新手，有幾個疑問向電源網(wǎng)的諸位前輩請教，希望有人能看到~~~感激不盡！

一、上圖是用的三極管搭的的電路，Vout為驅(qū)動IC的輸出約±14V；

1、開通過程是不是這樣子的：開通時瞬間NPN晶體管e極電位Ve為0，

Ib很大→Ic=β*Ib大→Ve大→Vb大→Ib=（Vout-Vb）/10，Ib??；最后達到一個平衡！

實測直到Ve打到13.5V左右的樣子時穩(wěn)定。

2、晶體管工作在放大區(qū)，Ic=β*Ib，所以會受Ib限制，而Ib是在逐漸減小，那么給IGBT門極充電的電流Ic會不會因受Ib限制而在開通過程供應不足？

3、怎樣提升晶體管響應時間？讓開通過程盡可能快的達到這個平衡狀態(tài)，調(diào)整晶體管輸入的電阻以增大Ib么？

二、如果不用晶體管而用MOSFET。

如圖，因為MOSFET要保持開通的話Vgs要維持一個電壓值，所以如果D極供電、S極輸出的話Vs會比Vg小個幾V，

所以我看到別人好像都是用的上面的方案。

我的疑問

3、如果VCC=+15V,VEE=-15V,

如果Vout仍是±14V的話，原理上是可行的，+14V時下mos管開通，-14上mos開通，但是Vgs就會很大，接近30V。

如果vout 選擇居中值比如0V時，上下mos時不時就都導通了？

Vout要如何配置才可行（是否需要相應調(diào)整VCCH和VEE）？