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150W反激用什么方案好呢?全封閉

外殼尺寸:170*85*44,要求過5級能效,溫升不能超過40度,用什么方案好呢,盡量用反激的。

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xmytq
LV.5
2
2011-09-29 11:14

12V8A  48V3A 兩種規(guī)格

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2011-09-29 11:24
@xmytq
12V8A 48V3A兩種規(guī)格

150W還用反激,不知道效率能不能達到

溫升小于40度,LZ你想太多了吧.

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2011-09-29 11:49

你的溫升是指外殼表面溫度還是里面元器件的溫度?
反激的溫度一般都很高

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2011-09-29 13:15
沒有見過用反激做這么大的。見別人用反激做最大的也就70W吧。
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xmytq
LV.5
6
2011-09-29 14:02
@edie87@163.com
150W還用反激,不知道效率能不能達到溫升小于40度,LZ你想太多了吧.

外殼表面溫升,我目前做的60W溫升是35度。這個外殼很大,但是目前還不知道能不能勝任150W。呵呵,功率太大了。

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xmytq
LV.5
7
2011-09-29 14:03
@yqjwy_2008
你的溫升是指外殼表面溫度還是里面元器件的溫度?反激的溫度一般都很高
是指外殼表面溫升
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2011-09-29 17:21
@xmytq
是指外殼表面溫升
表面溫升還是有可能的,,PFC+QR+SR
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2011-09-29 17:23
@yqjwy_2008
表面溫升還是有可能的,,PFC+QR+SR
變壓器有PQ3230,散熱處理好了還是不錯的,,
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xmytq
LV.5
10
2011-10-01 00:51
@yqjwy_2008
變壓器有PQ3230,散熱處理好了還是不錯的,,

QR     DA BU LIAO ZI 

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xmytq
LV.5
11
2011-10-01 00:51
@xmytq
QR    DABULIAOZI [圖片]
打不了
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yuzixuan
LV.8
12
2011-10-02 23:22
@笨小孩1114
沒有見過用反激做這么大的。見別人用反激做最大的也就70W吧。
是啊,這個方案是用來干什么用的?
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小凡凡
LV.7
13
2011-10-03 01:43

終端機子做的比較少,不大清楚5級能效是多少.....................另外,你的輸入電壓沒有給出來。

采用QR模式設(shè)計,用以下元器件器件,效率可輕易超過90%,溫升40-50℃:

600V-650V的MOS,EER4045(fmin:60-70KHZ),EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ),12V二極管用MBR20100。

采用CCM模式設(shè)計,用以下元器件,效率也不難超過90%

600-650V的MOS,EER3540或者EER4045,開關(guān)頻率66KHZ,KRP控制在0.6-0.7(視輸入電壓而定),12V采用MBR20100即可。

高功率反激變換器設(shè)計,經(jīng)驗大于理論,成敗與否,有以下幾個關(guān)鍵點:

1、最小Vdcmin設(shè)置;

2、漏感比值最小化設(shè)計;

3、最佳KRP(氣隙及IRMS等電流應力折中設(shè)計)設(shè)計;

4、最佳占空比設(shè)置(VDS及VBRS等電壓應力折中設(shè)計)。

5、必要時,采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。

6、盡量采用EER等長寬比值較大的磁芯,另外,寧肯采用更大一些的磁芯,開關(guān)頻率也不要超過100KHZ?。。∪缬刑貏e的磁芯散熱方式,PQ3230或許比較合適。

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xmytq
LV.5
14
2011-10-03 22:44
@小凡凡
終端機子做的比較少,不大清楚5級能效是多少.....................另外,你的輸入電壓沒有給出來。采用QR模式設(shè)計,用以下元器件器件,效率可輕易超過90%,溫升40-50℃:600V-650V的MOS,EER4045(fmin:60-70KHZ),EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ),12V二極管用MBR20100。采用CCM模式設(shè)計,用以下元器件,效率也不難超過90%600-650V的MOS,EER3540或者EER4045,開關(guān)頻率66KHZ,KRP控制在0.6-0.7(視輸入電壓而定),12V采用MBR20100即可。高功率反激變換器設(shè)計,經(jīng)驗大于理論,成敗與否,有以下幾個關(guān)鍵點:1、最小Vdcmin設(shè)置;2、漏感比值最小化設(shè)計;3、最佳KRP(氣隙及IRMS等電流應力折中設(shè)計)設(shè)計;4、最佳占空比設(shè)置(VDS及VBRS等電壓應力折中設(shè)計)。5、必要時,采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。6、盡量采用EER等長寬比值較大的磁芯,另外,寧肯采用更大一些的磁芯,開關(guān)頻率也不要超過100KHZ?。?!如有特別的磁芯散熱方式,PQ3230或許比較合適。[圖片][圖片][圖片][圖片]

呵呵,謝謝,這么晚回答我的問題。請問你常用的QRIC是什么型號呢?

