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附圖,請教BUCK電路效率低的問題

8.4V 1.5A  Vin=12-24V    ,  Vout=8.4V /1.5A  , PWM IC采用UC3843  , MOS管P型MOSFET    IRF9510  (Rds=1.2E),

儲能電感500UH.

現(xiàn)在測試效率最高62%,MOS管換成N型 電感感量從40UH-600UH都試過,整機(jī)效率變化不明顯,求解!!

全部回復(fù)(28)
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zq2007
LV.11
2
2012-02-11 15:44
看不到原理圖啊。
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my8567
LV.4
3
2012-02-11 15:46

已附原理圖,請大家 給點意見,謝謝

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my8567
LV.4
4
2012-02-11 16:56
@zq2007
看不到原理圖啊。
已附原理圖,請給點意見,謝謝
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ahu5
LV.5
5
2012-02-11 17:18
@my8567
已附原理圖,請大家[圖片] 給點意見,謝謝

哪有圖啊

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ahu5
LV.5
6
2012-02-11 17:19
@ahu5
哪有圖啊
你的圖打不開
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ahu5
LV.5
7
2012-02-11 17:26
@ahu5
你的圖打不開
現(xiàn)在好了
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cheng111
LV.11
8
2012-02-11 21:43
共模電感和電阻R6的損耗你先計算一下是多少。
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my8567
LV.4
9
2012-02-12 05:19
@cheng111
共模電感和電阻R6的損耗你先計算一下是多少。

您好：

 1、共模電感的損耗我沒有算,我直接把VIN輸入電壓加在濾波電容C2兩端，測試整機(jī)效率變化不大。

2、電流檢測電阻R6損耗  P=1.5A*1.5A*0.1E=0.225W.這個損耗對整機(jī)的效率影響不是最主要的。

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cheng111
LV.11
10
2012-02-12 19:43
@my8567
您好： 1、共模電感的損耗我沒有算,我直接把VIN輸入電壓加在濾波電容C2兩端，測試整機(jī)效率變化不大。2、電流檢測電阻R6損耗 P=1.5A*1.5A*0.1E=0.225W.這個損耗對整機(jī)的效率影響不是最主要的。
電路關(guān)鍵點的波形測試一下，先看看。
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zq2007
LV.11
11
2012-02-12 20:11
@cheng111
電路關(guān)鍵點的波形測試一下，先看看。
電路本身設(shè)計就有問題。
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my8567
LV.4
12
2012-02-12 21:01
@zq2007
電路本身設(shè)計就有問題。

波形的話，我會抓了傳上來。

電路本身設(shè)計有問題，不知道問題在哪里？請指點下，謝謝

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bpyanyu
LV.8
13
2012-02-12 21:46
@my8567
波形的話，我會抓了傳上來。電路本身設(shè)計有問題，不知道問題在哪里？請指點下，謝謝

如果你是按圖上的放的MOS管的話電路不可能正常工作

你的輸入整流和輸出串聯(lián)的二極管都會產(chǎn)生很大的損耗

 

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okxn
LV.3
14
2012-02-12 22:26

效率最高62%肯定是有問題的，先試著查找損耗的能量去哪兒了，建議你重載時用熱像儀測量一下整板，觀察那個地方溫度較高，然后再逐步分析原因。

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2012-02-12 23:02
@my8567
已附原理圖,請大家[圖片] 給點意見,謝謝
從圖上看的話,MOS的驅(qū)動不太好,它發(fā)熱大不大?
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my8567
LV.4
16
2012-02-13 08:12
@bpyanyu
如果你是按圖上的放的MOS管的話電路不可能正常工作你的輸入整流和輸出串聯(lián)的二極管都會產(chǎn)生很大的損耗 

請問是哪個MOS擺放有問題?

你所說的二極管產(chǎn)生的損耗確實有,但不是最主要的.比如我把VINDC16V電壓直接加在輸入濾波電容兩端,而輸出的那個串聯(lián)二極管短路掉.整機(jī)效率會上升,但上升的不是很多.

