次級(jí)整流二級(jí)管功耗是最讓人難以接受又必須面對(duì)的難題，MOSFET損耗做得好的很多，但二極管幾

乎千篇一律的10-20R配222電容。這肯定是不對(duì)的，論壇上對(duì)此討論也最多，但真有幾個(gè)弄懂了就難說清

楚了，但凡你看市場(chǎng)的產(chǎn)品就能發(fā)現(xiàn)這個(gè)問題真的很嚴(yán)重，吸收過量產(chǎn)生反作用居多。究竟怎樣弄才好

呢？較有代表性的文章是“心中有冰軍長(zhǎng)：【原創(chuàng)】電源效率討論系列一：次級(jí)整流二極管的損耗” 反復(fù)看

了幾遍，收獲良多，也談?wù)勎业膶?shí)踐！

       太復(fù)雜的理論往往讓人難以投入，如再加上效果的不明顯更難讓人產(chǎn)生繼續(xù)玩下去的興趣，次級(jí)二極

管RC效果好，在原基礎(chǔ)上提升效率是事實(shí)，別人的實(shí)驗(yàn)照搬是沒有用的，RC的配置與很多因素有關(guān)，整

流二極管本身的條件是最主要的，其次是電壓、電流、頻率、走線、DRC位置等都有密切關(guān)系。簡(jiǎn)單的單

一實(shí)驗(yàn)極難體現(xiàn)出一個(gè)方案是否有效或能證明什么，最簡(jiǎn)單的方法是根據(jù)自己的實(shí)際情況在線探試。

       我曾有一個(gè)案子，反激、頻率是120KHz，調(diào)試前效率是84%，老化時(shí)3WR燒黃了電路板，在此基礎(chǔ)上

開始調(diào)試，不加RC空、滿載壓差超大，不同的二極管壓降不一，選壓差最小的型號(hào)加小電容（470P），壓

降有明顯縮小，再加大到122，壓降符合要求，但20R/3W電阻溫度高（比以前好了很多），改C為820P，將

電阻改為10R，溫度壓降剛好到接受的范圍。再測(cè)效率升到87%。電阻、二極管溫升明顯減小。個(gè)人認(rèn)為

這就是RC參數(shù)的最佳配置，將3%的熱量損耗換回了電能，其實(shí)效率提升不可能有那么多，最主要的是從

過量吸收中奪回了能量，20R配222電容用在120KHz明顯吸收太深，降容量的目的是提高吸收點(diǎn)（真正需要

吸收的脈沖頻段），降低電阻值的目的除增加自身功率外就是展寬吸收范圍（帶寬）。

        從效率、溫升上看我的目的達(dá)到了，我對(duì)此的認(rèn)識(shí)是如沒把握做到最好，淺吸收是最好的選擇，至

少它不會(huì)帶來副作用。

        歡迎大家來啪磚，提出不同看法及你對(duì)此的認(rèn)識(shí)。