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2011-10-04 10:25
@小凡凡
終端機子做的比較少,不大清楚5級能效是多少.....................另外,你的輸入電壓沒有給出來。采用QR模式設(shè)計,用以下元器件器件,效率可輕易超過90%,溫升40-50℃:600V-650V的MOS,EER4045(fmin:60-70KHZ),EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ),12V二極管用MBR20100。采用CCM模式設(shè)計,用以下元器件,效率也不難超過90%600-650V的MOS,EER3540或者EER4045,開關(guān)頻率66KHZ,KRP控制在0.6-0.7(視輸入電壓而定),12V采用MBR20100即可。高功率反激變換器設(shè)計,經(jīng)驗大于理論,成敗與否,有以下幾個關(guān)鍵點:1、最小Vdcmin設(shè)置;2、漏感比值最小化設(shè)計;3、最佳KRP(氣隙及IRMS等電流應力折中設(shè)計)設(shè)計;4、最佳占空比設(shè)置(VDS及VBRS等電壓應力折中設(shè)計)。5、必要時,采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。6、盡量采用EER等長寬比值較大的磁芯,另外,寧肯采用更大一些的磁芯,開關(guān)頻率也不要超過100KHZ?。?!如有特別的磁芯散熱方式,PQ3230或許比較合適。[圖片][圖片][圖片][圖片]
小凡凡講的很好,總結(jié)的不錯。學習啦!
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小凡凡
LV.7
16
2011-10-04 13:07
@xmytq
呵呵,謝謝,這么晚回答我的問題。請問你常用的QRIC是什么型號呢?

NCP1337就很不錯

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小凡凡
LV.7
17
2011-10-04 13:17
@笨小孩1114
小凡凡講的很好,總結(jié)的不錯。學習啦!
以前做過類似的產(chǎn)品,我建議開關(guān)頻率不要做的太高,主要原因是:工作頻率超過100KHZ的話,LP一般都非常小,比如很多人計算出來的LP都只有200-300UH,這樣會導致LS/LP比值過大,氣隙也很大。另外一點是,盡量減小開關(guān)損耗,磁芯損耗通常只有開關(guān)損耗的幾分之一,磁芯也很少因為散熱問題損壞。
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小凡凡
LV.7
18
2011-10-04 13:30
@yqjwy_2008
變壓器有PQ3230,散熱處理好了還是不錯的,,

PQ3230在窄范圍輸入,100KHZ,CCM模式(KRP取0.6-0.7),較小占空比設(shè)置,非密閉空間,40℃溫升,輸出150W估計有可能。

密閉空間磁芯貼散熱片,這個沒有做過,很大程度上跟散熱結(jié)構(gòu)有關(guān)吧!

至于QR模式,關(guān)鍵是看怎么設(shè)計吧!寬范圍輸入或者沒有PFC,PQ3230應該可能性不大。

一般我都是用國產(chǎn)磁芯,用進口或者其它非常用的材料,就不得而知。

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liuhou
LV.9
19
2011-10-05 11:56
溫度高,可用LLC吧。
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xmytq
LV.5
20
2011-10-05 21:36
@liuhou
溫度高,可用LLC吧。

平時就做反激,沒有做過LLC,還得學啊

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2011-10-05 22:47
@小凡凡
以前做過類似的產(chǎn)品,我建議開關(guān)頻率不要做的太高,主要原因是:工作頻率超過100KHZ的話,LP一般都非常小,比如很多人計算出來的LP都只有200-300UH,這樣會導致LS/LP比值過大,氣隙也很大。另外一點是,盡量減小開關(guān)損耗,磁芯損耗通常只有開關(guān)損耗的幾分之一,磁芯也很少因為散熱問題損壞。
恩,以后遇見這類問題了在找你請教啦。正在努力中...
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ruohan
LV.9
22
2011-10-06 16:04
@xmytq
平時就做反激,沒有做過LLC,還得學啊

現(xiàn)在也有個150W的案子,5V30A的,想用正激和QR的來做,

正激的用PQ3220,QR的用POT4019的來做,高度有限制,后面用同步,不知道行不行,

正激的效率也不好做,后面的那個儲能電感的溫度會高,QR的做,不知道能不能做的到,

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小凡凡
LV.7
23
2011-10-06 16:24
@ruohan
現(xiàn)在也有個150W的案子,5V30A的,想用正激和QR的來做,正激的用PQ3220,QR的用POT4019的來做,高度有限制,后面用同步,不知道行不行,正激的效率也不好做,后面的那個儲能電感的溫度會高,QR的做,不知道能不能做的到,

要么正激,再要么LLC,30A輸出,寧肯用494做半橋,也不能用反激啊

 

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