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my8567
LV.4
17
2012-02-13 08:26
@okxn
效率最高62%肯定是有問題的，先試著查找損耗的能量去哪兒了，建議你重載時用熱像儀測量一下整板，觀察那個地方溫度較高，然后再逐步分析原因。
因為效率低,我也沒老化太久.老化10分鐘之后,測得開關(guān)管溫度最高,老化的時候溫升較快.但是我抓Vgs,Vds波形沒有發(fā)現(xiàn)問題.
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ahu5
LV.5
18
2012-02-13 09:14
@my8567
因為效率低,我也沒老化太久.老化10分鐘之后,測得開關(guān)管溫度最高,老化的時候溫升較快.但是我抓Vgs,Vds波形沒有發(fā)現(xiàn)問題.

 把va和q1 之間串個51E的電阻試試

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ahu5
LV.5
19
2012-02-13 09:17
@ahu5
 把va和q1之間串個51E的電阻試試

還有你那個輸出端D10 ER560 可以省掉，感覺沒什么用處

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ahu5
LV.5
20
2012-02-13 09:19
還不如直接用個大功率三極管串聯(lián)穩(wěn)壓呢
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my8567
LV.4
21
2012-02-13 09:40
@ahu5
 把va和q1之間串個51E的電阻試試

不錯,加上51E電阻效率上升2%

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my8567
LV.4
22
2012-02-13 09:43
@ahu5
還有你那個輸出端D10ER560可以省掉，感覺沒什么用處
D10不可以去掉,因為這個電源是給電池充電的,D10防止持續(xù)的逆向耗電漏電流
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冰上鴨子
LV.10
23
2012-02-13 09:47
能否上個MOS 和電感上的波形看看
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冰上鴨子
LV.10
24
2012-02-13 10:09
@冰上鴨子
能否上個MOS和電感上的波形看看
總覺的你的MOS 會不會有開通不足的現(xiàn)象，看看你Q4上的驅(qū)動波形呢
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maxpayne
LV.5
25
2012-02-13 10:59
用LM2576ADJ/LM2596ADJ就可以，比較簡單。
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okxn
LV.3
26
2012-02-13 22:08
@my8567
因為效率低,我也沒老化太久.老化10分鐘之后,測得開關(guān)管溫度最高,老化的時候溫升較快.但是我抓Vgs,Vds波形沒有發(fā)現(xiàn)問題.
上個波形看看吧
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cheng111
LV.11
27
2012-02-13 22:26
@my8567
請問是哪個MOS擺放有問題?你所說的二極管產(chǎn)生的損耗確實有,但不是最主要的.比如我把VINDC16V電壓直接加在輸入濾波電容兩端,而輸出的那個串聯(lián)二極管短路掉.整機(jī)效率會上升,但上升的不是很多.

想知道是不是MOS管驅(qū)動的問題，可以測試一下MOS關(guān)DS之間的電壓波形。

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bpyanyu
LV.8
28
2012-02-14 08:03
@my8567
請問是哪個MOS擺放有問題?你所說的二極管產(chǎn)生的損耗確實有,但不是最主要的.比如我把VINDC16V電壓直接加在輸入濾波電容兩端,而輸出的那個串聯(lián)二極管短路掉.整機(jī)效率會上升,但上升的不是很多.
Pmos 在原理圖上是畫的不對吧
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whlxj6616
LV.1
29
2014-08-05 08:35

我認(rèn)為，你的功耗來自以下幾個個地方：

1、輸入端的整流二極管，電流要經(jīng)過兩個串聯(lián)的二極管形成回路，如果輸入是12V的話，二極管承受的平均電流是1.5Ax(8.4+1.2)A/12V/0.9(變換器效~90%)=1.333A兩個二極管的壓降為2~2.4V，消耗的功率是2.7~3.2W；

2、輸出二極管的功耗：1.5Ax1.2V=1.8W

3、采樣電阻的功耗：0.1ohmx1.5A^2=0.225W

4、驅(qū)動電路的損耗：12Vx0.03A=0.36W

所以總效率：(1.5Ax8.4V)/((1.5Ax8.4V)/0.9+3.2+1.8+0.585)=64.3%，接近你的實測值。

請驗證。

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