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產(chǎn)品開發(fā)卡殼了!請(qǐng)教DX輸出13V6A電源效率最高可做到多少?

小弟現(xiàn)有一個(gè)產(chǎn)品,要求密封在一個(gè)110*70*45的塑殼內(nèi),市電輸入,輸出13V6A,所以對(duì)溫升要求很嚴(yán)格,我試了一下,單端反激電路用0880+EI40+MBR2550,結(jié)果效率勉強(qiáng)達(dá)到80%,明顯不夠,可能溫升太高(密封),十幾分鐘后還把MBR2550給燒了.現(xiàn)在頭疼得厲害,特向DX求救,能否把效率做到90以上,且體積不能太大,但功率因數(shù)和紋波可不做要求.還有一點(diǎn),限流時(shí)老是有自激現(xiàn)象,變壓器叫,不知大家把限流信號(hào)加在哪里,我是加在PC817的二極管下面,是否可以加在431的參考端? 小弟跪求中......
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瞌睡蟲
LV.5
2
2006-06-17 15:40
第一種,兩個(gè)二極管并聯(lián)
第二種,同步整流

不知你二極管的散熱片有多大??
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2006-06-17 15:54
@瞌睡蟲
第一種,兩個(gè)二極管并聯(lián)第二種,同步整流不知你二極管的散熱片有多大??
其實(shí)是你的方案選的不對(duì) 不要相信芯片資料上說的0880說其導(dǎo)通電阻最大只有一點(diǎn)幾歐姆事實(shí)上根本不是這樣 在電源滿載時(shí)其導(dǎo)通電阻至少是5R以上 一般是七八歐姆 所以加載其芯片很熱
你輸出16V,二極管反向耐壓至少要用到100V的 建議用MBR20100CT兩片并聯(lián)使用
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glz119
LV.3
4
2006-06-17 15:55
@瞌睡蟲
第一種,兩個(gè)二極管并聯(lián)第二種,同步整流不知你二極管的散熱片有多大??
標(biāo)準(zhǔn)的TO220分裝15*25散熱器,反激用同步整流不好搞吧?再說現(xiàn)在是整個(gè)溫升高,估計(jì)變壓器也不太合理,我初級(jí)60匝,次級(jí)5匝加了0.3MM氣隙,初級(jí)電感1.1mH,漏感80uH.發(fā)現(xiàn)RCD吸收電路也發(fā)熱厲害.
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2006-06-17 15:56
@開拓者1
其實(shí)是你的方案選的不對(duì)不要相信芯片資料上說的0880說其導(dǎo)通電阻最大只有一點(diǎn)幾歐姆事實(shí)上根本不是這樣在電源滿載時(shí)其導(dǎo)通電阻至少是5R以上一般是七八歐姆所以加載其芯片很熱你輸出16V,二極管反向耐壓至少要用到100V的建議用MBR20100CT兩片并聯(lián)使用
你這個(gè)方案 這個(gè)效率是正常的 電路也沒有什么大錯(cuò)誤之處 若是想提高 建議使用IC加場(chǎng)管驅(qū)動(dòng)的辦法 效率能高出幾個(gè)百分點(diǎn)來
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2006-06-17 15:59
@glz119
標(biāo)準(zhǔn)的TO220分裝15*25散熱器,反激用同步整流不好搞吧?再說現(xiàn)在是整個(gè)溫升高,估計(jì)變壓器也不太合理,我初級(jí)60匝,次級(jí)5匝加了0.3MM氣隙,初級(jí)電感1.1mH,漏感80uH.發(fā)現(xiàn)RCD吸收電路也發(fā)熱厲害.
根本不需要用反激同步整流 因?yàn)檫@個(gè)輸出電壓夠高的 如果是輸出低如5V6A 用同步整流是對(duì)的 同步整流電路復(fù)雜 搞不好的話 還不如肖特基管整流來的強(qiáng) 把你的樣品燒一會(huì) 摸一下你的那個(gè)IC 就知道 其不比肖特基管的溫度低
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glz119
LV.3
7
2006-06-17 16:11
@開拓者1
根本不需要用反激同步整流因?yàn)檫@個(gè)輸出電壓夠高的如果是輸出低如5V6A用同步整流是對(duì)的同步整流電路復(fù)雜搞不好的話還不如肖特基管整流來的強(qiáng)把你的樣品燒一會(huì)摸一下你的那個(gè)IC就知道其不比肖特基管的溫度低
謝謝各位DX,真是挺燙,與肖特基差不多,那怎么辦?用3842好像體積要大了點(diǎn),還有,用什么MOSFET效率高?我用0880主要是覺得它簡(jiǎn)單可靠,已經(jīng)用了很久了,很有點(diǎn)感情了,呵呵!
