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60W電源原因分析，請高手協(xié)助解答。。。

1.       mos Q110(11A/650V)擊穿，R215/R214 OPEN， PWM IC U210損壞（PIN2 FB短路），確認錫面均無異常狀況，而且維修好後測試零件STRESS降額都符合。請高手幫忙解釋下為何會出現(xiàn)這種失效模式？

2.       PWM IC U210單獨損壞（PIN6 SENSE短路）。

             以上IC型號是SG6742MRSY，電源是60W，12V/5A，IC以及局部線路如附件，請高手解釋分析下。謝謝

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2011-11-15 15:20
木油附件的說
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2011-11-15 16:26
@edie87@163.com
木油附件的說

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2011-11-15 16:27
@edie87@163.com
木油附件的說
sorry ,如附件！
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2011-11-15 16:28
@dongyang1217
sorry,如附件！
    
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2011-11-15 16:36
@dongyang1217
[圖片] [圖片] [圖片] [圖片] 

從原理圖上看沒問題

你是在什么情況下炸機的,MOS管的溫度會不會太高了?

工作頻率是多少?VDS是否抖動得厲害?

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amonson
LV.8
7
2011-11-15 18:18
是生產(chǎn)線上單個失效還是在實驗室測試？是某個條件必掛還是偶爾來一次？各種輸入輸出條件的工作波形？關鍵器件的工作溫度？啥都沒有，猜都不好猜啊。。。
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cheng111
LV.11
8
2011-11-15 18:59
@dongyang1217
[圖片] [圖片] [圖片] [圖片] 
IC不用供電嘛？怎么沒有看到
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2011-11-16 18:35
@amonson
是生產(chǎn)線上單個失效還是在實驗室測試？是某個條件必掛還是偶爾來一次？各種輸入輸出條件的工作波形？關鍵器件的工作溫度？啥都沒有，猜都不好猜啊。。。

老化環(huán)境溫度５０度８小時后發(fā)生失效，如下是９０Ｖ開機電流波形，請協(xié)助！ 

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2011-11-16 18:38
@edie87@163.com
從原理圖上看沒問題你是在什么情況下炸機的,MOS管的溫度會不會太高了?工作頻率是多少?VDS是否抖動得厲害?
老化環(huán)境溫度５０度８小時后發(fā)生失效，工作波形還正常，如下是２６４ＶＡＣ輸入的波形， 
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amonson
LV.8
11
2011-11-16 19:01
@dongyang1217
老化環(huán)境溫度５０度８小時后發(fā)生失效，如下是９０Ｖ開機電流波形，請協(xié)助！[圖片] 
從上面的波形看，驅動電壓上升很慢，開關損耗可能比較大，給FET點個溫，看看是不是高溫下熱死了。
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cheng111
LV.11
12
2011-11-16 21:17
@dongyang1217
老化環(huán)境溫度５０度８小時后發(fā)生失效，工作波形還正常，如下是２６４ＶＡＣ輸入的波形，[圖片] 
這個波形很漂亮，是不是溫度太集中了。
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2011-11-16 21:39
@amonson
從上面的波形看，驅動電壓上升很慢，開關損耗可能比較大，給FET點個溫，看看是不是高溫下熱死了。

FET之前有點過溫，最高約在83度左右，這個最高SPEC也在150度，這樣來看溫度對其影響不是很大。

目前較困惑的是：1.單獨IC掛了。2.MOS 以及旁臨的SENSE電阻也壞，伴隨IC也掛。

請幫忙從這失效模式進行分析下。另外可否提供分析思路供參考？急盼，感謝！

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amonson
LV.8
14
2011-11-16 21:50
@dongyang1217
FET之前有點過溫，最高約在83度左右，這個最高SPEC也在150度，這樣來看溫度對其影響不是很大。目前較困惑的是：1.單獨IC掛了。2.MOS以及旁臨的SENSE電阻也壞，伴隨IC也掛。請幫忙從這失效模式進行分析下。另外可否提供分析思路供參考？急盼，感謝！
如果是25度條件下83度，那么50度時就在108度左右了，殼體到內(nèi)部結點的熱阻多少？因為你這個情況看起來最可能的原因就是電感飽和或者FET先死掉造成的問題。磁芯的溫度測了沒？高溫下有沒有飽和的風險？如果每次都壞，那么就抓一個損壞瞬間的波形Vds,Vgs,Vsense這幾個點都測一下，用單次觸發(fā)Vsense，觸發(fā)電平略高于正常工作時的最高點。
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443233785
LV.6
15
2011-11-16 22:57

FB短路，且燒機8小時后失效，從這個可以看、出

1.變壓器發(fā)生磁飽和，因你的開機電流波形看不到所以無法做判斷

2.過載造成

以下炸機失效的過程：

當Q110處于軟擊穿狀態(tài)時，IC未來的及切斷GATA，造成第二次高壓沖擊后擊穿DS（有時三腳都擊穿），電流流經(jīng)方向會損壞R215、R216、R214及IC

不知道你MOS的溫度是50度測試的還是25度？你所說的SPEC在150度，但結溫應該不是150度吧？

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ffgmling
LV.4
16
2011-11-16 23:10
@cheng111
這個波形很漂亮，是不是溫度太集中了。

這個波形是工作于什么模式的？開關頻率又是多少？

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ffgmling
LV.4
17
2011-11-17 23:43
@ffgmling
這個波形是工作于什么模式的？開關頻率又是多少？

高手在那里？

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