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磁芯加氣隙的作用求理解。

書上說加氣隙的作用：

1：可以使磁滯回線傾斜，磁導(dǎo)率降低。

2：提高飽合安匝數(shù)。

這兩句怎么可以更好的理解呢。求高手解釋

全部回復(fù)(22)
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EeTsang
LV.5
2
2011-10-21 18:45

加氣隙提高飽和N*I，變壓器大部分能量存儲在氣隙中，氣隙越大，變壓器能存儲的能量越大，故不容易飽和，變壓器磁芯儲能能力 E=0.5*B*V*H.,加入氣隙后，H是磁芯和空氣部分等效He

空心線圈永不飽和，故加入氣隙后，整個磁路具有一點空氣特性。飽和磁通密度仍然為磁芯材料的飽和磁通密度。但是，變壓器能承受更多能量（在氣隙中占大部分）。

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2011-10-21 18:56

我來回答第一個問題，看圖就明白了。

 

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2011-10-21 20:15
@EeTsang
加氣隙提高飽和N*I，變壓器大部分能量存儲在氣隙中，氣隙越大，變壓器能存儲的能量越大，故不容易飽和，變壓器磁芯儲能能力E=0.5*B*V*H.,加入氣隙后，H是磁芯和空氣部分等效He空心線圈永不飽和，故加入氣隙后，整個磁路具有一點空氣特性。飽和磁通密度仍然為磁芯材料的飽和磁通密度。但是，變壓器能承受更多能量（在氣隙中占大部分）。

謝謝。磁學(xué)這很薄弱啊

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2011-10-21 20:15
@笨小孩1114
我來回答第一個問題，看圖就明白了。[圖片] 
恩。很直觀
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fhvk85
LV.5
6
2011-10-21 21:28
用數(shù)學(xué)方法來說明：伏秒關(guān)系N*B*S=L*I   電感儲能E=1/2L*I~2    磨氣隙后   L下降  磁芯就可以承受較大電流   這個二次函數(shù)在I大于0時是增函數(shù)，E是上升的！當(dāng)然做的時候L不能取太??！   
1
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andeshu
LV.2
7
2011-10-22 00:43
@fhvk85
用數(shù)學(xué)方法來說明：伏秒關(guān)系N*B*S=L*I  電感儲能E=1/2L*I~2    磨氣隙后   L下降 磁芯就可以承受較大電流  這個二次函數(shù)在I大于0時是增函數(shù)，E是上升的！當(dāng)然做的時候L不能取太小！   

照這兩個式子L取很小都能滿足變壓器飽和及儲能的條件了，那L不能取很小的原因是其他元件不能承受這么大電流嗎

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EeTsang
LV.5
8
2011-10-22 08:15
@andeshu
照這兩個式子L取很小都能滿足變壓器飽和及儲能的條件了，那L不能取很小的原因是其他元件不能承受這么大電流嗎
I=V/L *Dt   V/ L是電流上升的斜率，電感小，電流上升斜率大，但 頻率在那里擺著的，電感不能太小
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EeTsang
LV.5
9
2011-10-22 08:16
@hebaiyanpao
謝謝。磁學(xué)這很薄弱啊
看磁芯方面的書籍啊
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fhvk85
LV.5
10
2011-10-22 17:35
@andeshu
照這兩個式子L取很小都能滿足變壓器飽和及儲能的條件了，那L不能取很小的原因是其他元件不能承受這么大電流嗎

不是承受的問題。是銅損大了，得不償失??！

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2011-10-22 20:26
@fhvk85
用數(shù)學(xué)方法來說明：伏秒關(guān)系N*B*S=L*I  電感儲能E=1/2L*I~2    磨氣隙后   L下降 磁芯就可以承受較大電流  這個二次函數(shù)在I大于0時是增函數(shù)，E是上升的！當(dāng)然做的時候L不能取太小！   

不是很懂。。。

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PENG_7606
LV.2
12
2011-10-23 22:07
@笨小孩1114
我來回答第一個問題，看圖就明白了。[圖片] 

有什么磁學(xué)方面的好書集，麻煩推薦一下

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2011-10-24 07:50
@PENG_7606
有什么磁學(xué)方面的好書集，麻煩推薦一下[圖片]
趙修科老師的《磁性元器件設(shè)計》，這本書由易到難，講的很好，而且還有很多實例。建議先看這本書，熟悉基礎(chǔ)知識和原理，然后再看一些變壓器方面的設(shè)計案例資料，有條件的話，自己可以繞制幾個玩玩，看看效果。
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sunpeng
LV.6
14
2011-10-24 10:00
@EeTsang
加氣隙提高飽和N*I，變壓器大部分能量存儲在氣隙中，氣隙越大，變壓器能存儲的能量越大，故不容易飽和，變壓器磁芯儲能能力E=0.5*B*V*H.,加入氣隙后，H是磁芯和空氣部分等效He空心線圈永不飽和，故加入氣隙后，整個磁路具有一點空氣特性。飽和磁通密度仍然為磁芯材料的飽和磁通密度。但是，變壓器能承受更多能量（在氣隙中占大部分）。
樓上對磁隙理解不正確
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EeTsang
LV.5
15
2011-10-24 13:30
@sunpeng
樓上對磁隙理解不正確