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洪七公
LV.9
8
2006-06-17 16:21
@glz119
標(biāo)準(zhǔn)的TO220分裝15*25散熱器,反激用同步整流不好搞吧?再說現(xiàn)在是整個(gè)溫升高,估計(jì)變壓器也不太合理,我初級(jí)60匝,次級(jí)5匝加了0.3MM氣隙,初級(jí)電感1.1mH,漏感80uH.發(fā)現(xiàn)RCD吸收電路也發(fā)熱厲害.
用我們的反激同步整流IC調(diào)試不難.Mosfet 選用低Rds(on),4-10毫歐的,一下就能比你原來的用二極管降低幾w的損耗(你二極管應(yīng)該有損耗在3-4W吧).推薦你使用我們的同步整流IC,不難調(diào)試.不過你得考慮你們這樣做你們的產(chǎn)品成本是否能接受,因?yàn)檫@得讓你要增加幾塊RMB.你如果是做低壓大電流肯定劃算,但你的13V/6A輸出確實(shí)得衡量一下.要樣品,調(diào)試資料請(qǐng)和我聯(lián)系0755-21009980 .下面是幾款反激同步整流IC的資料.1150532098.pdf1150532466.pdf
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glz119
LV.3
9
2006-06-17 16:25
還有一點(diǎn),限流時(shí)老是有自激現(xiàn)象,變壓器叫,不知大家把限流信號(hào)加在哪里,我是加在PC817的二極管下面,是否可以加在431的參考端?
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glz119
LV.3
10
2006-06-17 16:33
@開拓者1
其實(shí)是你的方案選的不對(duì)不要相信芯片資料上說的0880說其導(dǎo)通電阻最大只有一點(diǎn)幾歐姆事實(shí)上根本不是這樣在電源滿載時(shí)其導(dǎo)通電阻至少是5R以上一般是七八歐姆所以加載其芯片很熱你輸出16V,二極管反向耐壓至少要用到100V的建議用MBR20100CT兩片并聯(lián)使用
那完了!
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2006-06-17 20:59
建議如下:
1.單端反激電路,不用同步整流,主功率電路改用3842+MOS,殼大小 110*70*45沒有問題.
2.MOS管用仙童的Super FET(超級(jí)FET),
FCP16N60    600V   16A   0.22Ω
FCP20N60    600V   20A   0.15Ω
3.付邊整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并聯(lián),耐壓100V.管子兩端要加RC吸收,以抑制反向電壓尖峰.
4.由于Super FET的耐壓只有600V,變壓器的設(shè)計(jì)要使反射電壓低一些.
5.變壓器可用EC28X35臥式,PC40.為減小趨膚效應(yīng)影響,要用多股線繞.
原邊0.19線9股21T+21T,付邊0.25線30股7T,輔助繞組0.19線1股7-8T.
三明治繞法.墊約0.27毫米氣隙,原邊21T+21T的總電感為380-400微亨.
變壓器原邊允許峰值電流2.8A.工作頻率約70K,
該變壓器的主要發(fā)熱是付邊繞組.如果窗口有余,付邊可再加股.
6.鋁型材散熱器的導(dǎo)熱系數(shù)約200,純銅的導(dǎo)熱系數(shù)396,散熱器不要用成品鋁型材,要用銅板制作,要緊貼外殼的內(nèi)壁繞一圈.這樣可以一舉兩得,既可以盡可能地減小殼內(nèi)外的熱阻,又可以使散熱器少占?xì)?nèi)空間.
7.輸入整流橋的電流容量用大,可減少發(fā)熱.電解電容必須用105度的.高壓濾波82UF/400V.輸出電解至少要用兩個(gè)3300UF/25V.
8.盡可能減少鉗位電路,吸收電路功耗,減少發(fā)熱.
9.經(jīng)過以上措施,效率達(dá)到85%以上是沒有問題的,應(yīng)該接近90%.
