以下電容的各種用法,那位前輩可以配圖,謝謝!
好幾種我不懂.
電容器在不同電路中的名稱和作用
電容器是一種儲能元件,具有“隔直通交,陰低頻通高頻”的特性,人們?yōu)榱苏J識和鑒別不同電路中的電容器,根據(jù)其在線路中的作用而給它起了許多名稱,了解這些名稱和作用,對讀圖是墊腳有幫助的.下面介紹一些常用名稱的含義.
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1、濾波電容
它并接在電路正負極之間,把電路中無用的交流電流去掉,一般采用大容量電解電容器,也有采用其他固定電容器的.
2、退耦電容
并接于電路正負極之間,可防止電路通過電源內阻形成的正反饋通路而引起的寄生振蕩.
3 、耦合電容
連接于信號源和信號處理電路或兩級放大器之間,用以隔斷直流電,讓交流電或脈動信號通過,使相信的放大器直流工作點互不影響.
4、旁路電容
并接在電阻兩端或由某點直接跨接至共用電信為交直流信號中的交流或脈動信號設置一條通路,避免交流成分在通過電阻時產生壓降.
5、中和電容
連接于三極管基極與集電極之間,用于克服三極管極間電容而引起的自激振蕩.
6、槽路電容(調諧電容)
連接于諧振電路或振蕩電路線圈兩端的電容.
7、墊整電容
在電路在能使振蕩信號的頻率范圍減小,而且顯著提高低頻端振蕩頻率的電容,它是與槽路主電容串聯(lián)的.
8、補償電容
在振蕩電路中,能使振蕩信號的頻率范圍得到擴大的電容,它與主電容并聯(lián)起輔助作用.
9、逆程電容
并接在行輸出管集電極與發(fā)射極之間,用來產生行掃描鋸齒波逆程的電容.
10、自舉升壓電容
利用其儲能來提升電路由某的電位,使其電位值高于為該點供電的電源電壓.
11、“S”校正電容
串接于偏轉線圈回路中,用于校正兩邊延伸失真.
12、穩(wěn)頻電容
在振蕩電路中,用來穩(wěn)定振蕩頻率的電容.
13、定時電容
在RC定時電路中與電阻R串聯(lián)共同決定時間長短的電容.
14、降壓限流電容
串接于交流電路中用于它對交流電的容抗進行分壓限流.
15、縮短電容
這種電容是在UHF高頻頭中為了縮短振蕩電感的長度而串接的電容.
16、克拉潑電容
在電容三點式振蕩電路中,串接在振蕩電感線圈的電容,為了水運晶體管結電容的影響,提高頻率穩(wěn)定性.
17、錫拉電容
在電容三點式振蕩電路中,并接在振蕩電感線圈兩端的電容,為了消除晶體管結電容的影響,使其振蕩頻率越就越容易起振.
18、加速電容
接在振蕩反饋電路中,使正反饋過程加速,提高振蕩幅度.
19、預加重電容
為了防止音頻調制信號在調制時可能使高頻分量產生衰減或丟失,而適當提升高頻分量的RC網絡中的電容.
20、去加重電容
對音頻信號中經預加提升的那部分高頻分量連同噪音一起衰減掉,恢復伴音信號的本來面貌的RC網絡中的電容.
21、穩(wěn)幅電容
在鑒頻器中,用來穩(wěn)定輸出信號幅度.
22、消亮點電容
在顯像管附屬電路中,用以消除關機亮點的電容.
23、移相電容
用來改變交流電信號相位的電容.
24、反饋電容
跨接于放大器的輸入與輸出端用來反饋信號的電容
25、軟啟動電容
通常接在電源開關管基極的,防止開機時加在開關基極的浪涌電流或電壓太大而損壞開關管.
26、啟動電容
串接于單相電機副繞組,為電機副繞組提供啟動用的移相交流電流,電機運轉正常時與副繞組斷開.
27、運轉電容
串接于單相電機副繞組,為電機副繞組提供移相交流電流,電機運轉正常時與副繞組仍串于電路中.
