12V8A  48V3A 兩種規(guī)格

150W還用反激,不知道效率能不能達到

溫升小于40度,LZ你想太多了吧.

你的溫升是指外殼表面溫度還是里面元器件的溫度？
反激的溫度一般都很高

外殼表面溫升，我目前做的60W溫升是35度。這個外殼很大，但是目前還不知道能不能勝任150W。呵呵，功率太大了。

QR     DA BU LIAO ZI 

終端機子做的比較少，不大清楚5級能效是多少.....................另外，你的輸入電壓沒有給出來。

采用QR模式設(shè)計，用以下元器件器件，效率可輕易超過90%，溫升40-50℃：

600V-650V的MOS，EER4045（fmin:60-70KHZ），EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ)，12V二極管用MBR20100。

采用CCM模式設(shè)計，用以下元器件，效率也不難超過90%

600-650V的MOS，EER3540或者EER4045，開關(guān)頻率66KHZ，KRP控制在0.6-0.7（視輸入電壓而定），12V采用MBR20100即可。

高功率反激變換器設(shè)計，經(jīng)驗大于理論，成敗與否，有以下幾個關(guān)鍵點：

1、最小Vdcmin設(shè)置；

2、漏感比值最小化設(shè)計；

3、最佳KRP（氣隙及IRMS等電流應力折中設(shè)計）設(shè)計；

4、最佳占空比設(shè)置（VDS及VBRS等電壓應力折中設(shè)計）。

5、必要時，采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。

6、盡量采用EER等長寬比值較大的磁芯，另外，寧肯采用更大一些的磁芯，開關(guān)頻率也不要超過100KHZ?。。∪缬刑貏e的磁芯散熱方式，PQ3230或許比較合適。

呵呵，謝謝，這么晚回答我的問題。請問你常用的QRIC是什么型號呢？

NCP1337就很不錯

PQ3230在窄范圍輸入，100KHZ，CCM模式（KRP取0.6-0.7），較小占空比設(shè)置，非密閉空間，40℃溫升，輸出150W估計有可能。

密閉空間磁芯貼散熱片，這個沒有做過，很大程度上跟散熱結(jié)構(gòu)有關(guān)吧！

至于QR模式，關(guān)鍵是看怎么設(shè)計吧！寬范圍輸入或者沒有PFC，PQ3230應該可能性不大。

一般我都是用國產(chǎn)磁芯，用進口或者其它非常用的材料，就不得而知。

平時就做反激，沒有做過LLC，還得學啊

現(xiàn)在也有個150W的案子,5V30A的,想用正激和QR的來做,

正激的用PQ3220,QR的用POT4019的來做,高度有限制,后面用同步,不知道行不行,

正激的效率也不好做,后面的那個儲能電感的溫度會高,QR的做,不知道能不能做的到,

要么正激，再要么LLC，30A輸出，寧肯用494做半橋，也不能用反激啊