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討論: DC-DC模塊電源設(shè)計和Layout中對效率和Thermal的綜合考慮

討論: DC-DC模塊電源設(shè)計和layout中對效率和thermal的綜合考慮
以上是本人的一些淺薄看法,請各位高手多加指導(dǎo),點(diǎn)評.多發(fā)表意見.

szrg兄在"DC/DC模塊電源簡介及常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)"這個貼子里面曾談到,對于1/4磚和1/8磚來說,效率是個重要問題. 現(xiàn)在就個人理解來淺談一下這個問題.
對于1/4磚和1/8磚,效率是個大問題.提高效率的目的是降低LOSS,但關(guān)鍵還是出于thermal考慮.一般情況下, 1/8磚一般情況下的正常散熱能力也就是7W左右.再往上就越來越吃力,散熱的設(shè)計也就更困難,風(fēng)速也會要求得越來越高, 否則只有犧牲功率的derating曲線.  按1/8磚輸出60W來算,LOSS為7W左右時,效率就要求達(dá)到89%. 而要在全范圍輸入電壓,輸出負(fù)載條件下這一點(diǎn)不太好達(dá)到,尤其對于象輸出為1.8V,1.2V等低壓大電流的模塊.
為避免上述情況,設(shè)計前的paper design階段詳盡的計算是必不可少的. 在架構(gòu),主要元件確定后, 下面就是LOSS的詳細(xì)分析和計算, 如果計算出的LOSS過大的話,那么就直接回頭review吧,不用再向前了.
剛才所述的為絕對的thermal情況.另外還有熱平衡的問題. 也就是在模塊上發(fā)熱元件的分布要盡量平均, 這樣才能充分利用模塊本身來散熱. 特別在一些thermal比較critical的情況下, 如果不能充分考慮熱平衡性, 或者因?yàn)槲恢貌患?或者因?yàn)轱L(fēng)扇稍遠(yuǎn), 或者因?yàn)殇併~稍小, 那么某一點(diǎn)的過熱, 哪怕就比相臨元件熱幾度, 就會導(dǎo)致整個模塊設(shè)計的失敗.
對于這種情況,layout自然是最重要的考量.  Layout的不慎將使設(shè)計徹底失敗.另外也提醒我們,paper design階段的計算要結(jié)合到實(shí)際情況來計算,最起碼考慮到散熱器怎么裝, 風(fēng)扇從哪吹, ,margin要留出來.

對于thermal,  談?wù)剮c(diǎn)看法,包括設(shè)計和layout的:
1) 發(fā)熱元件應(yīng)盡量平均地分配在PCB上
2) 光耦,X5R 或 POSCAP 電容, 輸入電感等對溫度敏感元件或耐溫低的元件擺放應(yīng)遠(yuǎn)離熱源
3) 對發(fā)熱高的元件需在元件下方的PCB板上多鋪銅,以降低元件溫度.Mosfet 的應(yīng)考慮在其漏極多鋪銅.
4) 模塊設(shè)計初期階段的熱評估,應(yīng)考慮全范圍的運(yùn)行狀況,來發(fā)現(xiàn)模塊中的熱點(diǎn)并進(jìn)行改善.
5) 另外一個,在thermal考慮中, 鐵芯是個要重點(diǎn)考慮的東東.因?yàn)镃ORE LOSS的曲線大家都看過, 低溫下LOSS高, 高溫下又變高, 只在某一段溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)相對較好. 所以在設(shè)計中應(yīng)限制Core loss占總損耗的比重不要太大,以避免高溫下的惡性循環(huán).
6) 應(yīng)特別檢查模塊在高溫下的效率是否有異常變化.


