PI的控制方式不一樣，其占空比可以到78%。

你的輸入電壓高低會導(dǎo)致IC的占空比明顯變化。

哈哈，謝工下班還不忘記給我們幫助，謝謝?。?！

那針對我說的這個現(xiàn)象，我這個產(chǎn)品安全嗎？因為很多人認(rèn)為反激電源的占空比不能超過0.5，否則會出現(xiàn)很大問題。

PI芯片的最大占空比很多都能超過0.7的，但IC長期工作在0.5的占空比以上會不會出現(xiàn)致命的問題呢？

反激電源在進入連續(xù)模式后占空比=Vor/(Vor+Vin)，起數(shù)值可能比50%小也可能比50%大，需要的最大占空比取決于反射電壓和大電容最低電壓。

IC能夠提供的占空比越大，允許大電容電壓可以越低。同時同樣的Idrms可以提供較大的功率。

pi設(shè)計不必在意其最大占空比，其反向電壓可以取比較高

非常感謝兩位老兄的回答。

我只是對書上的東西比較懷疑，為什么占空比不能設(shè)置在0.5以上，說會出現(xiàn)“次諧波振蕩”，導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰，不知道是否如此。

你說書上提到的50%應(yīng)該是Vor=Vin時，防止進入連續(xù)模式，對于電流型IC，進入連續(xù)模式需要斜坡補償，PI是電壓型IC，注意好帶寬就好了。

不用在意占空比超過50%的問題

謝謝兄弟指點。

如何區(qū)分是電流IC還是電壓IC呢？

你說的注意帶寬，是指什么呢？

關(guān)于帶寬 PI論壇里有一篇叫“TOPSWITCH控制環(huán)路分析 [精]”的帖子，你看一下，這個需要花一些精力才能搞明白。

謝謝兩位大哥。

順便問一下，用TOP做的電源，發(fā)現(xiàn)輸出二極管反向波形中尖峰比較大，如何解決呢？（修改RC吸收參數(shù)，作用不是太大，修改變壓器繞制結(jié)構(gòu)有很大改善，不知道怎么回事）

輸入什么電壓測試的結(jié)果？ 波形已經(jīng)是連續(xù)模式了。和二極管的反向恢復(fù)時間很大關(guān)系。

老大，輸入電壓大概是105VDC，90VAC測試的。

11樓是用電容1nF+電阻15Ω

下圖是：用電容100pF+電阻100Ω做吸收。顯然不是每一個波形都有尖峰，而是有幾個有尖峰，很多是沒有尖峰，不知道是怎么回事。

電路圖（參考PI的TOP255，20W）：

變壓器：

1.次級：15T

2.供電：19T

3.初級：78T

感量：1.4mH.

TOP255PN 12V 20W EFD20 你這個變壓器肯定有問題，

恩，謝謝老大。磁芯最終我采用EFD25了，AE=58mm2。沒有飽和，但出現(xiàn)次級那個波形，不知道怎么回事。

我想到的也是修改RC來吸收輸出二極管尖峰，但除此以外，有沒有其他辦法了呢？

肖特基的，SR10100

謝兄，我用在輸入100VAC電壓時候，VOR取太低，這樣占空比可以小一些啊，保證可以在0.5以下的。

莫非VOR取小了，輸出二極管容易出現(xiàn)尖峰？這還需要大哥指點啊。

是要測試的。從理論上來說，VOR大了，二極管尖峰就高嗎？VOR大了，二極管反向波形電壓肯定是升高的，但尖峰毛刺也會變大，這個就不理解的。尖峰是由變壓器耦合過來的，不知道理解是否正確。