電容器在不同電路中的名稱和作用
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@zimingluo
不錯,辛苦了,喝杯茶吧,專業(yè)生產電容器,感覺自己知識太少了,多謝!
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我來補充一點:
交流安規(guī)瓷介電容器
用于防止電子設備交流回路中的天線電波干擾,防止家用電器等設備的電源噪聲,防止設備出現(xiàn)故障時產生觸電等電子產品中.
高頻低壓瓷介電容器
CC1系列為一類高頻低壓瓷介電容器,用在低損耗和電容量高穩(wěn)定性的地方或用在要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的地方.
如:諧振回路、高頻旁路、溫度補償、控制電路時間常數(shù)的元件,穩(wěn)定性要求高的耦合元件.
CC81系列為一類高頻高壓瓷介電容器,用于UR≥0.63KV以上的高壓諧振電路中,或用在低損耗和電容量穩(wěn)定性的地方或用在要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的地方.
CT1系列為二類低頻帶低壓瓷介電容器,用于對tgs值和容量穩(wěn)定性要求不高的電器中,如低頻、耦合、濾波、退耦等,亦可用作控制電路的時間常數(shù)元件.
CT81系列為二類低頻高壓瓷介電容器.用于高壓旁路和耦合電路中,介電常數(shù)大,容量大、損耗低.
CS1系列——三類低頻低壓瓷介電容器
用于超高頻,甚高頻電路中作寬帶旁路耦合之用,具有介電常數(shù)高、體積小、容量大的特點.
CT82系列——超高壓瓷介電容器
多用于對耐壓有超高要求的高壓旁路中.具有體積小、耐溫、耐濕性能好,損耗低的特點.
圓板型陶瓷電容器溫度補償型(CLASS-I)
電器特性: 設計並用在低損耗﹑穩(wěn)定性高或要求溫度係數(shù)有明顯規(guī)定的諧振電路中的電容器.具有高品質因素﹑高穩(wěn)定性(溫度變化率低).
主要特性 靜電容量﹕
測試條件 1MHz 1.0V~5.0Vrms. 25±3℃
容量範圍 0.5pF~1200pF
誤差判定 誤差代字 C D J K M
允許誤差 ±0.25pF ±0.5pF ±5% ±10% ±20%
品質因數(shù)﹕
測試條件 溫度特性 容量範圍 判定標準
1MHz /1.0Vrms.
25±3℃ NPO~N750
S2L(SL) C≧30pF Q≧1000
C<30pF Q≧400+20C
N3300~N4700
S3N(YN) C≧30pF Q≧500
C<30pF Q≧200+10C
絕緣電阻﹕
額定電壓分類 測試電壓/時間 判定標準
額定電壓≦50V 10V/1分鐘 10,000MΩ以上
額定電壓≧500V 500V/1分鐘
耐壓測試﹕
額定電壓分類 測試電壓 測試時間 充放電流
R.W<1KV R.W×2.50 1~5秒 <50mA R.W=KV
R.W×2.00 R.W>1KV R.W×1.75 R.W≧3KV R.W×1.50 R.W≧10KV R.W×1.20
圓板型陶瓷電容器高介電常數(shù)型(CLASS-II)
是一種高介電常數(shù)(高誘電率)電容器﹐設計使用在旁路或藕合之電路中.非線性的溫度特性--靜電容量變化率.
圓板型陶瓷電容器半導體型(CLASS-III)
是一種半導體特性之電容器﹐設計使用在低壓旁路或藕合之電路中. 非線性的溫度特性--靜電容量變化率.
圓板型陶瓷電容器放電型
是一種用于高壓放電之電容器﹐設計使用在保護電路中.
圓板型陶瓷電容器低損失角型
是一種低損失角(低散逸因數(shù))電容器﹐設計使用在電視/監(jiān)視器水平電路及其他高頻﹑高壓之電路中.低損失角(低散逸因數(shù))﹑低發(fā)熱﹑高耐壓.
安規(guī)電容(AC電容)
一種主要設計用於工作頻率交流電壓之電路中﹐可用來降低電器﹑電子設備或其他干擾源所產生電磁干擾的電容器
交流安規(guī)瓷介電容器
用于防止電子設備交流回路中的天線電波干擾,防止家用電器等設備的電源噪聲,防止設備出現(xiàn)故障時產生觸電等電子產品中.
