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請問IWATT的技術(shù)支持

目前在用IW1692-00做一款12W,500mA的恒流輸出的案子.

最近調(diào)試了幾天,存在如下疑問:

1. 6腳的輸入電壓檢測,我如果用2*2M的電阻,除了限制高低壓以外,是否還有限制最大V*S的作用?可以這樣嗎?

2.過沖是一個很普遍的現(xiàn)象,有沒有好的辦法抑制這個問題。

3.普遍存在燒MOS,IC,采樣電阻的所謂炸雞的現(xiàn)象。據(jù)我觀察,不是高壓擊穿MOS。能不能把這類問題有一個可信的   技術(shù)分析,讓后來者避免這些問題。炸雞現(xiàn)象與電壓過沖有聯(lián)系嗎?(個人覺得有直接聯(lián)系)

4.這款I(lǐng)C,是否存在技術(shù)缺陷,是否可用,是否會停產(chǎn),或者是改進。最新版本是什么?(不要老提IW3620)

希望專業(yè)人士給予技術(shù)支持。請做廣告的繞行!

如果有不方便說的,請站內(nèi)短信通知!

謝謝!

 

全部回復(fù)(7)
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vivian315
LV.5
2
2012-07-13 21:24

回復(fù)樓上ballastt哥:

1.6腳VIN 不但有輸入過壓欠壓檢測,而且通過RC常數(shù)會影響軟啟動時間。
2.這款I(lǐng)C是同時具有CV和CC模式的,早期主要用于充電器這塊,先是電壓檢測起用后再起用電流檢測所以會有過沖,調(diào)整空載電壓與實際LED負載電壓與之匹配,可減小過沖電流。
3.MOS擊穿后就會產(chǎn)生燒IC和取樣電阻,這與變壓器的設(shè)計、磁芯材質(zhì)、溫度、PCB走線、VSENSE電阻選取、MOS品質(zhì)、IPK電流、有關(guān)。
4.這款I(lǐng)C不存在技術(shù)缺限,所以也不會有什么新版本。

希望能對你要解決的問題有幫助!

如以上回復(fù)有疑問,可以隨時給我電話,我再請我們FAE和你直接交流溝通

宇昊電子/陳沛伶 

Tel:   186 2030 2227
         137 6029 2227

0
回復(fù)
ballastt
LV.6
3
2012-07-14 08:57
@vivian315
[圖片]回復(fù)樓上ballastt哥:1.6腳VIN不但有輸入過壓欠壓檢測,而且通過RC常數(shù)會影響軟啟動時間。2.這款I(lǐng)C是同時具有CV和CC模式的,早期主要用于充電器這塊,先是電壓檢測起用后再起用電流檢測所以會有過沖,調(diào)整空載電壓與實際LED負載電壓與之匹配,可減小過沖電流。3.MOS擊穿后就會產(chǎn)生燒IC和取樣電阻,這與變壓器的設(shè)計、磁芯材質(zhì)、溫度、PCB走線、VSENSE電阻選取、MOS品質(zhì)、IPK電流、有關(guān)。4.這款I(lǐng)C不存在技術(shù)缺限,所以也不會有什么新版本。希望能對你要解決的問題有幫助!如以上回復(fù)有疑問,可以隨時給我電話,我再請我們FAE和你直接交流溝通宇昊電子/陳沛伶 Tel:  18620302227        13760292227

謝謝薇薇安的回復(fù)!但可能有點套話!

1.6腳的電阻阻值,根據(jù)DATASHEET描述,具有限制最大伏秒的功能。從測試看似乎不具備軟啟動時間的設(shè)定。而軟啟動的時間似乎和Vsense的電壓高低有關(guān)。也就是您說的把空載電壓提升,可以減小過沖的時間。但不減少過沖的高低。

3.由于IC是每個周期檢測電流的,似乎不至于那么容易燒MOS。所以期待非籠統(tǒng)的說法。

4.一款好的IC是方便,可靠。也許我們的想法不一樣。也許是其本不應(yīng)該用來驅(qū)動LED.

