在反激式電源中RCD嵌位電路的參數(shù)如何選擇啊，還有它所消耗的功率是怎么計(jì)算的？
一般是按照什么原則來(lái)設(shè)計(jì)RCD電路呢？？
反激式電源中RCD嵌位電路的參數(shù)如何選擇
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，謝謝分享啊。。@mko145
能不能介紹一下你的模擬參數(shù)和數(shù)據(jù)~
恩，可以啊，我沒(méi)有帶反饋環(huán)路的。
DCM模式，F(xiàn)=40KHz，duty=10%，Lp=1300uH，Lpk=13uH，Np：Ns=10，Vout+Vf=6.7V，Ipk=0.74A，Cpar=100pF
Vds_max=Vin_max+Vro+Ip*squ（Lpk/Cpar）
按照它的計(jì)算方法，用600V的管子，把嵌位電壓設(shè)定在135V，計(jì)算得出
R=64K，C=2.2nF，仿真出來(lái)的結(jié)果就是510V的最高vds。
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@silverpuma
恩，可以啊，我沒(méi)有帶反饋環(huán)路的。DCM模式，F(xiàn)=40KHz，duty=10%，Lp=1300uH，Lpk=13uH，Np：Ns=10，Vout+Vf=6.7V，Ipk=0.74A，Cpar=100pFVds_max=Vin_max+Vro+Ip*squ（Lpk/Cpar）按照它的計(jì)算方法，用600V的管子，把嵌位電壓設(shè)定在135V，計(jì)算得出R=64K，C=2.2nF，仿真出來(lái)的結(jié)果就是510V的最高vds。
算出來(lái)結(jié)果確實(shí)吻合 ~ 不知道你的模擬線路和具體模型是怎么樣的。
看看我的模擬 --- 結(jié)果和計(jì)算數(shù)據(jù)相差比較多
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@silverpuma
恩，可以啊，我沒(méi)有帶反饋環(huán)路的。DCM模式，F(xiàn)=40KHz，duty=10%，Lp=1300uH，Lpk=13uH，Np：Ns=10，Vout+Vf=6.7V，Ipk=0.74A，Cpar=100pFVds_max=Vin_max+Vro+Ip*squ（Lpk/Cpar）按照它的計(jì)算方法，用600V的管子，把嵌位電壓設(shè)定在135V，計(jì)算得出R=64K，C=2.2nF，仿真出來(lái)的結(jié)果就是510V的最高vds。
由下面波形看出 --- Vds(max) = 507V ; Vin = 300V ; Vor = 95V ; Vsn = 207V (Vclamp)
由上圖得到 Lpk=70uH
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@silverpuma
恩，可以啊，我沒(méi)有帶反饋環(huán)路的。DCM模式，F(xiàn)=40KHz，duty=10%，Lp=1300uH，Lpk=13uH，Np：Ns=10，Vout+Vf=6.7V，Ipk=0.74A，Cpar=100pFVds_max=Vin_max+Vro+Ip*squ（Lpk/Cpar）按照它的計(jì)算方法，用600V的管子，把嵌位電壓設(shè)定在135V，計(jì)算得出R=64K，C=2.2nF，仿真出來(lái)的結(jié)果就是510V的最高vds。
由下面波形得到 Ipk=0.32A
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@silverpuma
恩，可以啊，我沒(méi)有帶反饋環(huán)路的。DCM模式，F(xiàn)=40KHz，duty=10%，Lp=1300uH，Lpk=13uH，Np：Ns=10，Vout+Vf=6.7V，Ipk=0.74A，Cpar=100pFVds_max=Vin_max+Vro+Ip*squ（Lpk/Cpar）按照它的計(jì)算方法，用600V的管子，把嵌位電壓設(shè)定在135V，計(jì)算得出R=64K，C=2.2nF，仿真出來(lái)的結(jié)果就是510V的最高vds。
由下面波形得到頻率 Frequency = 64.8KHz
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@silverpuma
恩，可以啊，我沒(méi)有帶反饋環(huán)路的。DCM模式，F(xiàn)=40KHz，duty=10%，Lp=1300uH，Lpk=13uH，Np：Ns=10，Vout+Vf=6.7V，Ipk=0.74A，Cpar=100pFVds_max=Vin_max+Vro+Ip*squ（Lpk/Cpar）按照它的計(jì)算方法，用600V的管子，把嵌位電壓設(shè)定在135V，計(jì)算得出R=64K，C=2.2nF，仿真出來(lái)的結(jié)果就是510V的最高vds。
由上面的參數(shù)計(jì)算出的結(jié)果，似乎和線路圖中的電阻 R101 的數(shù)值 150K 并不相符 ~
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@silverpuma
恩，可以啊，我沒(méi)有帶反饋環(huán)路的。DCM模式，F(xiàn)=40KHz，duty=10%，Lp=1300uH，Lpk=13uH，Np：Ns=10，Vout+Vf=6.7V，Ipk=0.74A，Cpar=100pFVds_max=Vin_max+Vro+Ip*squ（Lpk/Cpar）按照它的計(jì)算方法，用600V的管子，把嵌位電壓設(shè)定在135V，計(jì)算得出R=64K，C=2.2nF，仿真出來(lái)的結(jié)果就是510V的最高vds。
根據(jù) Fairchild 的公式計(jì)算
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@silverpuma
恩，你的計(jì)算也沒(méi)有錯(cuò)，不過(guò)仿真結(jié)果是有些偏差。我是用Cadence仿真驗(yàn)證的，可能軟件之間會(huì)有差別的，而且Psn要計(jì)算準(zhǔn)確了，才能正確計(jì)算出Rsn，個(gè)人覺(jué)得Psn這個(gè)計(jì)算公式就會(huì)出現(xiàn)一些誤差。不過(guò)可以肯定的是算法應(yīng)該沒(méi)有問(wèn)題，因?yàn)橛薪炭茣暇褪遣捎玫倪@個(gè)公式。
我用的是同樣的模擬軟件，可能版本會(huì)有不同。問(wèn)題不在于軟件，而是具體的元件模型和線路參數(shù)。對(duì)于很多實(shí)際的設(shè)計(jì)，模擬的結(jié)果往往是有差異的。因?yàn)槟M線路的元件多是理想的元件，比如說(shuō)變壓器。而且，模擬時(shí)我們往往會(huì)做些簡(jiǎn)化。例如，用一個(gè)開關(guān)來(lái)代替MSOFET，這樣都會(huì)產(chǎn)生差別 ~
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@mko145
我用的是同樣的模擬軟件，可能版本會(huì)有不同。問(wèn)題不在于軟件，而是具體的元件模型和線路參數(shù)。對(duì)于很多實(shí)際的設(shè)計(jì)，模擬的結(jié)果往往是有差異的。因?yàn)槟M線路的元件多是理想的元件，比如說(shuō)變壓器。而且，模擬時(shí)我們往往會(huì)做些簡(jiǎn)化。例如，用一個(gè)開關(guān)來(lái)代替MSOFET，這樣都會(huì)產(chǎn)生差別~
恩，有道理啊，不過(guò)需要等測(cè)試效果才知道對(duì)不對(duì)撒。。。這個(gè)時(shí)間估計(jì)會(huì)很久了。。。。
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