廢話不多說(shuō)；如題：
熱淚歡迎各位同仁一起探討；不當(dāng)之處，請(qǐng)不吝賜教；
同時(shí)，也請(qǐng)大家把自己見(jiàn)到或者自己設(shè)計(jì)的實(shí)用電路發(fā)上來(lái)，大家共同探討，共同提高；
我會(huì)長(zhǎng)期不定期更新；只要遇到相關(guān)電路；
持續(xù)更新到底---電源設(shè)計(jì)當(dāng)中的一些實(shí)用小電路（大家一起來(lái)探討）
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@small_potatos
第一例：圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路[圖片] 先上圖，具體分析下班回去說(shuō)明說(shuō)明： Qn：NBJT Qp：PBJT Qmos：待驅(qū)動(dòng)NMOS Rb：基極電阻 Cb：加速電容 Rc：集電極電阻 Rg：驅(qū)動(dòng)電阻
原理分析：
首先，我們先定性的分析一下：
待放大的信號(hào)Drv_b（驅(qū)動(dòng)能力很弱）通過(guò)這么一個(gè)電路，從三極對(duì)管的發(fā)射極公共端出來(lái)得到驅(qū)動(dòng)能力（帶載能力）大大增強(qiáng)的信號(hào)Drv_g；
從能量的角度來(lái)講，弱能量信號(hào)Drv_b通過(guò)Qn和Qp的作用，從Vcc取電（獲取能量），從而變成了攜帶高能量的Drv_g信號(hào)；
在這個(gè)能量傳遞的過(guò)程中，Qn和Qp分別交替工作在截至和飽和狀態(tài)；
具體工作過(guò)程（邏輯分析）如下（這里以方波為例，1代表高電平，0代表零電平，-1代表負(fù)電平；Vb表示Qn和Qp的公共基極電壓，Vqn_c表示Qn管子的集電極電壓，Vqn_be表示Qn管子基極-發(fā)射極電壓，Vqp_be表示Qp基極-發(fā)射極電壓）：
Drv_b=1，Vb=1，Vqn_be=1，因?yàn)椋篤qn_ce=1，所以，Qn管飽和導(dǎo)通，Qn管電流主要由集電極流向發(fā)射極，Drv_g=1；
Drv_b=0，Vb=0，Vqp_be=-1，因?yàn)椋篤qp_ec=1，所以，Qp管飽和導(dǎo)通，Qp管電流主要由發(fā)射極流向集電極，Drv_g=0;
此以上為電路工作的邏輯過(guò)程；
定量分析明天有空繼續(xù)
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@small_potatos
原理分析：首先，我們先定性的分析一下：待放大的信號(hào)Drv_b（驅(qū)動(dòng)能力很弱）通過(guò)這么一個(gè)電路，從三極對(duì)管的發(fā)射極公共端出來(lái)得到驅(qū)動(dòng)能力（帶載能力）大大增強(qiáng)的信號(hào)Drv_g；從能量的角度來(lái)講，弱能量信號(hào)Drv_b通過(guò)Qn和Qp的作用，從Vcc取電（獲取能量），從而變成了攜帶高能量的Drv_g信號(hào)；在這個(gè)能量傳遞的過(guò)程中，Qn和Qp分別交替工作在截至和飽和狀態(tài)；具體工作過(guò)程（邏輯分析）如下（這里以方波為例，1代表高電平，0代表零電平，-1代表負(fù)電平；Vb表示Qn和Qp的公共基極電壓，Vqn_c表示Qn管子的集電極電壓，Vqn_be表示Qn管子基極-發(fā)射極電壓，Vqp_be表示Qp基極-發(fā)射極電壓）：Drv_b=1，Vb=1，Vqn_be=1，因?yàn)椋篤qn_ce=1，所以，Qn管飽和導(dǎo)通，Qn管電流主要由集電極流向發(fā)射極，Drv_g=1； Drv_b=0，Vb=0，Vqp_be=-1，因?yàn)椋篤qp_ec=1，所以，Qp管飽和導(dǎo)通，Qp管電流主要由發(fā)射極流向集電極，Drv_g=0;此以上為電路工作的邏輯過(guò)程；定量分析明天有空繼續(xù)
