前排頂起......

軍長你好，我最近想自己做個電源，各種設(shè)計參數(shù)如下：

VinDC：300~800Vdc

Vout1:6.8V/1A,Vout2:15V/0.3A,Vout3~Vout5:15V/0.13A (3路)，,Vout6:24V/0.2A

f：100KHz

反激拓?fù)?/p>

（注：Vout1 6.8V 加LDO后給CPU供電。Vout3~6 給IPM驅(qū)動用。）

Q1、請問我該把變壓器設(shè)計成DCM還是CCM？

Q2、還有應(yīng)該選擇那路作為反饋回路？

這個電壓范圍要求并不是太寬，但做6路輸出，特別是不共地的輸出還是有一定的難度，但根據(jù)我的經(jīng)驗來說，此類電源對效率、成本要求不會很高，反而對可靠性要求極高，所以在設(shè)計的時候重心要偏向與保證可靠性方面

對于你的問題，結(jié)合我的經(jīng)驗，給你如下建議：

1、變壓器還是按照CCM模式來設(shè)計，當(dāng)然要考慮輸入電壓的變化，變壓器不能太小

2、一般的原則都是選擇輸出功率最大的繞組作為主反饋回路，有時也要看系統(tǒng)對哪組電壓的精度要求更高，也可以在次級加入二次穩(wěn)壓來保證電壓精度

多謝支持！

請多多參與討論，大家共同提高

謝謝 軍長

我初步想用15V/0.3A 這一路做反饋回路，6.8V/1A,24V/0.2A 采用在次級加入二次穩(wěn)壓（LDO或三端穩(wěn)壓器）。電源芯片采用UC3842，電流模式，CCM。MosFET采用2SK2225（1500V），Vor設(shè)定為100V（不知道是否合理？）。

  我先計算下，變壓器計算公式參考《精通開關(guān)電源設(shè)計》，過會把結(jié)果貼上來，還望軍長指點下。

原理圖如下

交調(diào)是個永恒的難題，一般都是依靠調(diào)整變壓器的繞制工藝來改善，但多路輸出的電源不要指望有低于10%的調(diào)整率，除非增加二次穩(wěn)壓

從原理圖看不出什么問題的，關(guān)鍵是在調(diào)試的時候，你自己多繞制幾個變壓器，慢慢的就有體會了

Ipk=Vin*ton/Lp

在Vin*ton相同的情況下，CCM的初級電感量要求是明顯大于DCM的，所以說峰值電流更大些

你也可以去測試不同模式下的初級電流波形，得到一個量化的概念，你將會理解得更深刻些

看來是我的切入點不同，我是針對同一個變壓器去考慮的

Ipk=Vin*ton/Lp ，這個是電流增量呀

先標(biāo)記下，等下來提問

冰版，剛才看了你講的 反激變壓器工程設(shè)計  的文檔，第一個問題出現(xiàn)了，下面你將的這個  安規(guī)與EMI的考慮  的這個范例圖，看的是似懂非懂的。因為平時做實驗這一塊也沒有注意過，實際也沒有測試過。請冰版再詳細(xì)分析一下這個圖。共模電流與差模電流的流向問題。

是電流增量沒錯，但是你從伏秒平衡去考慮下！

既然是增量，那么在CCM模式下的直流部分呢，要實現(xiàn)同等能量的傳輸，CCM的峰值電流必須更高，否者剩余在變壓器里的能量從何而來，當(dāng)感量增加時，Ipk將會減小，這時就要取決于電流紋波率r的大小了，當(dāng)r取的較小時，Ipk勢必要更大，請參考附圖！

先頂冰版

再請教：文檔里說的“加大初次級之間的距離，但這又會增大漏感”，這個再別的地方也有看到，尤其是LLC變壓器，初級繞組和次級繞組加距離來增漏感。

不明白其中緣由，距離加大怎么增的漏感？

其實這也是個參考方向而已！你需要弄清楚共模跟差模的概念

干擾電流一般都是從電容流過，因為其阻抗小

漏感的大小決定其耦合程度，而耦合程度決定其磁力線的匝鏈多少。

距離越近，那么繞組的耦合程度越高，相互匝鏈的磁力線就越多，相應(yīng)的漏感就越小了，反之亦然。

看來哪方面都薄弱啊。冰版，關(guān)于EMI方面的資料或者書籍，推薦點。什么方面都需要補(bǔ)啊。

我發(fā)的那個反饋環(huán)路方面的，也是你給我說的，讓我看bode大師的帖子，但是里面也涉及的一些基礎(chǔ)東西，看了第一篇發(fā)現(xiàn)很多都不懂啊，只能從最基礎(chǔ)的補(bǔ)補(bǔ)，然后在翻過去看看帖子。這樣才有收獲吧。

EMI的資料有很多，有一本是屬于實戰(zhàn)的，具體書名忘記了（在上海還沒有拿過來），論壇里CMG也有非常精彩的帖子，你去搜搜看

恩，謝謝冰版。要向你們學(xué)習(xí)??！看到你們有動力也有壓力！努力....