10.附FCP16N60和 FCP20N60資料


1150549046.pdf1150549173.pdf
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開拓者1
LV.8
12
2006-06-19 08:36
@世界真奇妙
建議如下:1.單端反激電路,不用同步整流,主功率電路改用3842+MOS,殼大小110*70*45沒有問題.2.MOS管用仙童的SuperFET(超級(jí)FET),FCP16N60    600V  16A  0.22ΩFCP20N60    600V  20A  0.15Ω3.付邊整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并聯(lián),耐壓100V.管子兩端要加RC吸收,以抑制反向電壓尖峰.4.由于SuperFET的耐壓只有600V,變壓器的設(shè)計(jì)要使反射電壓低一些.5.變壓器可用EC28X35臥式,PC40.為減小趨膚效應(yīng)影響,要用多股線繞.原邊0.19線9股21T+21T,付邊0.25線30股7T,輔助繞組0.19線1股7-8T.三明治繞法.墊約0.27毫米氣隙,原邊21T+21T的總電感為380-400微亨.變壓器原邊允許峰值電流2.8A.工作頻率約70K,該變壓器的主要發(fā)熱是付邊繞組.如果窗口有余,付邊可再加股.6.鋁型材散熱器的導(dǎo)熱系數(shù)約200,純銅的導(dǎo)熱系數(shù)396,散熱器不要用成品鋁型材,要用銅板制作,要緊貼外殼的內(nèi)壁繞一圈.這樣可以一舉兩得,既可以盡可能地減小殼內(nèi)外的熱阻,又可以使散熱器少占?xì)?nèi)空間.7.輸入整流橋的電流容量用大,可減少發(fā)熱.電解電容必須用105度的.高壓濾波82UF/400V.輸出電解至少要用兩個(gè)3300UF/25V.8.盡可能減少鉗位電路,吸收電路功耗,減少發(fā)熱.9.經(jīng)過以上措施,效率達(dá)到85%以上是沒有問題的,應(yīng)該接近90%.10.附FCP16N60和FCP20N60資料1150549046.pdf1150549173.pdf.
MOS用最大電流10A 最高電壓600V的就行了 這樣的外殼 做這個(gè)規(guī)格的功率輸出 倒也是差不多 可以做到 效率好的話 也可認(rèn)到85%吧 其實(shí)場(chǎng)管驅(qū)動(dòng)的電路比0880難一點(diǎn) 也難不了多少 還有就是注意線路板布局布線 線路板搞不好 調(diào)試時(shí)電源會(huì)不穩(wěn)定 我吃過這種虧 建議去借簽一下別人的布局布線才好
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glz119
LV.3
13
2006-06-19 11:58
@世界真奇妙
建議如下:1.單端反激電路,不用同步整流,主功率電路改用3842+MOS,殼大小110*70*45沒有問題.2.MOS管用仙童的SuperFET(超級(jí)FET),FCP16N60    600V  16A  0.22ΩFCP20N60    600V  20A  0.15Ω3.付邊整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并聯(lián),耐壓100V.管子兩端要加RC吸收,以抑制反向電壓尖峰.4.由于SuperFET的耐壓只有600V,變壓器的設(shè)計(jì)要使反射電壓低一些.5.變壓器可用EC28X35臥式,PC40.為減小趨膚效應(yīng)影響,要用多股線繞.原邊0.19線9股21T+21T,付邊0.25線30股7T,輔助繞組0.19線1股7-8T.三明治繞法.墊約0.27毫米氣隙,原邊21T+21T的總電感為380-400微亨.變壓器原邊允許峰值電流2.8A.工作頻率約70K,該變壓器的主要發(fā)熱是付邊繞組.如果窗口有余,付邊可再加股.6.鋁型材散熱器的導(dǎo)熱系數(shù)約200,純銅的導(dǎo)熱系數(shù)396,散熱器不要用成品鋁型材,要用銅板制作,要緊貼外殼的內(nèi)壁繞一圈.這樣可以一舉兩得,既可以盡可能地減小殼內(nèi)外的熱阻,又可以使散熱器少占?xì)?nèi)空間.7.輸入整流橋的電流容量用大,可減少發(fā)熱.電解電容必須用105度的.高壓濾波82UF/400V.輸出電解至少要用兩個(gè)3300UF/25V.8.盡可能減少鉗位電路,吸收電路功耗,減少發(fā)熱.9.經(jīng)過以上措施,效率達(dá)到85%以上是沒有問題的,應(yīng)該接近90%.10.附FCP16N60和FCP20N60資料1150549046.pdf1150549173.pdf.
