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[緊急求助]關(guān)于complementary N+P型 MOSFET的困惑

正月十五還沒過,先給大家拜個晚年,祝大家晚年幸福。

不一日,小編我正在整理關(guān)于MOS管的數(shù)據(jù),可巧讓我碰見下面這個奇怪的產(chǎn)品讓我百思不得其姐。

首先complementary N+P 所謂的互補型的mos 到底是什么含義呢?

其次 兩組電壓 電流 以及 導(dǎo)通電阻的數(shù)據(jù) 是分別對應(yīng) 單獨的Nmos和Pmos的么?

最重要的是 工程師在選擇器件的時候那組數(shù)據(jù)更重要呢?

還望各位大俠不吝賜教,小編在這廂有禮了。



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fsxqw
LV.9
2
2012-02-03 13:47
主要看BVDSS耐壓和導(dǎo)通電阻,互補雙MOS N+P結(jié)構(gòu)的PMOS的導(dǎo)通電阻肯定要比NMOS大,使用的時候注意以PMOS為下限條件。
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2012-02-03 13:48

其實就是1個N-MOS和1個P-MOS封裝在一起的,2組數(shù)據(jù)是對應(yīng)2個MOS的參數(shù),設(shè)計時如果2個MOS都用到,2個的數(shù)據(jù)都要考慮

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zq2007
LV.11
4
2012-02-03 14:19
@javike
其實就是1個N-MOS和1個P-MOS封裝在一起的,2組數(shù)據(jù)是對應(yīng)2個MOS的參數(shù),設(shè)計時如果2個MOS都用到,2個的數(shù)據(jù)都要考慮
所謂的對管就是這樣的。
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flash007
LV.1
5
2012-02-06 13:28
@fsxqw
主要看BVDSS耐壓和導(dǎo)通電阻,互補雙MOSN+P結(jié)構(gòu)的PMOS的導(dǎo)通電阻肯定要比NMOS大,使用的時候注意以PMOS為下限條件。
多謝 多謝
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flash007
LV.1
6
2012-02-06 13:29
@javike
其實就是1個N-MOS和1個P-MOS封裝在一起的,2組數(shù)據(jù)是對應(yīng)2個MOS的參數(shù),設(shè)計時如果2個MOS都用到,2個的數(shù)據(jù)都要考慮

多謝 多謝


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flash007
LV.1
7
2012-02-06 13:29
@flash007
多謝多謝
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