電路中用RC吸收電路吸收 IGBT 的電壓尖峰，但RC 的參數(shù)選擇很是納悶，

看資料有的說(shuō) t=RC 這個(gè)時(shí)間參數(shù) 要是10倍的 開關(guān)頻率參數(shù)，有的說(shuō)和頻率無(wú)關(guān)；

有的還給出一些公式：　C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×If　　If=0.367Id　　Id-直流電流值　

                       R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56　　選擇10歐　　PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負(fù)12次方×R)/2　　Pfv=2u(1.5-2.0)　　u=三相電壓的有效值阻容吸收回路在實(shí)際應(yīng)用中，RC的時(shí)間常數(shù)一般情況下取1~10毫秒。        小功率負(fù)載通常取2毫秒左右，R=220歐姆/1W，C=0.01微法/400~630V/。        大功率負(fù)載通常取10毫秒，R=10歐姆/10W，C=1微法/630~1000V。

還有些其他的說(shuō)法，所以想請(qǐng)教下，大家平時(shí)是怎么選擇的？如何估計(jì)？