做一個(gè)伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，48V，電機(jī)額定功率大概200W.
剛開始由于沒有現(xiàn)成的硬件平臺(tái)，就借用空調(diào)控制器硬件作為開發(fā)平臺(tái)，功率器件使用的是IPM，光電編碼器接口外接。
調(diào)試中發(fā)現(xiàn)電流波形不是很好，正弦波峰值處會(huì)出現(xiàn)下凹?，F(xiàn)在換做MOSFET作為功率器件(Layout基本相同)，相同的代碼，正弦波要好很多（下凹減弱）。
哪位能解釋一下，為什么呢？是否是因?yàn)镮GBT和MOSFET本身的特性引起的？是如何影響的呢？
謝謝
