【問】UCC28610疑問
UCC28610是一款全新概念的高可靠性AC-DC小功率反激變換器控制IC,結(jié)合了級(jí)聯(lián)式工作，可以使效率，可靠性及系統(tǒng)成本都得到改善。是如何實(shí)現(xiàn)的？
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給你個(gè)詳細(xì)資料看看，里面對(duì)這個(gè)問題講的很詳細(xì)：
UCC28610集成的低壓MOS開關(guān)有90毫歐RSDON，以此檢測(cè)電流及驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET，強(qiáng)制跟蹤快速的內(nèi)部低壓驅(qū)動(dòng)器，
高壓MOS中的漏柵充電不影響關(guān)斷速度，因?yàn)闁艠O接到一個(gè)低阻抗的直流源，級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)以非?？斓乃俣汝P(guān)斷HVMOSFET，使其開關(guān)損耗降低。
級(jí)聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)高速電壓增益是很好的，這種拓樸能有超過100MHZ的小信號(hào)帶寬，并展示出高頻振鈴，
高頻振鈴會(huì)導(dǎo)致EMI問題，在某些場(chǎng)合形成破壞性，次間隔期間會(huì)立即跟隨的開和關(guān)的瞬態(tài)，
尤其是易感染振蕩。為防止或解決此問題，見應(yīng)用部分：解決高頻振鈴。
級(jí)聯(lián)拓樸執(zhí)行唯一的起動(dòng)順序，其快速而低損耗從AC線路或整流濾波的AC線路起動(dòng)，
偏置用一個(gè)低水平的流出電流。如圖5，這個(gè)電流給一個(gè)小VGG電容充電（CVGG）。
并上升到高壓MOS的柵極，VGG端在此時(shí)段將典型地驅(qū)動(dòng)大約6微安電流。
允許BULK偏置電流很小，給VGG電容充電，高壓MOSFET作為源極跟隨器，
一旦VGG達(dá)到HVMOSFET的閾值電壓，則HVMOSFET將DRV電壓帶起來，
隨VGG繼續(xù)上升，在此期間UCC28610處在UVLO及使能PWM信號(hào)為低，
于是開啟VDD開關(guān)將VDD接到DRV，允許VDD隨HVMOSFET的源極上升，
并給CDD充電，一個(gè)外部的肖特基二極管D1需接在DRV和VDD之間，
這個(gè)二極管旁路潛在的高開關(guān)電流，除非流過內(nèi)部VDD開關(guān)的體二極管。
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@yangyixian
這個(gè)是內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了，如果你要去做芯片，可以深入研究。呵呵。它應(yīng)該是通過檢測(cè)磁復(fù)位來實(shí)現(xiàn)的。
UCC28610 使 AC / DC 消費(fèi)產(chǎn)品電源解決方案的性能和可靠性達(dá)到了一個(gè)新的水平。
一種 PWM 調(diào)制算法用于調(diào)整開關(guān)頻率和初級(jí)電流 (primary current)，并在整個(gè)工作范圍內(nèi)保持不連續(xù)或轉(zhuǎn)換模式操作。 通過與一種共發(fā)-共基放大器架構(gòu)相結(jié)合，這些創(chuàng)新較之傳統(tǒng)的反激式架構(gòu)在效率、可靠性及系統(tǒng)成本方面實(shí)現(xiàn)了改進(jìn)。
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@zvszcs
UCC28610使AC/DC消費(fèi)產(chǎn)品電源解決方案的性能和可靠性達(dá)到了一個(gè)新的水平。一種PWM調(diào)制算法用于調(diào)整開關(guān)頻率和初級(jí)電流(primarycurrent)，并在整個(gè)工作范圍內(nèi)保持不連續(xù)或轉(zhuǎn)換模式操作。通過與一種共發(fā)-共基放大器架構(gòu)相結(jié)合，這些創(chuàng)新較之傳統(tǒng)的反激式架構(gòu)在效率、可靠性及系統(tǒng)成本方面實(shí)現(xiàn)了改進(jìn)。
芯片手冊(cè)是最好的解釋資料了~
綠色環(huán)保模式反激式控制器
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@javike
給你個(gè)詳細(xì)資料看看，里面對(duì)這個(gè)問題講的很詳細(xì)：[圖片]級(jí)聯(lián)式控制的綠色模式反激變換控制IC UCC28610集成的低壓MOS開關(guān)有90毫歐RSDON，以此檢測(cè)電流及驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET，強(qiáng)制跟蹤快速的內(nèi)部低壓驅(qū)動(dòng)器，高壓MOS中的漏柵充電不影響關(guān)斷速度，因?yàn)闁艠O接到一個(gè)低阻抗的直流源，級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)以非?？斓乃俣汝P(guān)斷HVMOSFET，使其開關(guān)損耗降低。級(jí)聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)高速電壓增益是很好的，這種拓樸能有超過100MHZ的小信號(hào)帶寬，并展示出高頻振鈴，高頻振鈴會(huì)導(dǎo)致EMI問題，在某些場(chǎng)合形成破壞性，次間隔期間會(huì)立即跟隨的開和關(guān)的瞬態(tài)，尤其是易感染振蕩。為防止或解決此問題，見應(yīng)用部分：解決高頻振鈴。級(jí)聯(lián)拓樸執(zhí)行唯一的起動(dòng)順序，其快速而低損耗從AC線路或整流濾波的AC線路起動(dòng)，偏置用一個(gè)低水平的流出電流。如圖5，這個(gè)電流給一個(gè)小VGG電容充電（CVGG）。并上升到高壓MOS的柵極，VGG端在此時(shí)段將典型地驅(qū)動(dòng)大約6微安電流。允許BULK偏置電流很小，給VGG電容充電，高壓MOSFET作為源極跟隨器，一旦VGG達(dá)到HVMOSFET的閾值電壓，則HVMOSFET將DRV電壓帶起來，隨VGG繼續(xù)上升，在此期間UCC28610處在UVLO及使能PWM信號(hào)為低，于是開啟VDD開關(guān)將VDD接到DRV，允許VDD隨HVMOSFET的源極上升，并給CDD充電，一個(gè)外部的肖特基二極管D1需接在DRV和VDD之間，這個(gè)二極管旁路潛在的高開關(guān)電流，除非流過內(nèi)部VDD開關(guān)的體二極管。
黃工每次都不給一點(diǎn)機(jī)會(huì)讓我們拿金牌，黃工的帖子永遠(yuǎn)那么的給力
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