請(qǐng)問老兄FCP16N60大概什么價(jià)位?有沒有800v以上的?用600v管子遇瞬時(shí)短路可能會(huì)炸管,小弟過去碰到過好幾次.如果按老兄方案成本可能會(huì)偏離不少吧?另外,原邊匝數(shù)是不是少了?我算了一下要差很多阿!
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開拓者1
LV.8
14
2006-06-19 14:28
@glz119
請(qǐng)問老兄FCP16N60大概什么價(jià)位?有沒有800v以上的?用600v管子遇瞬時(shí)短路可能會(huì)炸管,小弟過去碰到過好幾次.如果按老兄方案成本可能會(huì)偏離不少吧?另外,原邊匝數(shù)是不是少了?我算了一下要差很多阿!
不會(huì)吧 反激式的一樣就是用600V耐壓的管子啊 16N60肯定比較貴 這個(gè)東西東就是用6N60免強(qiáng)也能做得下吧 看你是什么輸入條件了
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開拓者1
LV.8
15
2006-06-19 14:31
@開拓者1
不會(huì)吧反激式的一樣就是用600V耐壓的管子啊16N60肯定比較貴這個(gè)東西東就是用6N60免強(qiáng)也能做得下吧看你是什么輸入條件了
短路炸管 和MOS耐壓值應(yīng)該沒有關(guān)系吧 短路時(shí) 是電流突然增大 卻不是電壓高吧
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wjc5230
LV.3
16
2006-06-19 15:06
你的MBR2550是肖特基還是快恢復(fù).
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glz119
LV.3
17
2006-06-19 15:06
@開拓者1
短路炸管和MOS耐壓值應(yīng)該沒有關(guān)系吧短路時(shí)是電流突然增大卻不是電壓高吧
老兄您的匝數(shù)(特別是原邊)是不是太少了?我算了一下要差很多阿!短路炸管我看好像是MOS管關(guān)斷瞬間炸的.
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glz119
LV.3
18
2006-06-19 15:08
@開拓者1
短路炸管和MOS耐壓值應(yīng)該沒有關(guān)系吧短路時(shí)是電流突然增大卻不是電壓高吧
對(duì)不起,搞錯(cuò)了,是別人!
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glz119
LV.3
19
2006-06-19 15:13
@wjc5230
你的MBR2550是肖特基還是快恢復(fù).
MBR都是肖特基,快恢復(fù)是MUR.
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wjc5230
LV.3
20
2006-06-19 15:17
@glz119
MBR都是肖特基,快恢復(fù)是MUR.
你的輸出電壓是13V,為什么用的是肖特基,不是快恢復(fù)?
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glz119
LV.3
21
2006-06-19 15:18
@開拓者1
短路炸管和MOS耐壓值應(yīng)該沒有關(guān)系吧短路時(shí)是電流突然增大卻不是電壓高吧
我EI40是原邊30+30,次級(jí)5匝
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glz119
LV.3
22
2006-06-19 15:20
@wjc5230
你的輸出電壓是13V,為什么用的是肖特基,不是快恢復(fù)?
為了降低損耗
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wjc5230
LV.3
23
2006-06-19 15:27
@glz119
為了降低損耗
你換上快恢復(fù)管試試,你的效率有所改變.
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glz119
LV.3
24
2006-06-19 15:35
@wjc5230
你換上快恢復(fù)管試試,你的效率有所改變.
快恢復(fù)好像比肖特基電阻大吧!
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開拓者1
LV.8
25
2006-06-20 11:01
@glz119
快恢復(fù)好像比肖特基電阻大吧!
當(dāng)然是快恢復(fù)的損耗更大啦
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glz119
LV.3
26
2006-06-20 12:47
我EI40是原邊30+30,次級(jí)5匝,有問題嗎?
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franc_y
LV.5
27
2006-06-20 16:53
@glz119
我EI40是原邊30+30,次級(jí)5匝,有問題嗎?
