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【討論】變壓器應(yīng)該怎樣包屏蔽層?

包屏蔽層應(yīng)該怎么包?包幾個屏蔽層?

我這有兩種不同的制作,請大家分析一下:
1、屏蔽層(一般直接用普通銅線繞滿一層)|一半初級|次級|另一半初級|屏蔽層|反饋層

2、一半初級|屏蔽層|次級|屏蔽層|另一半初級|反饋層

這兩種方法哪種更好?
還有沒有更好的繞制方法?
如果只用一層屏蔽層又應(yīng)該怎么繞制?
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ctx1211
LV.7
2
2011-10-24 21:02

你這個就是一般的并繞和交叉繞法

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gzhenf
LV.4
3
2011-10-24 21:05
@ctx1211
你這個就是一般的并繞和交叉繞法
你看一下1和2兩種包的屏蔽層哪種效果更好?有沒有更優(yōu)良的繞法?
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ctx1211
LV.7
4
2011-10-24 21:09
@gzhenf
你看一下1和2兩種包的屏蔽層哪種效果更好?有沒有更優(yōu)良的繞法?
個人覺得第一種就OK了,一般兩個屏蔽層就可以了,當(dāng)然要看你的實際電路,你不妨可以去實際做個測試。你的第二種繞法可能樓干會比較小點,但是也要考慮EMI,權(quán)衡利弊,用實驗說話。
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化雪
LV.4
5
2011-10-24 23:34

1、從磁芯內(nèi)部開始,第二種方法是可以的。

2、第一種方法第一層是不是可以不要。

3、屏蔽層分兩種,一種是慮共模的,就是兩個級之間的那種,另外一種包在變壓器的外面,可以減小輻射。兩種用銅鉑的時候處理方法不一樣。加在兩級之間的那個注意別短路了變壓器(我也不知道怎么說,如果用銅帶,只能繞0.8T)

4、加了初次級之間的屏蔽層時,注意你的效率和長時間短路,這方面的性能可能會變差。

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zengtx
LV.6
6
2011-10-25 09:22
@化雪
1、從磁芯內(nèi)部開始,第二種方法是可以的。2、第一種方法第一層是不是可以不要。3、屏蔽層分兩種,一種是慮共模的,就是兩個級之間的那種,另外一種包在變壓器的外面,可以減小輻射。兩種用銅鉑的時候處理方法不一樣。加在兩級之間的那個注意別短路了變壓器(我也不知道怎么說,如果用銅帶,只能繞0.8T)4、加了初次級之間的屏蔽層時,注意你的效率和長時間短路,這方面的性能可能會變差。

看別人的做法是如果變壓器是從冷點起繞,第一種方法第一層可以不要,如果是從熱點起繞(MOS的D極)那還是加上

另外化雪所說的兩個級之間的那種是不是說的初級與次級之間的那個屏蔽層?

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2011-10-25 14:22

 屏蔽可分為電屏蔽與磁屏蔽,電屏蔽主要的作用是將初級來的干涉信號與次級隔離開來,可采用三種方式進行屏蔽1。在初、次級之間包一層銅箔,但頭尾不能短路,銅箔要接地,這樣在初級繞組與銅箔之間形成電容,干涉信號通過電容--銅箔接地形成回路,不能進入次級繞組起到電屏蔽的作用2. 在初、次級之間繞一層細(xì)的導(dǎo)線,并一端接地3.在初級兩端子各接一交流電容(不是電解電容)電容的另一端接地,后兩種方法所起的作用與第一種方法類似,最后這種方法要在線路上做些文章,不一定整機技術(shù)人能接受。磁屏蔽則在EI變壓器外,加一軟磁材料的外殼、使外界的磁場停留在外殼上,加了以后雖然作用不同效果相當(dāng)于環(huán)型變壓器,根據(jù)效果的要求不同,可加一層也有要加多層的,有的還要求多層中加銅殼或在磁殼上鍍一層銅。銅的作用是當(dāng)磁力線通過時,產(chǎn)生渦流阻止磁力線通過。

