HOMSEMI MOSFET在高性能無葉風(fēng)扇方案中的應(yīng)用和評(píng)測(cè)

本方案選用高性能的ST系列MCU，采用無級(jí)變速調(diào)節(jié)風(fēng)機(jī),配合紅外遙控,操作簡(jiǎn)單、快捷、方便。MCU發(fā)送過來的PWM脈沖指令傳輸?shù)綄ｉT匹配的成啟半導(dǎo)體（HOMSEMI）功率MOSFET HS2N60IB，驅(qū)動(dòng)無刷直流電機(jī),最高轉(zhuǎn)速可達(dá)到10000r/min.成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB極低的Qgs和Rds(ON),配合重量輕效率高的無刷直流電動(dòng)機(jī),使產(chǎn)品更加節(jié)能環(huán)保,增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性及大幅度降低了生產(chǎn)成本。

無葉風(fēng)扇也叫空氣增倍機(jī).于2009年底首度推出.這項(xiàng)發(fā)明靈感于空氣葉片干手器—其原理是迫使空氣通過一個(gè)小口來刷干手上的水.無葉風(fēng)扇是讓空氣從一個(gè)1.3MM寬的圓環(huán)切口里吹出來,由于空氣是被強(qiáng)制從這一個(gè)圓圈里吹出來,所以通過的空氣量可以增加到15倍,時(shí)速可增至35公里.

方案中無刷直流電機(jī)（BLDCM）輸入(110V/220V)交流電, 經(jīng)轉(zhuǎn)換器(converter)轉(zhuǎn)成直流,要轉(zhuǎn)入電機(jī)線圈前須先將直流電壓由換流器(inverter)轉(zhuǎn)成3相電壓來驅(qū)動(dòng)電機(jī)。換流器(inverter)由6個(gè)功率MOSFET(VT1～VT6)分為上臂(VT1、VT3、VT5)/下臂(VT2、VT4、VT6)連接電機(jī)作為控制流經(jīng)電機(jī)線圈的開關(guān)。MCU提供PWM(脈沖寬度調(diào)制)決定功率MOSFET HS2N60IB開關(guān)頻度及換流器(inverter)換相的時(shí)機(jī)。

一.控制器原理框圖：

1. VT1-VT6是成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB.

2. PMSM代表是無刷直流電動(dòng)機(jī)也可以是永磁同步電動(dòng)機(jī)。

3. 驅(qū)動(dòng)控制器就是單片機(jī)可以是8位或是32位單片機(jī)。

4. 電源輸入兼容115VAC或230VAC. 在控制板上跳線選擇。

二.原理圖

三.MOSFET輸出波形圖

該系列無葉風(fēng)扇方案，采用體積小效率高的無刷直流電動(dòng)機(jī),主控芯片使用STM8系列MCU，并配合成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)半導(dǎo)體專門匹配的功率MOSFET HS2N60IB,啟動(dòng)更平穩(wěn),噪音更小,以達(dá)到性價(jià)比的最優(yōu)化。

背景資料：

廣州成啟半導(dǎo)體有限公司（HOMSEMI）：是研發(fā)和生產(chǎn)功率半導(dǎo)體（MOSFET、IGBT）的一家高新科技企業(yè)，其經(jīng)營特點(diǎn)是產(chǎn)品均與應(yīng)用方案結(jié)合，針對(duì)具體不同的應(yīng)用進(jìn)行參數(shù)的匹配和優(yōu)化。

ST M8系列MCU：

●ST意法半導(dǎo)體8位單片機(jī)

●最高fcpu頻率：24MHz，當(dāng)fcpu≤16MHz時(shí)0等待的存儲(chǔ)器訪問。

●性價(jià)比相對(duì)較高。

HS2N60IB：

●HOMSEMI PLANNAR MOSFET

●VDS：600V

●ID：2A

●針對(duì)DCBL馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用優(yōu)化。