高頻低壓瓷介電容器
CC1系列為一類高頻低壓瓷介電容器,用在低損耗和電容量高穩(wěn)定性的地方或用在要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的地方.
如:諧振回路、高頻旁路、溫度補償、控制電路時間常數(shù)的元件,穩(wěn)定性要求高的耦合元件.
CC81系列為一類高頻高壓瓷介電容器,用于UR≥0.63KV以上的高壓諧振電路中,或用在低損耗和電容量穩(wěn)定性的地方或用在要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的地方.
CT1系列為二類低頻帶低壓瓷介電容器,用于對tgs值和容量穩(wěn)定性要求不高的電器中,如低頻、耦合、濾波、退耦等,亦可用作控制電路的時間常數(shù)元件.
CT81系列為二類低頻高壓瓷介電容器.用于高壓旁路和耦合電路中,介電常數(shù)大,容量大、損耗低.
CS1系列——三類低頻低壓瓷介電容器
用于超高頻,甚高頻電路中作寬帶旁路耦合之用,具有介電常數(shù)高、體積小、容量大的特點.
CT82系列——超高壓瓷介電容器
多用于對耐壓有超高要求的高壓旁路中.具有體積小、耐溫、耐濕性能好,損耗低的特點.
圓板型陶瓷電容器溫度補償型(CLASS-I)
電器特性: 設計並用在低損耗﹑穩(wěn)定性高或要求溫度係數(shù)有明顯規(guī)定的諧振電路中的電容器.具有高品質因素﹑高穩(wěn)定性(溫度變化率低).
主要特性 靜電容量﹕
測試條件 1MHz 1.0V~5.0Vrms. 25±3℃
容量範圍 0.5pF~1200pF
誤差判定 誤差代字 C D J K M
允許誤差 ±0.25pF ±0.5pF ±5% ±10% ±20%
品質因數(shù)﹕
測試條件 溫度特性 容量範圍 判定標準
1MHz /1.0Vrms.
25±3℃ NPO~N750
S2L(SL) C≧30pF Q≧1000
C<30pF Q≧400+20C
N3300~N4700
S3N(YN) C≧30pF Q≧500
C<30pF Q≧200+10C
絕緣電阻﹕
額定電壓分類 測試電壓/時間 判定標準
額定電壓≦50V 10V/1分鐘 10,000MΩ以上
額定電壓≧500V 500V/1分鐘
耐壓測試﹕
額定電壓分類 測試電壓 測試時間 充放電流
R.W<1KV R.W×2.50 1~5秒 <50mA R.W=KV
R.W×2.00 R.W>1KV R.W×1.75 R.W≧3KV R.W×1.50 R.W≧10KV R.W×1.20
圓板型陶瓷電容器高介電常數(shù)型(CLASS-II)
是一種高介電常數(shù)(高誘電率)電容器﹐設計使用在旁路或藕合之電路中.非線性的溫度特性--靜電容量變化率.
圓板型陶瓷電容器半導體型(CLASS-III)
是一種半導體特性之電容器﹐設計使用在低壓旁路或藕合之電路中. 非線性的溫度特性--靜電容量變化率.
圓板型陶瓷電容器放電型
是一種用于高壓放電之電容器﹐設計使用在保護電路中.
圓板型陶瓷電容器低損失角型
是一種低損失角(低散逸因數(shù))電容器﹐設計使用在電視/監(jiān)視器水平電路及其他高頻﹑高壓之電路中.低損失角(低散逸因數(shù))﹑低發(fā)熱﹑高耐壓.
