看到很多資料寫的是通過調(diào)整原邊主開關(guān)管的驅(qū)動信號,提前開通和延后關(guān)斷同步整流MOSFET,使得其在死區(qū)時間內(nèi)照常開通。因為死區(qū)時間內(nèi)副邊電壓為零,因此實現(xiàn)了ZVS。
但是實際情況是,在開通同步整流MOSFET前,它的體二極管肯定是導(dǎo)通的,這樣的話MOSFET嵌位在0.7V,這樣能算是ZVS嗎?
求教了!
看到很多資料寫的是通過調(diào)整原邊主開關(guān)管的驅(qū)動信號,提前開通和延后關(guān)斷同步整流MOSFET,使得其在死區(qū)時間內(nèi)照常開通。因為死區(qū)時間內(nèi)副邊電壓為零,因此實現(xiàn)了ZVS。
但是實際情況是,在開通同步整流MOSFET前,它的體二極管肯定是導(dǎo)通的,這樣的話MOSFET嵌位在0.7V,這樣能算是ZVS嗎?
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這是副邊同步整流管的驅(qū)動波形和原邊開關(guān)管驅(qū)動波形前沿和后沿之間相對關(guān)系的一種講法。
提前開通:在一次側(cè)由0狀態(tài)向1狀態(tài)轉(zhuǎn)換之前,就把同步整流的相應(yīng)的那個整流管先打開,而把另外的一個關(guān)閉;避免二次側(cè)同步整流管互通。
延時關(guān)斷:在一次側(cè)驅(qū)動波形沒有了以后,變壓器處于0狀態(tài)續(xù)流,為了降低損耗,這時候副邊同步整流管還需要保持開通到下一個1狀態(tài)到來之前的一個很短暫的時間。
至于ZVS,開通時可以按照這個理解。但是實際上,MOS寄生電容上的能量在1-0狀態(tài)轉(zhuǎn)換的過程中被白白浪費掉了。