電感有六七十度，那MOS管呢？有多少度？MOS管有個100度都算是正常的。

上原理圖看看

終于有人回復(fù)了，謝謝！剛剛才上網(wǎng)看到，不好意思！

我寫的不太好，我那個是雙關(guān)語句，mos管也有那六七十度，這是我的原理圖：

電感上面的那些 是電流感應(yīng)電路，可以不管。

我還做了一個實驗：

就是利用現(xiàn)有的mos管在gate腳為5V的情況下，通入7A以上的電流，mos管一點也不熱，說明應(yīng)該不是導(dǎo)通損耗，這個能說明問題嗎？

你看一下MOS管的驅(qū)動波形及Vds波形，如果這兩項都是好的，沒什么振蕩，沒什么抖動，工作頻率、占空比是你設(shè)置的值，就可以認為工作是正常的，

70度的溫度真的是很正常。你的輸入輸出條件是怎樣的？

還得查你的驅(qū)動，還有你的布線也得查一下

既然是同步整流的BUCK電路,那有可能是管子共通造成的發(fā)燙.可能是開\關(guān)延時較長,死區(qū)時間不夠,造成的...

驅(qū)動波形就是上圖的gate腳波形，頻率大約400KHz，我的輸入是一個8V的恒壓源，輸出就是3.3V最大10A，或者通過調(diào)節(jié)反饋電阻可以隨意設(shè)定輸出電壓。你說的mos管熱是正常的你做過嗎？你的輸出電壓和功率、效率是多少？這么熱，效率肯定上不了90%，那就不算合格。

不知道各位高手在做這種buck電路時mos管的溫度是多少，什么條件下測得的？求分享，謝謝！

你說的這種共通是那種不會短路的共通？

這是驅(qū)動電平，有很明顯的死區(qū)間隔，應(yīng)該不是同時導(dǎo)通

還有電感的溫度也超高，燙的手都不能碰。

我發(fā)現(xiàn)我在空載的時候電路一切正常，什么都不熱，但是只要加一點點負載立馬就燙起來了，連板子的PCB的都燙。這款電源打算做無風(fēng)扇的，不知道是不是沒經(jīng)驗，我是不是想的太天真，還是技術(shù)不夠。

首先說明下,我是個業(yè)余愛好者,就是愛玩這個.其次要說明上您給的電路圖太簡單了,發(fā)燙的原因不在MOS管和電感上,如果您設(shè)計時電感計算正確的話,那么多數(shù)在驅(qū)動電路上有問題.MOS管導(dǎo)通是需要時間的,您有計算過MOS管由于始導(dǎo)通到完全導(dǎo)通的時間么,這個時間MOS管電阻遠大于幾毫歐的,此時是開關(guān)管損耗最大的時候.其次是電感過小也會產(chǎn)生這個問題.您可以測試下電感在帶載時的瞬時最大電流.

謝謝您的建議！我也認為是mosfet開關(guān)的時候帶來了巨大的損耗。

原理圖就是還差一個芯片，LTC3869, 他是直接輸出驅(qū)動PWM波，如下圖： 

芯片管腳上的TG，BG就是top gate 和bottom gate的驅(qū)動，芯片資料上說是可以直接拿來驅(qū)動的。

至于這個開啟時間的損耗，對，我確實該算一算。

還有，我沒有電感上的瞬間電流如何測量，只有示波器，沒有電流計可以嗎？

在電感一側(cè)串上一只0.1歐的電阻,用示波器測電壓呀.也可以在輸入端只接接上一只0.1的電阻,測上面的電壓.可以比較近似的得到結(jié)果.

你查下該芯片的驅(qū)動電流及最大驅(qū)動電壓,再算下MOS開啟時間.

我看了電感左側(cè)的電壓的波形，他從0V上升到我的輸入電壓8V所用的時間大概是25ns，說明上管導(dǎo)通的時間為25ns，很快，消耗的能量最大就是25ns*4V*10A=1ｕＷ，幾乎不算啊。

芯片資料上的知識理論值，實際波形才是他真正的工作狀態(tài)。

關(guān)鍵是從哪兒找個0.1Ω那么精確的大的功率電阻??？我自己繞個一也測不準，可不可以看電感上的電壓除以電感的等效DCR?。繎?yīng)該也沒錯吧。你看一下我上面的lx的波形，他是電感左側(cè)的電壓，沒有任何尖峰，基本上說明應(yīng)該沒啥太大尖峰電流。

你做過buck電源嗎？你的mosfet和電感感覺怎么樣，在10A或者更好的電流的情況下。

我用過IRFR1205,44A的mos實際工作電流為18A,工作很正常.首先說明,電壓上升時間不是電感電流時間,同時上升時間也不是內(nèi)阻達到最佳的時間.電感達到最大電流時是MOS管關(guān)閉時間,此時電流最大,電壓沖擊最大,接近您輸入電壓的二倍或更多,看您的電路情況了.從圖上看您關(guān)閉的時間遠大于開啟時間,我懷疑您的電感太小了,計算有誤,導(dǎo)致終止時電流太大,因而在開啟和終止時功率損失大,導(dǎo)致發(fā)熱.你要以試著增大電感試下,應(yīng)該有所好轉(zhuǎn),換下10-22uH的電感試下.如果有所好轉(zhuǎn),那么您要對電路重計算下,看下情況.

您的分析很到位，理解的很深刻。我正在申請一些大電感來試試。

但我對您說的還有幾點疑問：

IRFR1205內(nèi)阻高達27mΩ，流過18A的電流，功率可以有8.75W，按一般工作時間算的也有4W，對應(yīng)的最好熱阻是50℃/W，那豈不是溫升有200度?。磕f的工作正常是啥意思？

電感加大到1.5uH我試過，但是我從8V轉(zhuǎn)1-3.3V的低壓應(yīng)該不會用到10-22uH這么大的電感吧！況且電感加大內(nèi)阻跟著上升，我現(xiàn)在的1.5uH的電感內(nèi)阻8.4mΩ在通過12A電流時溫度也有60，多度，那么到了10uH豈不是更恐怖。除非自己手動繞電感。

我記得mosfet的上升時間比下降時間長主要是mosfet驅(qū)動技術(shù)充電要比放電慢的原因。不過我這里的上升時間確實長了一點。

您做的那個電源是多少伏的啊？效率怎么樣？