這個(gè)一直沒(méi)有具體的要求，一般保護(hù)要到退飽和后才能關(guān)斷，而退飽和后電壓就很高了，所以一般不怎么考慮門(mén)限。一般選擇比正常導(dǎo)通壓降高一些就行了，沒(méi)有人說(shuō)一定是多少，還要就是要防止誤報(bào)過(guò)流，所以還是要留余量的。
你可以參考英飛凌或concept驅(qū)動(dòng)器手冊(cè)。

IGBT 飽和壓降Vsat實(shí)測(cè)值和官方參數(shù)對(duì)比

在國(guó)內(nèi)電子市場(chǎng)上，魚(yú)目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假，標(biāo)稱(chēng)的飽和壓降參數(shù)和實(shí)際的參數(shù)相差較大。工程師容易測(cè)試IGBT是否順壞，但是難測(cè)試大電流情況下IGBT的表現(xiàn)情況。如果采用多個(gè)IGBT并聯(lián)工作，即使是同一批次的產(chǎn)品，由于個(gè)體差異，大電流情況下的Vce壓降千差萬(wàn)別，無(wú)法很好實(shí)現(xiàn)均流。如果能夠真實(shí)測(cè)量大電流情況下，IGBT的實(shí)際壓降，使用IGBT到實(shí)際產(chǎn)品時(shí)，能夠大大的提高產(chǎn)品的可靠性。當(dāng)然，本產(chǎn)品可以再采購(gòu)時(shí)使用，準(zhǔn)確分辨IGBT真?zhèn)?，防止買(mǎi)到次品。

廠家給定的參數(shù)為400A時(shí)，對(duì)應(yīng)輸出電壓為2.5V@ Vgs=15.0V，對(duì)應(yīng)的管子熱量損耗為1000W。如果工程師安裝這個(gè)特性曲線進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)，選擇多大的散熱片，選擇多大的風(fēng)速都是可以計(jì)算出來(lái)的。這些當(dāng)然是理想的情況了，實(shí)際上，廠家給出的管子特性曲線都是真實(shí)的IGBT的實(shí)際測(cè)試曲線，但是那些IGBT是經(jīng)過(guò)挑選的，一批里面最好的管子，這樣在銷(xiāo)售的時(shí)候才有競(jìng)爭(zhēng)力，你會(huì)去買(mǎi)一個(gè)同樣電流，壓降更大的管子嗎？當(dāng)然不會(huì)，選擇性能好的才是最佳選擇呀！本人也是工程師，在此深受其害。記的在做一個(gè)30V1200A的36kW恒流恒壓電源的時(shí)候，本人采用了移向全橋結(jié)構(gòu)，如下圖。

圖1 移向全橋結(jié)構(gòu)

使用uc3875作為主控芯片，當(dāng)滿(mǎn)功率測(cè)試時(shí)，器件都工作在了軟開(kāi)關(guān)階段了，扇熱片發(fā)熱厲害，分析一下，這個(gè)時(shí)候只有剩下導(dǎo)通損耗了呀。多次懷疑自己的開(kāi)通時(shí)序問(wèn)題，但是都沒(méi)有發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的折騰，測(cè)試IGBT的特性，發(fā)現(xiàn)問(wèn)題是IGBT的管壓降比官方參數(shù)高，官方2.0V，實(shí)測(cè)2.8V,時(shí)間高0.8V，多么可怕。

這里使用艾克思科技的IGBT-1200A型測(cè)試儀來(lái)測(cè)試，CM400HA-24HA型IGBT來(lái)說(shuō)明問(wèn)題，器件參數(shù)如下圖所示。

圖2 IGBT外形圖和參數(shù)圖

測(cè)試器件為CM400HA-24H@Vgs=15.0V，得到的曲線如下圖：

下表將測(cè)試數(shù)據(jù)和官方數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，

通過(guò)比較發(fā)現(xiàn)：官方數(shù)據(jù)僅供參考，數(shù)據(jù)優(yōu)化后非常美，實(shí)際上達(dá)不到標(biāo)定參數(shù)，如果按照官方給定的參數(shù)設(shè)計(jì)散熱量的話，你就相差50%，后果嚴(yán)重，模電工程師不但需要具備看英文參數(shù)手冊(cè)的能力，還需要具有準(zhǔn)確的判斷手頭上的IGBT真實(shí)參數(shù)的能力，哈哈哈模電工程師就是一個(gè)需要資歷、經(jīng)驗(yàn)的崗位。

回想我的一個(gè)朋友曾經(jīng)使用IGBT做并聯(lián)，獲得更大的電流容量，在實(shí)際的操作中，損失傷亡較大。后來(lái)我去幫忙解決問(wèn)題，發(fā)現(xiàn)主要問(wèn)題是IGBT的Vsat問(wèn)題，當(dāng)使用儀器測(cè)試好器件的Vsat后，然后使用相同批次，相同Vsat的IGBT并聯(lián)后，一切都工作正常了。結(jié)論是：同一批產(chǎn)品，igbt不像mos管的參數(shù)那么標(biāo)準(zhǔn)，差別較大，并聯(lián)更需謹(jǐn)慎。

IGBT 飽和壓降Vsat實(shí)測(cè)值和官方參數(shù)對(duì)比

 IGBT并聯(lián)技術(shù)分析 

好帖子，怎么沒(méi)人頂啊

IGBT的飽和壓降Vce（sat）對(duì)使用影響很大，除了影響損耗外還對(duì)飽和有影響

并聯(lián)影響更大

好貼