要隔離，功率約為幾十瓦都行。
有人能做輸入電壓500V~2500V，輸出電壓幾十V的直流電源嗎
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，用小電容時無事，用在單元電容時跑到第三天時炸的，主要是光耦不行@北方人
老兄，我也在做，是不是高壓變頻單元側(cè)高壓取能呀！隔離要求6000V主要是器件難呀，常用的隔離光耦（AC5000V）在長期2500V工作下，根本不行的。我炸過，很慘，不是100%炸，不過這樣更可怕！想想2500V或3000V短路的樣子，隔一條街都聽到了[圖片]，用小電容時無事，用在單元電容時跑到第三天時炸的，主要是光耦不行我和廠家溝通過，標(biāo)注的隔離5000V光耦，長期工作只能在1400V以內(nèi)IXYS的IGBT或場管可用，但供貨周期之長，瘋呀（半年算短的）
目前我能想到的較好方案為三電平工作方式，單管應(yīng)力為輸入電壓的一半，整體發(fā)熱量小，反饋可用二個光耦串聯(lián)以加大隔離值。輸入EMI為多槽變壓器繞成，中間留有一定的空隙，耐壓最好10kv/min。
此電源成本效率不用考慮，重點是可靠，在電網(wǎng)電壓突變時能保證可靠運行。
還一重點應(yīng)為輸入電壓寬 ，以保證在單元電容放電到很低時控制系統(tǒng)還能正常的工作。最好300----2500 或600---2500
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@北方人
老兄，我也在做，是不是高壓變頻單元側(cè)高壓取能呀！隔離要求6000V主要是器件難呀，常用的隔離光耦（AC5000V）在長期2500V工作下，根本不行的。我炸過，很慘，不是100%炸，不過這樣更可怕！想想2500V或3000V短路的樣子，隔一條街都聽到了[圖片]，用小電容時無事，用在單元電容時跑到第三天時炸的，主要是光耦不行我和廠家溝通過，標(biāo)注的隔離5000V光耦，長期工作只能在1400V以內(nèi)IXYS的IGBT或場管可用，但供貨周期之長，瘋呀（半年算短的）
看你功率mos管有1700v igbt 3300v
不考慮體積的話應(yīng)該難度不高把
隔離用磁隔離就好不要用光歐
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