Drv_b=0，Vb=0，Vqp_be=-1，因?yàn)椋篤qp_ec=1
這個(gè)Vqp_ec=1怎么理解，是Drv_b=0剛轉(zhuǎn)變那一會(huì)的值嗎
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@明月光
Vqp_be=-1為什么是-1，QN不是已經(jīng)截止了嗎，這個(gè)電壓是哪里來(lái)的，有點(diǎn)沒(méi)看懂。導(dǎo)通條件我知道
MOS管的結(jié)電容電壓；
這個(gè)就涉及到MOS管結(jié)構(gòu)方面的問(wèn)題了；被驅(qū)動(dòng)的MOS柵極和流集之間以及柵極和漏極之間有輸入結(jié)電容Coss_gs，Coss_gd,MOS的驅(qū)動(dòng)過(guò)程，就是對(duì)輸入結(jié)電容充放電的過(guò)程；在Qn導(dǎo)通時(shí)，電容充電；當(dāng)電壓達(dá)到MOS的開(kāi)啟電壓時(shí)候，MOS開(kāi)啟；Qn截止，這個(gè)時(shí)候，電容兩端是有電壓的；MOS結(jié)電容放電，通過(guò)Qp管子加速放電；
本質(zhì)上來(lái)講，上管Qn的作用是對(duì)MOS充電，下管Qp的作用是對(duì)MOS進(jìn)行放電；
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@small_potatos
MOS管的結(jié)電容電壓；這個(gè)就涉及到MOS管結(jié)構(gòu)方面的問(wèn)題了；被驅(qū)動(dòng)的MOS柵極和流集之間以及柵極和漏極之間有輸入結(jié)電容Coss_gs，Coss_gd,MOS的驅(qū)動(dòng)過(guò)程，就是對(duì)輸入結(jié)電容充放電的過(guò)程；在Qn導(dǎo)通時(shí)，電容充電；當(dāng)電壓達(dá)到MOS的開(kāi)啟電壓時(shí)候，MOS開(kāi)啟；Qn截止，這個(gè)時(shí)候，電容兩端是有電壓的；MOS結(jié)電容放電，通過(guò)Qp管子加速放電；本質(zhì)上來(lái)講，上管Qn的作用是對(duì)MOS充電，下管Qp的作用是對(duì)MOS進(jìn)行放電；
謝謝，懂了
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@small_potatos
原理分析：首先，我們先定性的分析一下：待放大的信號(hào)Drv_b（驅(qū)動(dòng)能力很弱）通過(guò)這么一個(gè)電路，從三極對(duì)管的發(fā)射極公共端出來(lái)得到驅(qū)動(dòng)能力（帶載能力）大大增強(qiáng)的信號(hào)Drv_g；從能量的角度來(lái)講，弱能量信號(hào)Drv_b通過(guò)Qn和Qp的作用，從Vcc取電（獲取能量），從而變成了攜帶高能量的Drv_g信號(hào)；在這個(gè)能量傳遞的過(guò)程中，Qn和Qp分別交替工作在截至和飽和狀態(tài)；具體工作過(guò)程（邏輯分析）如下（這里以方波為例，1代表高電平，0代表零電平，-1代表負(fù)電平；Vb表示Qn和Qp的公共基極電壓，Vqn_c表示Qn管子的集電極電壓，Vqn_be表示Qn管子基極-發(fā)射極電壓，Vqp_be表示Qp基極-發(fā)射極電壓）：Drv_b=1，Vb=1，Vqn_be=1，因?yàn)椋篤qn_ce=1，所以，Qn管飽和導(dǎo)通，Qn管電流主要由集電極流向發(fā)射極，Drv_g=1； Drv_b=0，Vb=0，Vqp_be=-1，因?yàn)椋篤qp_ec=1，所以，Qp管飽和導(dǎo)通，Qp管電流主要由發(fā)射極流向集電極，Drv_g=0;此以上為電路工作的邏輯過(guò)程；定量分析明天有空繼續(xù)
老大，能不能通俗點(diǎn)啊！比如說(shuō)你上面的Drv_b代表什么？Drv_g又代表什么？沒(méi)看懂
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