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誰(shuí)試過(guò)用磁環(huán)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管工作的電子鎮(zhèn)流器

對(duì)于普通半橋串聯(lián)電路,想用磁環(huán)來(lái)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管工作的電子鎮(zhèn)流器,但技術(shù)有限,初試多次只是看到燈管閃一下,就是DB3每觸發(fā)一次,燈管就閃一下.已無(wú)從入手了,請(qǐng)高手出出主意.感謝感謝!
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ebenshi
LV.8
2
2006-03-18 21:24
MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)性元件,磁環(huán)驅(qū)動(dòng)繞組匝數(shù)相對(duì)于三極管驅(qū)動(dòng)匝數(shù)要多,一般在10-15T左右.
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wuhxl
LV.5
3
2006-03-21 17:18
@ebenshi
MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)性元件,磁環(huán)驅(qū)動(dòng)繞組匝數(shù)相對(duì)于三極管驅(qū)動(dòng)匝數(shù)要多,一般在10-15T左右.
磁環(huán)匝數(shù)12T:2T:12T,這兩天沒(méi)有調(diào)試.還有哪一位路過(guò)的、走過(guò)的行家能指點(diǎn)指點(diǎn),準(zhǔn)備再調(diào)試一下.
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2006-03-21 18:23
@wuhxl
磁環(huán)匝數(shù)12T:2T:12T,這兩天沒(méi)有調(diào)試.還有哪一位路過(guò)的、走過(guò)的行家能指點(diǎn)指點(diǎn),準(zhǔn)備再調(diào)試一下.
以前使用14:2:14,但是這個(gè)不是一定的.要看你使用的磁環(huán)參數(shù),以及整體的線路參數(shù).你要是想讓別人幫你的話,我想最好給出多一點(diǎn)的參數(shù),還有的是你MOS的(大概)驅(qū)動(dòng)電路.這樣也利于給出合理的建議!!
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wwp3329
LV.4
5
2006-03-21 18:25
@wuhxl
磁環(huán)匝數(shù)12T:2T:12T,這兩天沒(méi)有調(diào)試.還有哪一位路過(guò)的、走過(guò)的行家能指點(diǎn)指點(diǎn),準(zhǔn)備再調(diào)試一下.
磁環(huán)串連在主回路,在雙極性的三極管中起電流互感器的作用,理想情況下I1×T1=I2×T2;MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)性元件, 磁環(huán)串連在主回路起電量變換器的作用,理想情況下U2=I2×R,具體計(jì)算還需許多參數(shù).
    比較簡(jiǎn)單的方法是測(cè)量磁環(huán)初極的電壓,再依據(jù)次極所需電壓計(jì)算次極的匝數(shù).
    另一種方法是在你使用的磁環(huán)匝數(shù)12T:2T:12T基礎(chǔ)上再增加次極匝數(shù)或減少初極匝數(shù)直至可以正常工作為止.注意:最好在MOSFET柵源間并聯(lián)15-18v左右的穩(wěn)壓管保護(hù)MOSFET.
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wwp3329
LV.4
6
2006-03-21 18:34
@凌峰1979
以前使用14:2:14,但是這個(gè)不是一定的.要看你使用的磁環(huán)參數(shù),以及整體的線路參數(shù).你要是想讓別人幫你的話,我想最好給出多一點(diǎn)的參數(shù),還有的是你MOS的(大概)驅(qū)動(dòng)電路.這樣也利于給出合理的建議!!
I1×T1=I2×T2;U2=I2×R
發(fā)到網(wǎng)上下標(biāo)變形了,文字表述如下:
I1×T1=I2×T2  初級(jí)電流乘初極匝數(shù)等于次級(jí)電流乘次級(jí)匝數(shù).
U2=I2×R      次級(jí)電壓等于次級(jí)電流乘次級(jí)電阻(阻抗).
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ty48
LV.7
7
2006-03-21 19:02
@ebenshi
MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)性元件,磁環(huán)驅(qū)動(dòng)繞組匝數(shù)相對(duì)于三極管驅(qū)動(dòng)匝數(shù)要多,一般在10-15T左右.
很對(duì),而且磁環(huán)較大,綜合因子要高,最少800以上,
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2006-03-23 16:11
@ty48
很對(duì),而且磁環(huán)較大,綜合因子要高,最少800以上,
基極前加一個(gè)8550三極管
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tuvccc
LV.6
9
2006-03-24 13:11
@lingming2005
基極前加一個(gè)8550三極管
好!!!!!!!!!!!!!!11
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ty48
LV.7
10
2006-03-24 19:00
@tuvccc
好!!!!!!!!!!!!!!11
加速用嗎?有很大的改善嗎?還是做成過(guò)流保護(hù)?那可沒(méi)有從根本上解決問(wèn)題哦!
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hm80
LV.4
11
2006-03-25 12:51
@凌峰1979
以前使用14:2:14,但是這個(gè)不是一定的.要看你使用的磁環(huán)參數(shù),以及整體的線路參數(shù).你要是想讓別人幫你的話,我想最好給出多一點(diǎn)的參數(shù),還有的是你MOS的(大概)驅(qū)動(dòng)電路.這樣也利于給出合理的建議!!
不一定阿,我試過(guò)3:22:3也能點(diǎn)亮
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wuhxl
LV.5
12
2006-03-29 20:50
感謝大家的支持,雖然力量很少,但在夠精.試了一個(gè)OK的方式:常用的磁環(huán)18T:2T:18T,輸入30W輸出電感用1.2mH,諧振電容4N7.其實(shí)沒(méi)有什么神秘.
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tuvccc
LV.6
13
2006-03-30 11:19
@wuhxl
感謝大家的支持,雖然力量很少,但在夠精.試了一個(gè)OK的方式:常用的磁環(huán)18T:2T:18T,輸入30W輸出電感用1.2mH,諧振電容4N7.其實(shí)沒(méi)有什么神秘.
14:5:14T  10*6*5磁芯
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樹袋熊
LV.2
14
2009-06-29 23:49
@tuvccc
14:5:14T  10*6*5磁芯
我有用12:12:2的磁環(huán)做過(guò)AC100V的MOS管鎮(zhèn)流器電路,能工作,但是工作一會(huì)管子就會(huì)熱死個(gè)把人.
用三極管做的AC100V的電路也是工作一會(huì)就燙,不明白為什么?是管子開關(guān)時(shí)間跟不上呢?還是磁環(huán)參數(shù)不對(duì)?請(qǐng)高手指點(diǎn)一二.
電路構(gòu)造如附圖 2358641246290174.pdf 2358641246290198.pdf 2358641246290357.pdf
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