安規(guī)電容(AC電容)
一種主要設計用於工作頻率交流電壓之電路中﹐可用來降低電器﹑電子設備或其他干擾源所產生電磁干擾的電容器
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@xiangyi
我來補充一點:交流安規(guī)瓷介電容器用于防止電子設備交流回路中的天線電波干擾,防止家用電器等設備的電源噪聲,防止設備出現(xiàn)故障時產生觸電等電子產品中.高頻低壓瓷介電容器CC1系列為一類高頻低壓瓷介電容器,用在低損耗和電容量高穩(wěn)定性的地方或用在要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的地方.如:諧振回路、高頻旁路、溫度補償、控制電路時間常數(shù)的元件,穩(wěn)定性要求高的耦合元件.CC81系列為一類高頻高壓瓷介電容器,用于UR≥0.63KV以上的高壓諧振電路中,或用在低損耗和電容量穩(wěn)定性的地方或用在要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的地方.CT1系列為二類低頻帶低壓瓷介電容器,用于對tgs值和容量穩(wěn)定性要求不高的電器中,如低頻、耦合、濾波、退耦等,亦可用作控制電路的時間常數(shù)元件.CT81系列為二類低頻高壓瓷介電容器.用于高壓旁路和耦合電路中,介電常數(shù)大,容量大、損耗低. CS1系列——三類低頻低壓瓷介電容器用于超高頻,甚高頻電路中作寬帶旁路耦合之用,具有介電常數(shù)高、體積小、容量大的特點.CT82系列——超高壓瓷介電容器多用于對耐壓有超高要求的高壓旁路中.具有體積小、耐溫、耐濕性能好,損耗低的特點.圓板型陶瓷電容器溫度補償型(CLASS-I)電器特性:設計並用在低損耗﹑穩(wěn)定性高或要求溫度係數(shù)有明顯規(guī)定的諧振電路中的電容器.具有高品質因素﹑高穩(wěn)定性(溫度變化率低).主要特性 靜電容量﹕測試條件 1MHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃容量範圍 0.5pF~1200pF誤差判定 誤差代字 CDJKM允許誤差 ±0.25pF±0.5pF±5%±10%±20%品質因數(shù)﹕測試條件溫度特性容量範圍 判定標準 1MHz/1.0Vrms.25±3℃ NPO~N750S2L(SL) C≧30pFQ≧1000C
謝謝了,辛苦了!
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@xiangyi
我來補充一點:交流安規(guī)瓷介電容器用于防止電子設備交流回路中的天線電波干擾,防止家用電器等設備的電源噪聲,防止設備出現(xiàn)故障時產生觸電等電子產品中.高頻低壓瓷介電容器CC1系列為一類高頻低壓瓷介電容器,用在低損耗和電容量高穩(wěn)定性的地方或用在要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的地方.如:諧振回路、高頻旁路、溫度補償、控制電路時間常數(shù)的元件,穩(wěn)定性要求高的耦合元件.CC81系列為一類高頻高壓瓷介電容器,用于UR≥0.63KV以上的高壓諧振電路中,或用在低損耗和電容量穩(wěn)定性的地方或用在要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的地方.CT1系列為二類低頻帶低壓瓷介電容器,用于對tgs值和容量穩(wěn)定性要求不高的電器中,如低頻、耦合、濾波、退耦等,亦可用作控制電路的時間常數(shù)元件.CT81系列為二類低頻高壓瓷介電容器.用于高壓旁路和耦合電路中,介電常數(shù)大,容量大、損耗低. CS1系列——三類低頻低壓瓷介電容器用于超高頻,甚高頻電路中作寬帶旁路耦合之用,具有介電常數(shù)高、體積小、容量大的特點.CT82系列——超高壓瓷介電容器多用于對耐壓有超高要求的高壓旁路中.具有體積小、耐溫、耐濕性能好,損耗低的特點.圓板型陶瓷電容器溫度補償型(CLASS-I)電器特性:設計並用在低損耗﹑穩(wěn)定性高或要求溫度係數(shù)有明顯規(guī)定的諧振電路中的電容器.具有高品質因素﹑高穩(wěn)定性(溫度變化率低).主要特性 靜電容量﹕測試條件 1MHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃容量範圍 0.5pF~1200pF誤差判定 誤差代字 CDJKM允許誤差 ±0.25pF±0.5pF±5%±10%±20%品質因數(shù)﹕測試條件溫度特性容量範圍 判定標準 1MHz/1.0Vrms.25±3℃ NPO~N750S2L(SL) C≧30pFQ≧1000C
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