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gzhenf
LV.4
8
2011-10-25 17:47
@隱形專家
 屏蔽可分為電屏蔽與磁屏蔽,電屏蔽主要的作用是將初級來的干涉信號與次級隔離開來,可采用三種方式進行屏蔽1。在初、次級之間包一層銅箔,但頭尾不能短路,銅箔要接地,這樣在初級繞組與銅箔之間形成電容,干涉信號通過電容--銅箔—接地形成回路,不能進入次級繞組起到電屏蔽的作用2.在初、次級之間繞一層細(xì)的導(dǎo)線,并一端接地3.在初級兩端子各接一交流電容(不是電解電容)電容的另一端接地,后兩種方法所起的作用與第一種方法類似,最后這種方法要在線路上做些文章,不一定整機技術(shù)人能接受。磁屏蔽則在EI變壓器外,加一軟磁材料的外殼、使外界的磁場停留在外殼上,加了以后雖然作用不同效果相當(dāng)于環(huán)型變壓器,根據(jù)效果的要求不同,可加一層也有要加多層的,有的還要求多層中加銅殼或在磁殼上鍍一層銅。銅的作用是當(dāng)磁力線通過時,產(chǎn)生渦流阻止磁力線通過。
專家分析就是深入呀
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2011-10-25 18:57
@gzhenf
專家分析就是深入呀
夸獎了、多層屏蔽一般人很少遇到。
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化雪
LV.4
10
2011-10-25 20:43
@zengtx
看別人的做法是如果變壓器是從冷點起繞,第一種方法第一層可以不要,如果是從熱點起繞(MOS的D極)那還是加上另外化雪所說的兩個級之間的那種是不是說的初級與次級之間的那個屏蔽層?
是的,就是隱形專家說的那個頭尾不能接住的那個。
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GreenEnergy
LV.7
11
2011-10-25 22:40
@隱形專家
 屏蔽可分為電屏蔽與磁屏蔽,電屏蔽主要的作用是將初級來的干涉信號與次級隔離開來,可采用三種方式進行屏蔽1。在初、次級之間包一層銅箔,但頭尾不能短路,銅箔要接地,這樣在初級繞組與銅箔之間形成電容,干涉信號通過電容--銅箔—接地形成回路,不能進入次級繞組起到電屏蔽的作用2.在初、次級之間繞一層細(xì)的導(dǎo)線,并一端接地3.在初級兩端子各接一交流電容(不是電解電容)電容的另一端接地,后兩種方法所起的作用與第一種方法類似,最后這種方法要在線路上做些文章,不一定整機技術(shù)人能接受。磁屏蔽則在EI變壓器外,加一軟磁材料的外殼、使外界的磁場停留在外殼上,加了以后雖然作用不同效果相當(dāng)于環(huán)型變壓器,根據(jù)效果的要求不同,可加一層也有要加多層的,有的還要求多層中加銅殼或在磁殼上鍍一層銅。銅的作用是當(dāng)磁力線通過時,產(chǎn)生渦流阻止磁力線通過。

第2種繞法效果欠佳。

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孤鴻影
LV.6
12
2011-10-26 08:18
我曾經(jīng)做過一款產(chǎn)品,PSR電路的,當(dāng)時繞組是:屏蔽層、一半初級、屏蔽層、反饋、次級、另一半初級。但是發(fā)現(xiàn)效率低了很多,結(jié)果把第二個屏蔽層取消掉后,效率提升了將近3個點,而且傳導(dǎo)和輻射效果也挺好的。
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gzhenf
LV.4
13
2011-10-26 08:22
@GreenEnergy
第2種繞法效果欠佳。

仁兄有何更好方法,還望提點一二。

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zengtx
LV.6
14
2011-10-26 08:24
@孤鴻影
我曾經(jīng)做過一款產(chǎn)品,PSR電路的,當(dāng)時繞組是:屏蔽層、一半初級、屏蔽層、反饋、次級、另一半初級。但是發(fā)現(xiàn)效率低了很多,結(jié)果把第二個屏蔽層取消掉后,效率提升了將近3個點,而且傳導(dǎo)和輻射效果也挺好的。

