【問】TI分立元件
TI公司的分立元件比較少，最近在找?guī)卓頜OS管，發(fā)現TI也有幾款功率MOS，但是產品目錄下只有N溝道的，沒有P溝道的，為什么？而且為什么P溝道的ＭＯＳ內阻不能做的和Ｎ溝道一樣低，以ＩＲ公司為例，Ｎ溝道最低內阻可達到１ｍｏｈｍ，而Ｐ溝道最低為１７．５ｍｏｈｍ？
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TI的那幾顆MOS也是收購其他公司的產品，TI自己沒有做MOS的。
N MOS和P MOS的內阻是有其工藝決定的：
NMOS是在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。
然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。
這就構成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管
P MOS是一塊摻雜濃度較低的N型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區(qū)，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個P溝道（PNP型）增強型MOS管。
其包含的半導體襯底和蠶雜的N和P區(qū)不一樣，所以內阻會不一樣。
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@javike
TI的那幾顆MOS也是收購其他公司的產品，TI自己沒有做MOS的。 NMOS和PMOS的內阻是有其工藝決定的：NMOS是在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管 PMOS是一塊摻雜濃度較低的N型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區(qū)，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個P溝道（PNP型）增強型MOS管。 其包含的半導體襯底和蠶雜的N和P區(qū)不一樣，所以內阻會不一樣。
TI的MOS樣品很少，個人覺得性價比不是很高。
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