以上只是一些淺薄的泛泛而談,希望能起到拋磚引玉的效果, 因?yàn)槟K設(shè)計的從始到終, thermal 都是最頭疼的問題, 模塊fail也多在這上面.
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2006-03-30 11:25
waiting...
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六號橋
LV.5
3
2006-03-30 12:39
詳細(xì)說說LOSS的計算如何?
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szrg
LV.7
4
2006-03-30 22:26
如果無風(fēng)的情況下:四分之一磚本身能散熱7瓦左右,八分之一磚應(yīng)稍低.
對于熱設(shè)計,如果設(shè)計不是很準(zhǔn)的話,就一點(diǎn)意義都沒有,沒參考意義.就只有靠經(jīng)驗(yàn)了.
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2006-03-31 08:50
@szrg
如果無風(fēng)的情況下:四分之一磚本身能散熱7瓦左右,八分之一磚應(yīng)稍低.對于熱設(shè)計,如果設(shè)計不是很準(zhǔn)的話,就一點(diǎn)意義都沒有,沒參考意義.就只有靠經(jīng)驗(yàn)了.
怎么才能做到準(zhǔn)呢?
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胡莊主
LV.7
6
2006-03-31 09:35
@b.r.g.j.wallace航天電源
怎么才能做到準(zhǔn)呢?
如果整個模塊LOSS計算的很準(zhǔn)確的話,整個模塊的溫升還是能夠很好的控制.要考慮的是熱的分布在盡量平衡.熱點(diǎn)要分開來.
從thermal的角度來看,設(shè)計不僅是整個模塊的設(shè)計,還有器件的thermal的考慮. 要保證每一個器件在正常工作和惡劣情況或其它非正常工作時不會出現(xiàn)thermal wrong.這就要計算單個器件工作時的最大LOSS,利用熱阻來計算溫升,是否符合de-rating的要求.
一般來說,模塊的主要LOSS就包括:CORE Loss, Winding LOSS,器件LOSS(MOS占一大部分),此外象電路里面的一些輔助電源等,也會產(chǎn)生LOSS.
具體的計算有時間再談.今后要干活了,呵呵,不干活沒飯吃了
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六號橋
LV.5
7
2006-03-31 09:39
@胡莊主
如果整個模塊LOSS計算的很準(zhǔn)確的話,整個模塊的溫升還是能夠很好的控制.要考慮的是熱的分布在盡量平衡.熱點(diǎn)要分開來.從thermal的角度來看,設(shè)計不僅是整個模塊的設(shè)計,還有器件的thermal的考慮.要保證每一個器件在正常工作和惡劣情況或其它非正常工作時不會出現(xiàn)thermalwrong.這就要計算單個器件工作時的最大LOSS,利用熱阻來計算溫升,是否符合de-rating的要求.一般來說,模塊的主要LOSS就包括:CORELoss,WindingLOSS,器件LOSS(MOS占一大部分),此外象電路里面的一些輔助電源等,也會產(chǎn)生LOSS.具體的計算有時間再談.今后要干活了,呵呵,不干活沒飯吃了
waiting....
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szrg
LV.7
8
2006-03-31 22:13
@胡莊主
如果整個模塊LOSS計算的很準(zhǔn)確的話,整個模塊的溫升還是能夠很好的控制.要考慮的是熱的分布在盡量平衡.熱點(diǎn)要分開來.從thermal的角度來看,設(shè)計不僅是整個模塊的設(shè)計,還有器件的thermal的考慮.要保證每一個器件在正常工作和惡劣情況或其它非正常工作時不會出現(xiàn)thermalwrong.這就要計算單個器件工作時的最大LOSS,利用熱阻來計算溫升,是否符合de-rating的要求.一般來說,模塊的主要LOSS就包括:CORELoss,WindingLOSS,器件LOSS(MOS占一大部分),此外象電路里面的一些輔助電源等,也會產(chǎn)生LOSS.具體的計算有時間再談.今后要干活了,呵呵,不干活沒飯吃了
頂!!!
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胡莊主
LV.7
9
2006-04-04 13:34
@胡莊主
如果整個模塊LOSS計算的很準(zhǔn)確的話,整個模塊的溫升還是能夠很好的控制.要考慮的是熱的分布在盡量平衡.熱點(diǎn)要分開來.從thermal的角度來看,設(shè)計不僅是整個模塊的設(shè)計,還有器件的thermal的考慮.要保證每一個器件在正常工作和惡劣情況或其它非正常工作時不會出現(xiàn)thermalwrong.這就要計算單個器件工作時的最大LOSS,利用熱阻來計算溫升,是否符合de-rating的要求.一般來說,模塊的主要LOSS就包括:CORELoss,WindingLOSS,器件LOSS(MOS占一大部分),此外象電路里面的一些輔助電源等,也會產(chǎn)生LOSS.具體的計算有時間再談.今后要干活了,呵呵,不干活沒飯吃了
先上傳兩篇文獻(xiàn),一個是介紹MOSFET LOSS分類及大概的LOSS計算的.另一篇是詳細(xì)的用于分析LOSS的模型.1144128230.pdf1144128289.doc
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szrg
LV.7
10
2006-04-05 07:11
@胡莊主
先上傳兩篇文獻(xiàn),一個是介紹MOSFETLOSS分類及大概的LOSS計算的.另一篇是詳細(xì)的用于分析LOSS的模型.1144128230.pdf1144128289.doc
PDF文擋打不開,拜讀中.....
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2006-04-05 09:00
@szrg
PDF文擋打不開,拜讀中.....
可以打開啊.
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no-admin
LV.8
12
2006-04-05 11:36
拜讀中
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六號橋
LV.5
13
2006-04-06 11:12
@胡莊主
先上傳兩篇文獻(xiàn),一個是介紹MOSFETLOSS分類及大概的LOSS計算的.另一篇是詳細(xì)的用于分析LOSS的模型.1144128230.pdf1144128289.doc
建議舉個簡單的例子,計算一下各部分損耗和效率.再與實(shí)際數(shù)據(jù)對比.呵呵.
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小蟲
LV.5
14
2006-05-05 14:28
@胡莊主
先上傳兩篇文獻(xiàn),一個是介紹MOSFETLOSS分類及大概的LOSS計算的.另一篇是詳細(xì)的用于分析LOSS的模型.1144128230.pdf1144128289.doc
莊主:你的WORD文檔和原文有出入吧?有些很明顯的錯誤,容易誤導(dǎo)人,有原文章出處嗎?
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小蟲
LV.5
15
2006-05-05 14:33
@小蟲
莊主:你的WORD文檔和原文有出入吧?有些很明顯的錯誤,容易誤導(dǎo)人,有原文章出處嗎?
之前也研究過段時間的熱設(shè)計,最后發(fā)現(xiàn)出來很少有散熱器有熱阻這個參數(shù),而且一般風(fēng)冷和風(fēng)道的設(shè)計也非常復(fù)雜,可以做一門學(xué)科來研究,不過我也砸點(diǎn)磚吧,你們研發(fā)中心一般怎么做散熱器?1146810610.doc1146810701.pdf1146810789.pdf
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胡莊主
LV.7
16
2006-05-06 17:02
@小蟲
莊主:你的WORD文檔和原文有出入吧?有些很明顯的錯誤,容易誤導(dǎo)人,有原文章出處嗎?
WORD檔是從一個網(wǎng)站上COPY下來的. 這些東西因?yàn)楸容^基礎(chǔ),所以也只是稍微瀏覽一下.
這一段私事較多,沒在公司,有空再來細(xì)看.
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2009-05-20 11:10
@szrg
如果無風(fēng)的情況下:四分之一磚本身能散熱7瓦左右,八分之一磚應(yīng)稍低.對于熱設(shè)計,如果設(shè)計不是很準(zhǔn)的話,就一點(diǎn)意義都沒有,沒參考意義.就只有靠經(jīng)驗(yàn)了.
請問7W是在什么情況下算出來的?
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LV.1
18
2009-06-02 13:49
3) 對發(fā)熱高的元件需在元件下方的PCB板上多鋪銅,以降低元件溫度.Mosfet 的應(yīng)考慮在其漏極多鋪銅.

