如果是自己搭電路很麻煩的,前邊用一個(gè)光藕就可以做到了

繼電器的動(dòng)作時(shí)間你道嗎,(從加電到完成吸合)

各個(gè)廠家的產(chǎn)數(shù)不一樣,你可以查到的,歐姆龍的一般是3~4MS

關(guān)注中

交流電20MS,不用考慮的.再說又不是完全過0的

意義不大.繼電器的吸合時(shí)間長,一般在十幾毫秒,釋放時(shí)間短,一般只有幾個(gè)毫秒.

最終解決方案：

 

同廠家進(jìn)行確認(rèn)，使其同一種型號的繼電器吸合時(shí)間偏差盡量保持在一個(gè)小的誤差范圍內(nèi)，并且知道大體的吸合時(shí)間，依據(jù)這個(gè)時(shí)間和過零檢測電路，通過MCU控制吸合時(shí)間，使繼電器盡量在過零點(diǎn)范圍內(nèi)吸合，這樣可使繼電器觸點(diǎn)電流保持在很小的范圍內(nèi)。

 

 

還MCU？！一個(gè)小小的可控硅就能搞定的事！發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在很多人不管大事小事動(dòng)不動(dòng)就喜歡上單片機(jī)！

呵呵，可控硅涉及隔離（加光耦）的問題，最主要是大電流時(shí)可控硅散熱，還有過電流沖擊的問題，可控硅肯定是不可以。

有一種組合開關(guān)，可控硅+觸電的

上電可控硅過零開通，延時(shí)一段時(shí)間閉合機(jī)械觸點(diǎn)

關(guān)斷的時(shí)候先關(guān)閉機(jī)械觸點(diǎn)，之后可控硅自然關(guān)斷

確保長期導(dǎo)通后壓降損失小，發(fā)熱少，同時(shí)消除了機(jī)械觸點(diǎn)的電氣損耗

小可控硅控制繼電器。