為什么在RCD電路中電阻發(fā)熱嚴(yán)重?電阻發(fā)黑! 用的是4007 68K/1/4W 472/1KV
換用FR107,2N2/1KV后明顯不熱一點(diǎn)! 剛做開關(guān)電源,不大懂原理!
能幫忙分析一下原理嗎?
RCD吸收電路發(fā)熱問題!
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500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/38/1140869688.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 0
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@13147
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/38/1140869688.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
ding
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@牽只螞蟻散步
把1N4007用在RCD吸收這里的人很多,懂原理的卻不多.并不是什么1N4007的結(jié)電容大,1N4007和快恢復(fù)的結(jié)電容都基本上是在35PF左右.只是由于4007的恢復(fù)時間的原因,4007的恢復(fù)時間估計(jì)在2uS左右.還是講一講這個電路原理吧!MOS關(guān)斷時,漏感的能量產(chǎn)生的尖峰和反射電壓疊加,4007導(dǎo)通,4007串的電阻將承認(rèn)幾十V的電壓,并對吸收電容沖電.浪涌過后,由于電容電壓比線圈反射電壓高,此時4007將承受一個反壓,此時4007的恢復(fù)時間較長,所以將有一個較大的恢電流流過初級線圈.此時正是反激過程,所產(chǎn)恢復(fù)電流流過線圈產(chǎn)生的能量,將被反射到次級提供給負(fù)載.所以用1N4007作吸有一定的能量回饋?zhàn)饔?電路的振鈴也會明顯減小很大.EMI相對也會好些.最后吸收電容上的電壓放到基本同線圈電相同.所以設(shè)計(jì)這個電路時,吸收電容并的電阻太小并沒有什么明顯效果.功耗最大的元件是4007串的電阻,和4007.功率較大時4007千萬不可不串電阻,我見到很多人不串電阻使用的,4007會損耗太大,長時間工作會過熱損壞的.有機(jī)會貼幾個波形圖上來給大家看看.不知大家是否明白.
關(guān)于rcd鉗位電路的計(jì)算方法有嗎?
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@7-mop
頂上去是不是功率電阻溫度在120度也沒關(guān)系?
把1N4007用在RCD吸收這里的人很多,懂原理的卻不多.并不是什么1N4007的結(jié)電容大,1N4007和快恢復(fù)的結(jié)電容都基本上是在35PF左右.只是由于4007的恢復(fù)時間的原因,4007的恢復(fù)時間估計(jì)在2uS左右.還是講一講這個電路原理吧!MOS關(guān)斷時,漏感的能量產(chǎn)生的尖峰和反射電壓疊加,4007導(dǎo)通,4007串的電阻將承認(rèn)幾十V的電壓,并對吸收電容沖電.浪涌過后,由于電容電壓比線圈反射電壓高,此時4007將承受一個反壓,此時4007的恢復(fù)時間較長,所以將有一個較大的恢電流流過初級線圈.此時正是反激過程,所產(chǎn)恢復(fù)電流流過線圈產(chǎn)生的能量,將被反射到次級提供給負(fù)載.所以用1N4007作吸有一定的能量回饋?zhàn)饔?電路的振鈴也會明顯減小很大.EMI相對也會好些.最后吸收電容上的電壓放到基本同線圈電相同.所以設(shè)計(jì)這個電路時,吸收電容并的電阻太小并沒有什么明顯效果.功耗最大的元件是4007串的電阻,和4007.功率較大時4007千萬不可不串電阻,我見到很多人不串電阻使用的,4007會損耗太大,長時間工作會過熱損壞的.有機(jī)會貼幾個波形圖上來給大家看看.不知大家是否明白.
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@牽只螞蟻散步
把1N4007用在RCD吸收這里的人很多,懂原理的卻不多.并不是什么1N4007的結(jié)電容大,1N4007和快恢復(fù)的結(jié)電容都基本上是在35PF左右.只是由于4007的恢復(fù)時間的原因,4007的恢復(fù)時間估計(jì)在2uS左右.還是講一講這個電路原理吧!MOS關(guān)斷時,漏感的能量產(chǎn)生的尖峰和反射電壓疊加,4007導(dǎo)通,4007串的電阻將承認(rèn)幾十V的電壓,并對吸收電容沖電.浪涌過后,由于電容電壓比線圈反射電壓高,此時4007將承受一個反壓,此時4007的恢復(fù)時間較長,所以將有一個較大的恢電流流過初級線圈.此時正是反激過程,所產(chǎn)恢復(fù)電流流過線圈產(chǎn)生的能量,將被反射到次級提供給負(fù)載.所以用1N4007作吸有一定的能量回饋?zhàn)饔?電路的振鈴也會明顯減小很大.EMI相對也會好些.最后吸收電容上的電壓放到基本同線圈電相同.所以設(shè)計(jì)這個電路時,吸收電容并的電阻太小并沒有什么明顯效果.功耗最大的元件是4007串的電阻,和4007.功率較大時4007千萬不可不串電阻,我見到很多人不串電阻使用的,4007會損耗太大,長時間工作會過熱損壞的.有機(jī)會貼幾個波形圖上來給大家看看.不知大家是否明白.
我用的是BYV26C,反向恢復(fù)時間是35ns,所以是不是由于這個原因造成所串的電阻發(fā)熱過大,我今天將C所并電阻從2個33K改為2個100K,那個電阻從125度降到了110度
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@牽只螞蟻散步
把1N4007用在RCD吸收這里的人很多,懂原理的卻不多.并不是什么1N4007的結(jié)電容大,1N4007和快恢復(fù)的結(jié)電容都基本上是在35PF左右.只是由于4007的恢復(fù)時間的原因,4007的恢復(fù)時間估計(jì)在2uS左右.還是講一講這個電路原理吧!MOS關(guān)斷時,漏感的能量產(chǎn)生的尖峰和反射電壓疊加,4007導(dǎo)通,4007串的電阻將承認(rèn)幾十V的電壓,并對吸收電容沖電.浪涌過后,由于電容電壓比線圈反射電壓高,此時4007將承受一個反壓,此時4007的恢復(fù)時間較長,所以將有一個較大的恢電流流過初級線圈.此時正是反激過程,所產(chǎn)恢復(fù)電流流過線圈產(chǎn)生的能量,將被反射到次級提供給負(fù)載.所以用1N4007作吸有一定的能量回饋?zhàn)饔?電路的振鈴也會明顯減小很大.EMI相對也會好些.最后吸收電容上的電壓放到基本同線圈電相同.所以設(shè)計(jì)這個電路時,吸收電容并的電阻太小并沒有什么明顯效果.功耗最大的元件是4007串的電阻,和4007.功率較大時4007千萬不可不串電阻,我見到很多人不串電阻使用的,4007會損耗太大,長時間工作會過熱損壞的.有機(jī)會貼幾個波形圖上來給大家看看.不知大家是否明白.
你好!用4007恢復(fù)時間是否太長.用FR107不是更合理嗎?
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