這個對于單端拓?fù)湓吂茏觼碚f,恐怕是個trade off

對于副邊,可以考慮管子分布,比如三個并聯(lián),兩個頂層,一個底層(如果不加散熱器的話)
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mbyd
LV.6
19
2009-07-14 11:41
@
3)對發(fā)熱高的元件需在元件下方的PCB板上多鋪銅,以降低元件溫度.Mosfet的應(yīng)考慮在其漏極多鋪銅.這個對于單端拓?fù)湓吂茏觼碚f,恐怕是個tradeoff對于副邊,可以考慮管子分布,比如三個并聯(lián),兩個頂層,一個底層(如果不加散熱器的話)
增大的覆銅面積,就會增加兩者之間的電容,dv/dt會變大,EMI特性會變差,這一點(diǎn)是不是也要考慮到?
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mxdy828904
LV.2
20
2009-07-15 09:52
@mbyd
增大的覆銅面積,就會增加兩者之間的電容,dv/dt會變大,EMI特性會變差,這一點(diǎn)是不是也要考慮到?
兄弟好啊!我們是電源模塊生產(chǎn)廠家,有什么問題可以聯(lián)系我,13787222401(小楊),QQ:1169610421
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2012-08-20 09:05
@六號橋
詳細(xì)說說LOSS的計算如何?

等待講解

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2012-08-20 09:08
@szrg
PDF文擋打不開,拜讀中.....
確實(shí)可以打開
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2012-08-20 09:09
@小蟲
莊主:你的WORD文檔和原文有出入吧?有些很明顯的錯誤,容易誤導(dǎo)人,有原文章出處嗎?
是呀
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2012-08-20 09:11
@mbyd
增大的覆銅面積,就會增加兩者之間的電容,dv/dt會變大,EMI特性會變差,這一點(diǎn)是不是也要考慮到?
這也是重要考慮之處
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