次級整流二級管功耗是最讓人難以接受又必須面對的難題，MOSFET損耗做得好的很多，但二極管幾
乎千篇一律的10-20R配222電容。這肯定是不對的，論壇上對此討論也最多，但真有幾個弄懂了就難說清
楚了，但凡你看市場的產品就能發(fā)現這個問題真的很嚴重，吸收過量產生反作用居多。究竟怎樣弄才好
呢？較有代表性的文章是“心中有冰軍長：【原創(chuàng)】電源效率討論系列一：次級整流二極管的損耗” 反復看
了幾遍，收獲良多，也談談我的實踐！
太復雜的理論往往讓人難以投入，如再加上效果的不明顯更難讓人產生繼續(xù)玩下去的興趣，次級二極
管RC效果好，在原基礎上提升效率是事實，別人的實驗照搬是沒有用的，RC的配置與很多因素有關，整
流二極管本身的條件是最主要的，其次是電壓、電流、頻率、走線、DRC位置等都有密切關系。簡單的單
一實驗極難體現出一個方案是否有效或能證明什么，最簡單的方法是根據自己的實際情況在線探試。
我曾有一個案子，反激、頻率是120KHz，調試前效率是84%，老化時3WR燒黃了電路板，在此基礎上
開始調試，不加RC空、滿載壓差超大，不同的二極管壓降不一，選壓差最小的型號加小電容（470P），壓
降有明顯縮小，再加大到122，壓降符合要求，但20R/3W電阻溫度高（比以前好了很多），改C為820P，將
電阻改為10R，溫度壓降剛好到接受的范圍。再測效率升到87%。電阻、二極管溫升明顯減小。個人認為
這就是RC參數的最佳配置，將3%的熱量損耗換回了電能，其實效率提升不可能有那么多，最主要的是從
過量吸收中奪回了能量，20R配222電容用在120KHz明顯吸收太深，降容量的目的是提高吸收點（真正需要
吸收的脈沖頻段），降低電阻值的目的除增加自身功率外就是展寬吸收范圍（帶寬）。
從效率、溫升上看我的目的達到了，我對此的認識是如沒把握做到最好，淺吸收是最好的選擇，至
少它不會帶來副作用。
歡迎大家來啪磚，提出不同看法及你對此的認識。
