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求MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的計(jì)算方法

鄙人現(xiàn)在在調(diào)試幾款電源的輻射，發(fā)現(xiàn)把MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻改大，效果很明顯。但是怕改大了對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)有影響，請(qǐng)教各位高手這個(gè)電阻改怎么計(jì)算。。。。。。。。。。。謝謝！

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zq2007
LV.11
2
2012-02-15 15:19
這就是一個(gè)效率與輻射的折中選擇，沒有絕對(duì)的計(jì)算方法。
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2012-02-16 18:55
@zq2007
這就是一個(gè)效率與輻射的折中選擇，沒有絕對(duì)的計(jì)算方法。

沒有一個(gè)大楷的計(jì)算方法嗎？

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jingzy
LV.4
4
2012-02-17 10:09

這個(gè)只是RC充電的問題，C指的是MOS管的結(jié)電容，個(gè)人理解

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2012-02-17 10:34
@綿陽(yáng)人
沒有一個(gè)大楷的計(jì)算方法嗎？
加大R di/dt 變小,對(duì)你的輻射有幫助,但效率下降,兩者可權(quán)衡利幣,若加太大,效率引響嚴(yán)重,就要考盧從其它方面解決EMI 換mos 或 你布板方面更改,或變壓器繞線方式更改==  若效率影響不大,加大點(diǎn)驅(qū)動(dòng)電阻沒問題
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2012-02-17 11:07
@jingzy
這個(gè)只是RC充電的問題，C指的是MOS管的結(jié)電容，個(gè)人理解
學(xué)習(xí)中。
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2012-02-17 18:51
@小鞏
學(xué)習(xí)中。

謝謝指點(diǎn)...................

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yong168
LV.7
8
2012-02-17 18:58
一般來說，驅(qū)動(dòng)電阻小，驅(qū)動(dòng)電壓上升要快，MOS導(dǎo)通快，但是對(duì)EMI不好，驅(qū)動(dòng)電阻大的話，驅(qū)動(dòng)電壓上升慢，MOS導(dǎo)通慢，效率會(huì)有影響，所以這個(gè)值要折中取值，通常的話，并多個(gè)電阻和二極管，相對(duì)來說，會(huì)好一點(diǎn)~~~
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2012-02-17 20:26
@yong168
一般來說，驅(qū)動(dòng)電阻小，驅(qū)動(dòng)電壓上升要快，MOS導(dǎo)通快，但是對(duì)EMI不好，驅(qū)動(dòng)電阻大的話，驅(qū)動(dòng)電壓上升慢，MOS導(dǎo)通慢，效率會(huì)有影響，所以這個(gè)值要折中取值，通常的話，并多個(gè)電阻和二極管，相對(duì)來說，會(huì)好一點(diǎn)~~~

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2012-02-18 15:01
@小鞏
[圖片]

今天去測(cè)試，輻射在30KHZ的時(shí)候，超了1DB，怎么搞都不下去，有沒有高手指點(diǎn)一下??！驅(qū)動(dòng)電阻改大也沒有用

 

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2012-02-18 15:15
@綿陽(yáng)人
今天去測(cè)試，輻射在30KHZ的時(shí)候，超了1DB，怎么搞都不下去，有沒有高手指點(diǎn)一下啊！驅(qū)動(dòng)電阻改大也沒有用 
看來這個(gè)還是真不好整呀。
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zxcmnbv888
LV.5
12
2012-02-19 21:42
@綿陽(yáng)人
今天去測(cè)試，輻射在30KHZ的時(shí)候，超了1DB，怎么搞都不下去，有沒有高手指點(diǎn)一下??！驅(qū)動(dòng)電阻改大也沒有用 

什么30K 輻射那么低嗎 30M 好不好，把你原理圖發(fā)上來看看 你做的是多大功率的

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yong168
LV.7
13
2012-02-19 23:30
@綿陽(yáng)人
今天去測(cè)試，輻射在30KHZ的時(shí)候，超了1DB，怎么搞都不下去，有沒有高手指點(diǎn)一下啊！驅(qū)動(dòng)電阻改大也沒有用 

這樣的話，變壓器上面加0.9圈銅箔吧···這樣應(yīng)該可以過的了··

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2012-02-20 10:00
@yong168
這樣的話，變壓器上面加0.9圈銅箔吧···這樣應(yīng)該可以過的了··

學(xué)習(xí)中。

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jingzy
LV.4
15
2012-02-20 10:15
@yong168
這樣的話，變壓器上面加0.9圈銅箔吧···這樣應(yīng)該可以過的了··

學(xué)習(xí)中！

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2012-02-20 20:09
@yong168
這樣的話，變壓器上面加0.9圈銅箔吧···這樣應(yīng)該可以過的了··

你是說外銅箔嗎？

內(nèi)銅箔我是用線繞的

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