學習了；

C8樓主的耐壓值標錯了；上面那一路光耦干什么用的？

輸出端的電流檢測應該可以通過R11檢測吧？？

原邊輔助繞組整流不應該串電感

或者在電感之前再加一個電容

C5處應再并一個107電解電容

感覺C15起不到微分補償?shù)淖饔?/p>

注意：

1　　R15 R20 給光耦偏置了一個最小電流

　　還有，他們的存在，使得 電壓/電流調(diào)節(jié) 會產(chǎn)生凈差。

2　　C18 會使限流環(huán)路變得遲緩，且可能引起不穩(wěn)定。

恩。是的。我弄錯了，沒檢查，結(jié)果調(diào)試的時候把這個電容給炸掉了。悲劇

上面的光耦是我用來外部MCU控制的

非常感謝您給提供的建議。對我來說挺有幫助的。

輔助繞組確實畫的不是很好，等下我按照您給的提議試驗下，因為現(xiàn)在的電路正好輔助繞組電壓只有11V，無法使得3844正常工作，也沒有任何輸出了。

R15，R20可以減小低頻增益的，不過我沒有注意到會使得電壓電流調(diào)節(jié)產(chǎn)生凈差，非常感謝。

C18我去掉看看，本來加著只是想濾除高頻噪聲的

請教一下，3844的反饋腳怎么接地了呢？那占空比不總是很大？

由于這個電感的存在

使得輔助電源電壓無法與輸出繞組同步

因此輔助供電電壓不足、甚至無法工作。

另：建議在運放的正負端加一個100P的電容，以增加抗干擾能力。

你看看這里。我把VFB接地，就直接使得COMP腳輸出高電平了。占空比可以通過COMP拉低來調(diào)節(jié)

 去掉這個電感后，再放個電解電容就可以工作了。

另外這個電容是加在2,3,5,6腳上每個都加一個嗎

2－3 加一個

5－6 加一個

共2個

另外：R4檢測的脈沖波形，限流調(diào)節(jié)可能有問題，同時也使輸出產(chǎn)生了共模干擾。

　　應該 放在電容之后。

　　最好把接地點放在最后（反饋邏輯要變）然后在最后再加一個輸出電容（高頻）

　　這樣，電壓反饋的最輸出端，電壓更精確。

明白，多謝了

這樣可以不。然后這個L1和C20的衰減以及L和C的大小怎么計算哈

這樣可以，不過，輸出電壓會有電流取樣的誤差在里面

這個L1 和 C20 的計算到不怎么重要，看他們對某一頻率的衰減情況，可以用復數(shù)

　　阻抗 按 電阻分壓的方式計算，

　　感抗：jωL

　　容抗：1/（jωC）

C4也可按這個思路計算：充一次電，在下一次充電之前，在滿電流輸出時，

　　其電壓（因放電）跌落多少？

　　公式： I dt = C du

輸出電壓到?jīng)]關系的。這個電源的開通和關斷不是通過自身來控制的。是由單片機根據(jù)外面負載電壓控制這個電源開關的。所以電壓精度關系不大，甚至于都可以不要這個電壓比較器呵呵

現(xiàn)在輔助繞組的電壓居然有27V。。。這么高的電壓我怕會燒掉MOS管和IC的啊。然后次級12V繞組電壓測量出來也有14V多了，這還是在加了一個穩(wěn)壓管的情況下的電壓值。

變壓器參數(shù)是磁芯EFD20，AE=31,AP=0.155。NP=50，5V繞組NS=10T,12V繞組NS2=20，輔助繞組NR=30。怎么會測量出來電壓那么高的呀。

輔助繞組 與 5V 繞組 耦合不夠緊密（有漏感）所致

不過問題不是很大

我是先繞NP,再繞5V，然后繞12V,最后才繞18V的

居然電壓值偏大了這么多。那我用大點的磁芯，每個繞組繞一層得話不曉得耦合是否好點?，F(xiàn)在用的EFD20偏小了，初級最里面繞了2層，次級5V也是連續(xù)的2層了

電容是100P （101） 不能再大了

電容的2個腳，一個接2  一個接3

這個對運放在噪聲環(huán)境中穩(wěn)定工作有利

如果你要追求緊密耦合，應該一起并繞。

輔助繞組分成3個繞組，與5V 繞組一起并繞10圈，再把輔助繞組的3個小繞組首尾相接，

注意：每個繞組的出線，一定要從繞組根部開始，以雙絞線的形式引出，

　　一直到焊接的位置。

　　繞組首尾相接時，縫隙越小越好。

問題找到了，是C8我改的太小了，放了個47UF/35V的，結(jié)果帶不起負載了。。

現(xiàn)在換上220UF的就好了。。。

小健義變壓器12V的繞組最好串在5V上這樣12V輸出會更穩(wěn)定

R15 R20 去掉后，電流變小是正常的，因為沒有靜差了。

去掉 C18 電流變大也是有可能的，

你用示波器看看，比較一下前后 限流時的輸出電壓的波動情況。