有點(diǎn)危險(xiǎn)﹐除非你的Spike處理的非常好﹐否則你用不了600V的管子
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franc_y
LV.5
28
2006-06-20 16:56
@世界真奇妙
建議如下:1.單端反激電路,不用同步整流,主功率電路改用3842+MOS,殼大小110*70*45沒有問題.2.MOS管用仙童的SuperFET(超級(jí)FET),FCP16N60    600V  16A  0.22ΩFCP20N60    600V  20A  0.15Ω3.付邊整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并聯(lián),耐壓100V.管子兩端要加RC吸收,以抑制反向電壓尖峰.4.由于SuperFET的耐壓只有600V,變壓器的設(shè)計(jì)要使反射電壓低一些.5.變壓器可用EC28X35臥式,PC40.為減小趨膚效應(yīng)影響,要用多股線繞.原邊0.19線9股21T+21T,付邊0.25線30股7T,輔助繞組0.19線1股7-8T.三明治繞法.墊約0.27毫米氣隙,原邊21T+21T的總電感為380-400微亨.變壓器原邊允許峰值電流2.8A.工作頻率約70K,該變壓器的主要發(fā)熱是付邊繞組.如果窗口有余,付邊可再加股.6.鋁型材散熱器的導(dǎo)熱系數(shù)約200,純銅的導(dǎo)熱系數(shù)396,散熱器不要用成品鋁型材,要用銅板制作,要緊貼外殼的內(nèi)壁繞一圈.這樣可以一舉兩得,既可以盡可能地減小殼內(nèi)外的熱阻,又可以使散熱器少占?xì)?nèi)空間.7.輸入整流橋的電流容量用大,可減少發(fā)熱.電解電容必須用105度的.高壓濾波82UF/400V.輸出電解至少要用兩個(gè)3300UF/25V.8.盡可能減少鉗位電路,吸收電路功耗,減少發(fā)熱.9.經(jīng)過以上措施,效率達(dá)到85%以上是沒有問題的,應(yīng)該接近90%.10.附FCP16N60和FCP20N60資料1150549046.pdf1150549173.pdf.
變壓器最好用PQ的﹐這樣副邊的圈數(shù)還可以減小﹐最好在4T左右
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wxy2003
LV.4
29
2006-06-21 00:53
用0880做寬電壓輸入可能是比較夠嗆,窄電壓輸入沒有問題.
外殼尺寸完全可以.
但你的肖特基確實(shí)電壓和耐壓都不夠.
提高產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率的方法很多,其中之一是電路參數(shù)必須設(shè)計(jì)合理并優(yōu)化.第二變壓器設(shè)計(jì)也是至關(guān)重要.發(fā)熱的三大源泉是開關(guān)管,變壓器,次級(jí)整流器,搞定這三塊效率就出來了.
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glz119
LV.3
30
2006-06-21 09:49
@wxy2003
用0880做寬電壓輸入可能是比較夠嗆,窄電壓輸入沒有問題.外殼尺寸完全可以.但你的肖特基確實(shí)電壓和耐壓都不夠.提高產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率的方法很多,其中之一是電路參數(shù)必須設(shè)計(jì)合理并優(yōu)化.第二變壓器設(shè)計(jì)也是至關(guān)重要.發(fā)熱的三大源泉是開關(guān)管,變壓器,次級(jí)整流器,搞定這三塊效率就出來了.
呵呵,老兄真是夜貓子!小弟的RCD吸收電路發(fā)熱也厲害,有點(diǎn)燙手,用的是33K/3W+222+P6KE440+BYV26C
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camm3219
LV.3
31
2009-07-23 08:24
@洪七公
用我們的反激同步整流IC調(diào)試不難.Mosfet選用低Rds(on),4-10毫歐的,一下就能比你原來的用二極管降低幾w的損耗(你二極管應(yīng)該有損耗在3-4W吧).推薦你使用我們的同步整流IC,不難調(diào)試.不過你得考慮你們這樣做你們的產(chǎn)品成本是否能接受,因?yàn)檫@得讓你要增加幾塊RMB.你如果是做低壓大電流肯定劃算,但你的13V/6A輸出確實(shí)得衡量一下.要樣品,調(diào)試資料請(qǐng)和我聯(lián)系0755-21009980.下面是幾款反激同步整流IC的資料.1150532098.pdf1150532466.pdf
能否用作LLC的同步整流?
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