哪你說怎么理解？

這是馬尼克塔拉的分析指出，你還在這里一派胡言說不正確？還請你來分析下？？

可笑的人還真多！


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cheng111
LV.11
16
2011-10-24 14:02
@andeshu
照這兩個式子L取很小都能滿足變壓器飽和及儲能的條件了，那L不能取很小的原因是其他元件不能承受這么大電流嗎

L取小了，漏感的比例也會增大的。

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2011-10-24 16:28
@EeTsang
哪你說怎么理解？這是馬尼克塔拉的分析指出，你還在這里一派胡言說不正確？還請你來分析下？？可笑的人還真多！
請大師詳解
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小礦石
LV.10
18
2011-10-24 21:22
@EeTsang
加氣隙提高飽和N*I，變壓器大部分能量存儲在氣隙中，氣隙越大，變壓器能存儲的能量越大，故不容易飽和，變壓器磁芯儲能能力E=0.5*B*V*H.,加入氣隙后，H是磁芯和空氣部分等效He空心線圈永不飽和，故加入氣隙后，整個磁路具有一點空氣特性。飽和磁通密度仍然為磁芯材料的飽和磁通密度。但是，變壓器能承受更多能量（在氣隙中占大部分）。

一語道破啊，在這方面郁悶了好久了，謝謝

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amonson
LV.8
19
2011-10-24 21:29
這個已經(jīng)就是很好的理解了。最大飽和磁感應(yīng)強度不變，磁導(dǎo)率降低，所以在不飽和的前提下能承受更大的安匝數(shù)。
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2011-10-25 04:37

由最基本的開始

法拉第定律：變化的磁場產(chǎn)生電場。

V = -N*d(phi)/dt

安培環(huán)路定律: 環(huán)繞的電流等于磁動勢。安匝數(shù) = MMF

F = H*l = N*I.


磁路類比于電路，磁動勢相當(dāng)于電壓源，磁通相當(dāng)于電流，那磁阻

Rm = H*L/(B*A) = L/(ur*u0*Ac)；

當(dāng)增加氣隙是，空氣的ur遠比磁性材料的小，故氣隙磁阻很大，那整個磁路的磁阻也就很大，那么

NI = Rm*phi。

磁性材料的最大磁通密度在有無氣隙是都一樣，是材料特性，而且橫截面積也不變

故

NI = Rm*B*Ac

所以飽和安匝數(shù)提高，相當(dāng)于電流不變，電阻變大，電壓就變大的道理。

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2013-07-18 21:45
@二手電工
由最基本的開始法拉第定律：變化的磁場產(chǎn)生電場。V=-N*d(phi)/dt安培環(huán)路定律:環(huán)繞的電流等于磁動勢。安匝數(shù)=MMFF=H*l=N*I.磁路類比于電路，磁動勢相當(dāng)于電壓源，磁通相當(dāng)于電流，那磁阻Rm=H*L/(B*A)=L/(ur*u0*Ac)；當(dāng)增加氣隙是，空氣的ur遠比磁性材料的小，故氣隙磁阻很大，那整個磁路的磁阻也就很大，那么NI=Rm*phi。磁性材料的最大磁通密度在有無氣隙是都一樣，是材料特性，而且橫截面積也不變故NI=Rm*B*Ac所以飽和安匝數(shù)提高，相當(dāng)于電流不變，電阻變大，電壓就變大的道理。
說的真好！豁然開朗！謝謝！
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dy-nlWmlvfP
LV.1
22
2020-04-06 16:59
@二手電工
由最基本的開始法拉第定律：變化的磁場產(chǎn)生電場。V=-N*d(phi)/dt安培環(huán)路定律:環(huán)繞的電流等于磁動勢。安匝數(shù)=MMFF=H*l=N*I.磁路類比于電路，磁動勢相當(dāng)于電壓源，磁通相當(dāng)于電流，那磁阻Rm=H*L/(B*A)=L/(ur*u0*Ac)；當(dāng)增加氣隙是，空氣的ur遠比磁性材料的小，故氣隙磁阻很大，那整個磁路的磁阻也就很大，那么NI=Rm*phi。磁性材料的最大磁通密度在有無氣隙是都一樣，是材料特性，而且橫截面積也不變故NI=Rm*B*Ac所以飽和安匝數(shù)提高，相當(dāng)于電流不變，電阻變大，電壓就變大的道理。
清晰明了
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2020-06-17 15:43
@笨小孩1114
我來回答第一個問題，看圖就明白了。[圖片] 
大牛，開氣隙為什么可以降低剩磁？
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