在學(xué)saber，覺(jué)得大約學(xué)學(xué)拓?fù)溥€可以，component太少了，要想模型準(zhǔn)確點(diǎn)就得自己建模，我想問(wèn)用Model Architect建mos的問(wèn)題
那三個(gè)電容曲線怎么弄的、body diode點(diǎn)進(jìn)去還有兩個(gè)電容，一般怎么設(shè)定
一句話就是怎么弄精確點(diǎn)啊
還有就是誰(shuí)有help文檔啊
SABER MOS Model Architect
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我也在弄這個(gè)問(wèn)題啊。 它里面的Id VS Ud、Id VS Ug、Rd這些曲線我弄好一個(gè)其他就跟住變了！我記得是保存了的啊。但好像是牽一發(fā)而動(dòng)全身。
關(guān)于樓主的問(wèn)題：你可以參看一個(gè)比較詳細(xì)的MOSFET的datesheet.pdf文檔，根據(jù)里面對(duì)MOS管里的相關(guān)曲線進(jìn)行繪制。點(diǎn)里面有個(gè)叫toggle什么XX的按鈕可以點(diǎn)出小黃球，然后方便拖動(dòng)曲線。至于體二極管的設(shè)置時(shí)和二極管建模是一樣的，漏電流、寄生電容、反向恢復(fù)時(shí)間等等來(lái)進(jìn)行設(shè)置的。但好像一般的datesheet不提供那么詳盡的內(nèi)容，所我覺(jué)得那個(gè)體二極管按照普通的來(lái)設(shè)置下好了。
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@chdolaki
我也在弄這個(gè)問(wèn)題啊。它里面的IdVSUd、IdVSUg、Rd這些曲線我弄好一個(gè)其他就跟住變了！我記得是保存了的啊。但好像是牽一發(fā)而動(dòng)全身。關(guān)于樓主的問(wèn)題：你可以參看一個(gè)比較詳細(xì)的MOSFET的datesheet.pdf文檔，根據(jù)里面對(duì)MOS管里的相關(guān)曲線進(jìn)行繪制。點(diǎn)里面有個(gè)叫toggle什么XX的按鈕可以點(diǎn)出小黃球，然后方便拖動(dòng)曲線。至于體二極管的設(shè)置時(shí)和二極管建模是一樣的，漏電流、寄生電容、反向恢復(fù)時(shí)間等等來(lái)進(jìn)行設(shè)置的。但好像一般的datesheet不提供那么詳盡的內(nèi)容，所我覺(jué)得那個(gè)體二極管按照普通的來(lái)設(shè)置下好了。
不要自己拖，輸入實(shí)測(cè)曲線，用他自帶的曲線擬合。
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@chdolaki
我也在弄這個(gè)問(wèn)題啊。它里面的IdVSUd、IdVSUg、Rd這些曲線我弄好一個(gè)其他就跟住變了！我記得是保存了的啊。但好像是牽一發(fā)而動(dòng)全身。關(guān)于樓主的問(wèn)題：你可以參看一個(gè)比較詳細(xì)的MOSFET的datesheet.pdf文檔，根據(jù)里面對(duì)MOS管里的相關(guān)曲線進(jìn)行繪制。點(diǎn)里面有個(gè)叫toggle什么XX的按鈕可以點(diǎn)出小黃球，然后方便拖動(dòng)曲線。至于體二極管的設(shè)置時(shí)和二極管建模是一樣的，漏電流、寄生電容、反向恢復(fù)時(shí)間等等來(lái)進(jìn)行設(shè)置的。但好像一般的datesheet不提供那么詳盡的內(nèi)容，所我覺(jué)得那個(gè)體二極管按照普通的來(lái)設(shè)置下好了。
這個(gè)一點(diǎn)也不會(huì)啊，您有教程之類(lèi)的嗎？給參考一下吧
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