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求教一些疑惑

   問題1:

       翻了很多資料,發(fā)現(xiàn)許多人都將 DCM時  伏秒平衡  Vin*ton = (vo+vf)*Nps*(T-ton-tdz) = Vor*(T-ton-tdz)

      直接等于 Vin*ton = (vo+vf)*Nps*(T-ton) = Vor*(T-ton) ,

      即忽略死區(qū)時間tdz,故由此有 Vin*D=Vor*(1-D) 故 D=Vor*(Vor+Vin),由此得到工作的最大占空比取決于VinMin時的反射電壓Vor的值。那么這樣直接等于對么? 難不成是直接認為Vinmin的條件下,模式會進入CCM?那么如果我們還是希望它工作在 DCM模式,即死區(qū)時間tdz不為0,那又該如何?


問題2 :Np/Ns=Nps的求解,很多人利用的預先設(shè)定的一個經(jīng)驗 Vor值與Vo+vf值的比做為匝比,那么怎么做到全輸入電壓范圍的伏秒平衡~? 或者說 如何科學的設(shè)計 Nps?


     問題3 : CCM時 tdz=0,類似上述過程 推導得到次級放電的toff時段,Vds=Vin/(1-D),所以又有人說,MOS的耐壓和

 工作時的占空比有關(guān),即“由該公式,在Vin為定值時,占空比越大將導致我們需要的  MOS的耐壓 越高”~這也對么?明顯我們設(shè)定好反射電壓Vor后,假設(shè)為理想變壓器,那么 次級放電的toff時段 MOS Vds之間的壓降將等于 Vin+Vor,即是

等于一個定值,且最大值將為VinMax的時候,實際上我們定下Vin后,對應定下了D的值不變了,所以我認為這個說法是錯誤的 ~

求達人指教 謝謝~

 

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2012-04-17 08:14

在Vinmin的條件下的確有可能進入CCM連續(xù)模式,像一般的反激,大部分工作在非連續(xù)模式。而死區(qū)都取得很小,所以為了方便計算都忽略了。

一般按Vinmin計算,在最小輸入電壓下都能滿足,那么在高電壓下也就能滿足了,

Vds=Vin/(1-D),這個公式個人覺得不對,因為對于反激,D=0.5,Vin=265,算下來Vds=530V,但還有一些尖峰,Vds會有580V左右。

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