不難超過90%600-650V的MOS,EER3540或者EER4045,開關(guān)頻率66KHZ,KRP控制在0.6-0.7(視輸入電壓而定),12V采用MBR20100即可。高功率反激變換器設(shè)計,經(jīng)驗大于理論,成敗與否,有以下幾個關(guān)鍵點:1、最小Vdcmin設(shè)置;2、漏感比值最小化設(shè)計;3、最佳KRP(氣隙及IRMS等電流應力折中設(shè)計)設(shè)計;4、最佳占空比設(shè)置(VDS及VBRS等電壓應力折中設(shè)計)。5、必要時,采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。6、盡量采用EER等長寬比值較大的磁芯,另外,寧肯采用更大一些的磁芯,開關(guān)頻率也不要超過100KHZ?。?!如有特別的磁芯散熱方式,PQ3230或許比較合適。[圖片][圖片][圖片][圖片]
呵呵,謝謝,這么晚回答我的問題。請問你常用的QRIC是什么型號呢?
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@小凡凡
終端機子做的比較少,不大清楚5級能效是多少.....................另外,你的輸入電壓沒有給出來。采用QR模式設(shè)計,用以下元器件器件,效率可輕易超過90%,溫升40-50℃:600V-650V的MOS,EER4045(fmin:60-70KHZ),EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ),12V二極管用MBR20100。采用CCM模式設(shè)計,用以下元器件,效率也不難超過90%600-650V的MOS,EER3540或者EER4045,開關(guān)頻率66KHZ,KRP控制在0.6-0.7(視輸入電壓而定),12V采用MBR20100即可。高功率反激變換器設(shè)計,經(jīng)驗大于理論,成敗與否,有以下幾個關(guān)鍵點:1、最小Vdcmin設(shè)置;2、漏感比值最小化設(shè)計;3、最佳KRP(氣隙及IRMS等電流應力折中設(shè)計)設(shè)計;4、最佳占空比設(shè)置(VDS及VBRS等電壓應力折中設(shè)計)。5、必要時,采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。6、盡量采用EER等長寬比值較大的磁芯,另外,寧肯采用更大一些的磁芯,開關(guān)頻率也不要超過100KHZ?。?!如有特別的磁芯散熱方式,PQ3230或許比較合適。[圖片][圖片][圖片][圖片]
小凡凡講的很好,總結(jié)的不錯。學習啦!
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