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IGBT死區(qū)時(shí)間估算方法

1、     死區(qū)時(shí)間的定義

死區(qū)時(shí)間是PWM輸出時(shí),為了使H橋或半H橋的上下管不會(huì)因?yàn)殚_關(guān)速度問題發(fā)生同時(shí)導(dǎo)通而設(shè)置的一個(gè)保護(hù)時(shí)段。通常也指pwm響應(yīng)時(shí)間。   

由于IGBT(絕緣柵極型功率管)等功率器件都存在一定的結(jié)電容,所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。一般在設(shè)計(jì)電路時(shí)已盡量降低該影響,比如盡量提高控制極驅(qū)動(dòng)電壓電流,設(shè)置結(jié)電容釋放回路等。為了使IGBT工作可靠,避免由于關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通,有必要設(shè)置死區(qū)時(shí)間,也就是上下橋臂同時(shí)關(guān)斷時(shí)間。死區(qū)時(shí)間可有效地避免延遲效應(yīng)所造成的一個(gè)橋臂未完全關(guān)斷,而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài),避免直通炸模塊。   

死區(qū)時(shí)間大,模塊工作更加可靠,但會(huì)帶來輸出波形的失真及降低輸出效率。死區(qū)時(shí)間小,輸出波形要好一些,只是會(huì)降低可靠性,一般為us級(jí)。一般來說死區(qū)時(shí)間是不可以改變的,只取決于功率元件制作工藝!

 

2、     死區(qū)時(shí)間的計(jì)算方法

TD:死區(qū)時(shí)間   Toff : IGBT關(guān)斷延遲時(shí)間   Ton : IGBT開通延遲時(shí)間

TD=Toff(max)-Ton(min)

IGBT死區(qū)時(shí)間估算方法 

全部回復(fù)(5)
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2012-05-25 18:54
謝謝,學(xué)習(xí)中。。。
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jql393
LV.3
3
2014-07-07 01:11

不錯(cuò)謝謝

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75482758
LV.6
4
2014-07-14 15:39
謝謝分享
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zyjmm
LV.1
5
2014-07-27 09:33
@75482758
謝謝分享
學(xué)習(xí)中。。。
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Dong東
LV.8
6
2014-07-30 12:34
有什么可行的辦法搞起
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