將第二個屏蔽去掉后,那基本上沒有屏蔽了?如果初級繞組是從輸入大電解起繞的話應(yīng)該也可以去掉第一層屏蔽

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gzhenf
LV.4
15
2011-10-26 10:18
@zengtx
看別人的做法是如果變壓器是從冷點起繞,第一種方法第一層可以不要,如果是從熱點起繞(MOS的D極)那還是加上另外化雪所說的兩個級之間的那種是不是說的初級與次級之間的那個屏蔽層?
如果按照第二種方法初級起繞從熱點和從冷點是否有區(qū)別呢?有區(qū)別的話,是從冷點起繞效果更好嗎?不知道有沒有實際試過
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孤鴻影
LV.6
16
2011-10-26 10:24
@zengtx
將第二個屏蔽去掉后,那基本上沒有屏蔽了?如果初級繞組是從輸入大電解起繞的話應(yīng)該也可以去掉第一層屏蔽

第一層屏蔽是從初級地起繞的。

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gzhenf
LV.4
17
2011-10-26 11:27
@孤鴻影
第一層屏蔽是從初級地起繞的。

起繞點是不是有講究的?

 

如果按這樣設(shè)定同名端,(4腳為接地)然后從打點的地方起繞效果和設(shè)置相反的同名端相比,哪個更好

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zengtx
LV.6
18
2011-10-26 14:38
@孤鴻影
第一層屏蔽是從初級地起繞的。
這樣的話為什么還要加這一層屏蔽呢?
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gzhenf
LV.4
19
2011-10-26 14:43
@zengtx
這樣的話為什么還要加這一層屏蔽呢?

你的意思是第一種情況的第一層屏蔽不用了,那對第二種情況是否會有影響

 

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zengtx
LV.6
20
2011-10-26 15:18
@gzhenf
你的意思是第一種情況的第一層屏蔽不用了,那對第二種情況是否會有影響 

從網(wǎng)博電源前輩那聽說:如果初級繞組是從大電解正極起繞的話,在骨架上面可以不用繞一層屏蔽,如果是從MOS的D極起繞的話,繞之前在骨架上繞層屏蔽會對EMI有好處。我14帖說錯了,去改下

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zgchen
LV.3
21
2011-10-27 10:08
@隱形專家
 屏蔽可分為電屏蔽與磁屏蔽,電屏蔽主要的作用是將初級來的干涉信號與次級隔離開來,可采用三種方式進行屏蔽1。在初、次級之間包一層銅箔,但頭尾不能短路,銅箔要接地,這樣在初級繞組與銅箔之間形成電容,干涉信號通過電容--銅箔—接地形成回路,不能進入次級繞組起到電屏蔽的作用2.在初、次級之間繞一層細(xì)的導(dǎo)線,并一端接地3.在初級兩端子各接一交流電容(不是電解電容)電容的另一端接地,后兩種方法所起的作用與第一種方法類似,最后這種方法要在線路上做些文章,不一定整機技術(shù)人能接受。磁屏蔽則在EI變壓器外,加一軟磁材料的外殼、使外界的磁場停留在外殼上,加了以后雖然作用不同效果相當(dāng)于環(huán)型變壓器,根據(jù)效果的要求不同,可加一層也有要加多層的,有的還要求多層中加銅殼或在磁殼上鍍一層銅。銅的作用是當(dāng)磁力線通過時,產(chǎn)生渦流阻止磁力線通過。
能具體說一下軟磁材料大概有哪些嗎?
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隱形專家
LV.10
22
2011-10-28 08:01

這個變壓器的屏蔽與我們傳統(tǒng)的變壓器是大巫見小巫

 

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GreenEnergy
LV.7
23
2011-10-29 00:24
@gzhenf
仁兄有何更好方法,還望提點一二。
7帖專家已經(jīng)說過了,個人覺的第1種包銅箔的方法效果更好些,尤其對交流高頻電場的屏蔽效果。
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aczg01987
LV.10
24
2011-10-31 11:24
@zengtx
看別人的做法是如果變壓器是從冷點起繞,第一種方法第一層可以不要,如果是從熱點起繞(MOS的D極)那還是加上另外化雪所說的兩個級之間的那種是不是說的初級與次級之間的那個屏蔽層?
從熱點起繞(MOS的D極)那還是加上?
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GreenEnergy
LV.7
25
2011-11-01 20:13
@隱形專家
這個變壓器的屏蔽與我們傳統(tǒng)的變壓器是大巫見小巫[圖片] 
愿聽專家的分析講解
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aczg01987
LV.10
26
2011-11-01 23:50
@隱形專家
這個變壓器的屏蔽與我們傳統(tǒng)的變壓器是大巫見小巫[圖片] 

