外殼尺寸：170*85*44，要求過(guò)5級(jí)能效，溫升不能超過(guò)40度，用什么方案好呢，盡量用反激的。
150W反激用什么方案好呢？全封閉
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終端機(jī)子做的比較少，不大清楚5級(jí)能效是多少.....................另外，你的輸入電壓沒(méi)有給出來(lái)。
采用QR模式設(shè)計(jì)，用以下元器件器件，效率可輕易超過(guò)90%，溫升40-50℃：
600V-650V的MOS，EER4045（fmin:60-70KHZ），EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ)，12V二極管用MBR20100。
采用CCM模式設(shè)計(jì)，用以下元器件，效率也不難超過(guò)90%
600-650V的MOS，EER3540或者EER4045，開(kāi)關(guān)頻率66KHZ，KRP控制在0.6-0.7（視輸入電壓而定），12V采用MBR20100即可。
高功率反激變換器設(shè)計(jì)，經(jīng)驗(yàn)大于理論，成敗與否，有以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：
1、最小Vdcmin設(shè)置；
2、漏感比值最小化設(shè)計(jì)；
3、最佳KRP（氣隙及IRMS等電流應(yīng)力折中設(shè)計(jì)）設(shè)計(jì)；
4、最佳占空比設(shè)置（VDS及VBRS等電壓應(yīng)力折中設(shè)計(jì)）。
5、必要時(shí)，采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。
6、盡量采用EER等長(zhǎng)寬比值較大的磁芯，另外，寧肯采用更大一些的磁芯，開(kāi)關(guān)頻率也不要超過(guò)100KHZ?。?！如有特別的磁芯散熱方式，PQ3230或許比較合適。
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@小凡凡
終端機(jī)子做的比較少，不大清楚5級(jí)能效是多少.....................另外，你的輸入電壓沒(méi)有給出來(lái)。采用QR模式設(shè)計(jì)，用以下元器件器件，效率可輕易超過(guò)90%，溫升40-50℃：600V-650V的MOS，EER4045（fmin:60-70KHZ），EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ)，12V二極管用MBR20100。采用CCM模式設(shè)計(jì)，用以下元器件，效率也不難超過(guò)90%600-650V的MOS，EER3540或者EER4045，開(kāi)關(guān)頻率66KHZ，KRP控制在0.6-0.7（視輸入電壓而定），12V采用MBR20100即可。高功率反激變換器設(shè)計(jì)，經(jīng)驗(yàn)大于理論，成敗與否，有以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：1、最小Vdcmin設(shè)置；2、漏感比值最小化設(shè)計(jì)；3、最佳KRP（氣隙及IRMS等電流應(yīng)力折中設(shè)計(jì)）設(shè)計(jì)；4、最佳占空比設(shè)置（VDS及VBRS等電壓應(yīng)力折中設(shè)計(jì)）。5、必要時(shí)，采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。6、盡量采用EER等長(zhǎng)寬比值較大的磁芯，另外，寧肯采用更大一些的磁芯，開(kāi)關(guān)頻率也不要超過(guò)100KHZ?。?！如有特別的磁芯散熱方式，PQ3230或許比較合適。[圖片][圖片][圖片][圖片]
呵呵，謝謝，這么晚回答我的問(wèn)題。請(qǐng)問(wèn)你常用的QRIC是什么型號(hào)呢？
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@小凡凡
終端機(jī)子做的比較少，不大清楚5級(jí)能效是多少.....................另外，你的輸入電壓沒(méi)有給出來(lái)。采用QR模式設(shè)計(jì)，用以下元器件器件，效率可輕易超過(guò)90%，溫升40-50℃：600V-650V的MOS，EER4045（fmin:60-70KHZ），EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ)，12V二極管用MBR20100。采用CCM模式設(shè)計(jì)，用以下元器件，效率也不難超過(guò)90%600-650V的MOS，EER3540或者EER4045，開(kāi)關(guān)頻率66KHZ，KRP控制在0.6-0.7（視輸入電壓而定），12V采用MBR20100即可。高功率反激變換器設(shè)計(jì)，經(jīng)驗(yàn)大于理論，成敗與否，有以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：1、最小Vdcmin設(shè)置；2、漏感比值最小化設(shè)計(jì)；3、最佳KRP（氣隙及IRMS等電流應(yīng)力折中設(shè)計(jì)）設(shè)計(jì)；4、最佳占空比設(shè)置（VDS及VBRS等電壓應(yīng)力折中設(shè)計(jì)）。5、必要時(shí)，采用中心柱加氣隙的方法獲得原邊電感量。6、盡量采用EER等長(zhǎng)寬比值較大的磁芯，另外，寧肯采用更大一些的磁芯，開(kāi)關(guān)頻率也不要超過(guò)100KHZ?。?！如有特別的磁芯散熱方式，PQ3230或許比較合適。[圖片][圖片][圖片][圖片]
小凡凡講的很好，總結(jié)的不錯(cuò)。學(xué)習(xí)啦！
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@笨小孩1114
小凡凡講的很好，總結(jié)的不錯(cuò)。學(xué)習(xí)啦！
以前做過(guò)類(lèi)似的產(chǎn)品，我建議開(kāi)關(guān)頻率不要做的太高，主要原因是：工作頻率超過(guò)100KHZ的話，LP一般都非常小，比如很多人計(jì)算出來(lái)的LP都只有200-300UH，這樣會(huì)導(dǎo)致LS/LP比值過(guò)大，氣隙也很大。另外一點(diǎn)是，盡量減小開(kāi)關(guān)損耗，磁芯損耗通常只有開(kāi)關(guān)損耗的幾分之一，磁芯也很少因?yàn)樯釂?wèn)題損壞。
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@yqjwy_2008
變壓器有PQ3230，散熱處理好了還是不錯(cuò)的，，
PQ3230在窄范圍輸入，100KHZ，CCM模式（KRP取0.6-0.7），較小占空比設(shè)置，非密閉空間，40℃溫升，輸出150W估計(jì)有可能。
密閉空間磁芯貼散熱片，這個(gè)沒(méi)有做過(guò)，很大程度上跟散熱結(jié)構(gòu)有關(guān)吧！
至于QR模式，關(guān)鍵是看怎么設(shè)計(jì)吧！寬范圍輸入或者沒(méi)有PFC，PQ3230應(yīng)該可能性不大。
一般我都是用國(guó)產(chǎn)磁芯，用進(jìn)口或者其它非常用的材料，就不得而知。
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@小凡凡
以前做過(guò)類(lèi)似的產(chǎn)品，我建議開(kāi)關(guān)頻率不要做的太高，主要原因是：工作頻率超過(guò)100KHZ的話，LP一般都非常小，比如很多人計(jì)算出來(lái)的LP都只有200-300UH，這樣會(huì)導(dǎo)致LS/LP比值過(guò)大，氣隙也很大。另外一點(diǎn)是，盡量減小開(kāi)關(guān)損耗，磁芯損耗通常只有開(kāi)關(guān)損耗的幾分之一，磁芯也很少因?yàn)樯釂?wèn)題損壞。
恩，以后遇見(jiàn)這類(lèi)問(wèn)題了在找你請(qǐng)教啦。正在努力中...
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