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2012-07-17 12:20
@ballastt
謝謝薇薇安的回復(fù)!但可能有點套話!1.6腳的電阻阻值,根據(jù)DATASHEET描述,具有限制最大伏秒的功能。從測試看似乎不具備軟啟動時間的設(shè)定。而軟啟動的時間似乎和Vsense的電壓高低有關(guān)。也就是您說的把空載電壓提升,可以減小過沖的時間。但不減少過沖的高低。3.由于IC是每個周期檢測電流的,似乎不至于那么容易燒MOS。所以期待非籠統(tǒng)的說法。4.一款好的IC是方便,可靠。也許我們的想法不一樣。也許是其本不應(yīng)該用來驅(qū)動LED.

6腳Rvin確實會影響最大VT值的。

MOS損壞一般是熱損壞,如果不是高壓擊穿MOS,那么MOS損壞只能是電流過大,持續(xù)導(dǎo)通時間很長,發(fā)熱過度損壞了。測量Vds應(yīng)該在開關(guān)機,短路情況下,采樣模式用峰值采樣,抓峰值電壓的。

IC損壞方面,如果ic的各腳位參數(shù)均在合理范圍內(nèi),那么IC損壞從布板方面考慮了,IC是數(shù)字芯片,對ESD,雜訊等比較敏感,其實其他品牌也都一樣。按照IW的PCB布板要求來,注意dv/dt,di/dt走線與高阻抗腳走線關(guān)系,然后提供一條盡量短不且經(jīng)過IC的放電路徑。

0
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ballastt
LV.6
5
2012-07-19 10:10
@cj569874123
6腳Rvin確實會影響最大VT值的。MOS損壞一般是熱損壞,如果不是高壓擊穿MOS,那么MOS損壞只能是電流過大,持續(xù)導(dǎo)通時間很長,發(fā)熱過度損壞了。測量Vds應(yīng)該在開關(guān)機,短路情況下,采樣模式用峰值采樣,抓峰值電壓的。IC損壞方面,如果ic的各腳位參數(shù)均在合理范圍內(nèi),那么IC損壞從布板方面考慮了,IC是數(shù)字芯片,對ESD,雜訊等比較敏感,其實其他品牌也都一樣。按照IW的PCB布板要求來,注意dv/dt,di/dt走線與高阻抗腳走線關(guān)系,然后提供一條盡量短不且經(jīng)過IC的放電路徑。

謝謝你的幫助。

其實,個人感覺這款I(lǐng)C還是不錯的,如果能把過沖的問題有一個有效的解決辦法的話,應(yīng)該就更精彩了。我曾想過在電流偵測腳加一個的阻容軟啟動的電路。

再者,MOS一定要選用耐瞬間電流大的。如果設(shè)計不好,由于電流采樣有一定的延時,當(dāng)電感量過小的時候,很容易燒MOS.

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vivian315
LV.5
6
2012-07-19 18:09
@ballastt
謝謝薇薇安的回復(fù)!但可能有點套話!1.6腳的電阻阻值,根據(jù)DATASHEET描述,具有限制最大伏秒的功能。從測試看似乎不具備軟啟動時間的設(shè)定。而軟啟動的時間似乎和Vsense的電壓高低有關(guān)。也就是您說的把空載電壓提升,可以減小過沖的時間。但不減少過沖的高低。3.由于IC是每個周期檢測電流的,似乎不至于那么容易燒MOS。所以期待非籠統(tǒng)的說法。4.一款好的IC是方便,可靠。也許我們的想法不一樣。也許是其本不應(yīng)該用來驅(qū)動LED.
問題解決沒?
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ballastt
LV.6
7
2012-07-20 13:42
@vivian315
問題解決沒?
謝謝關(guān)心,目前在用IW3620.
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2012-07-20 15:14
@ballastt
謝謝關(guān)心,目前在用IW3620.
呵呵,還是用3620了呀。。
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