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隱形專家
LV.10
27
2011-11-02 10:06
@隱形專家
這個變壓器的屏蔽與我們傳統(tǒng)的變壓器是大巫見小巫[圖片] 
不論是軍品還是民品都會遇到要求低噪音變壓器的電路,如火車在高速運行,像Z23/Z24這趟車一走就是12小時,怎樣檢測軸承溫度?不能停車檢測,軸承溫度過高造成抱閘是要出事故的,檢測軸承溫度的信號夠弱的,若不在變壓器上下功夫,能行嗎?
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ncy231
LV.7
28
2011-11-03 11:33
@隱形專家
 屏蔽可分為電屏蔽與磁屏蔽,電屏蔽主要的作用是將初級來的干涉信號與次級隔離開來,可采用三種方式進行屏蔽1。在初、次級之間包一層銅箔,但頭尾不能短路,銅箔要接地,這樣在初級繞組與銅箔之間形成電容,干涉信號通過電容--銅箔—接地形成回路,不能進入次級繞組起到電屏蔽的作用2.在初、次級之間繞一層細(xì)的導(dǎo)線,并一端接地3.在初級兩端子各接一交流電容(不是電解電容)電容的另一端接地,后兩種方法所起的作用與第一種方法類似,最后這種方法要在線路上做些文章,不一定整機技術(shù)人能接受。磁屏蔽則在EI變壓器外,加一軟磁材料的外殼、使外界的磁場停留在外殼上,加了以后雖然作用不同效果相當(dāng)于環(huán)型變壓器,根據(jù)效果的要求不同,可加一層也有要加多層的,有的還要求多層中加銅殼或在磁殼上鍍一層銅。銅的作用是當(dāng)磁力線通過時,產(chǎn)生渦流阻止磁力線通過。
學(xué)習(xí)了
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2011-11-03 20:49
@GreenEnergy
第2種繞法效果欠佳。

第一種也不是太好,如果用PQ骨架做的話,VCC電壓變?nèi)A會很大搞不好低壓時VCC會保護.可以試下我們勵致的 IC哦 EMC 效果比市場上共板IC都要好幾個DB!

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2011-11-04 15:34
@隱形專家
 屏蔽可分為電屏蔽與磁屏蔽,電屏蔽主要的作用是將初級來的干涉信號與次級隔離開來,可采用三種方式進行屏蔽1。在初、次級之間包一層銅箔,但頭尾不能短路,銅箔要接地,這樣在初級繞組與銅箔之間形成電容,干涉信號通過電容--銅箔—接地形成回路,不能進入次級繞組起到電屏蔽的作用2.在初、次級之間繞一層細(xì)的導(dǎo)線,并一端接地3.在初級兩端子各接一交流電容(不是電解電容)電容的另一端接地,后兩種方法所起的作用與第一種方法類似,最后這種方法要在線路上做些文章,不一定整機技術(shù)人能接受。磁屏蔽則在EI變壓器外,加一軟磁材料的外殼、使外界的磁場停留在外殼上,加了以后雖然作用不同效果相當(dāng)于環(huán)型變壓器,根據(jù)效果的要求不同,可加一層也有要加多層的,有的還要求多層中加銅殼或在磁殼上鍍一層銅。銅的作用是當(dāng)磁力線通過時,產(chǎn)生渦流阻止磁力線通過。
菜鳥學(xué)習(xí)了,太精辟了
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2011-11-04 15:36
@隱形專家
不論是軍品還是民品都會遇到要求低噪音變壓器的電路,如火車在高速運行,像Z23/Z24這趟車一走就是12小時,怎樣檢測軸承溫度?不能停車檢測,軸承溫度過高造成抱閘是要出事故的,檢測軸承溫度的信號夠弱的,若不在變壓器上下功夫,能行嗎?

聽課,頂一下

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