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【問(wèn)】TI分立元件

  TI公司的分立元件比較少,最近在找?guī)卓頜OS管,發(fā)現(xiàn)TI也有幾款功率MOS,但是產(chǎn)品目錄下只有N溝道的,沒(méi)有P溝道的,為什么?而且為什么P溝道的MOS內(nèi)阻不能做的和N溝道一樣低,以IR公司為例,N溝道最低內(nèi)阻可達(dá)到1mohm,而P溝道最低為17.5mohm?
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javike
LV.12
2
2012-08-21 11:41

TI的那幾顆MOS也是收購(gòu)其他公司的產(chǎn)品,TI自己沒(méi)有做MOS的。

 

N MOS和P MOS的內(nèi)阻是有其工藝決定的:

NMOS是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。

然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極G。

這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道(NPN型)增強(qiáng)型MOS管

 

P MOS是一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū),及上述相同的柵極制作過(guò)程,就制成為一個(gè)P溝道(PNP型)增強(qiáng)型MOS管。

 

其包含的半導(dǎo)體襯底和蠶雜的N和P區(qū)不一樣,所以內(nèi)阻會(huì)不一樣。

 

 

 

 

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2012-08-21 12:29
@javike
TI的那幾顆MOS也是收購(gòu)其他公司的產(chǎn)品,TI自己沒(méi)有做MOS的。 NMOS和PMOS的內(nèi)阻是有其工藝決定的:NMOS是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道(NPN型)增強(qiáng)型MOS管 PMOS是一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū),及上述相同的柵極制作過(guò)程,就制成為一個(gè)P溝道(PNP型)增強(qiáng)型MOS管。 其包含的半導(dǎo)體襯底和蠶雜的N和P區(qū)不一樣,所以內(nèi)阻會(huì)不一樣。    

TI的MOS樣品很少,個(gè)人覺(jué)得性價(jià)比不是很高。

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asouth
LV.8
4
2012-08-21 15:33
TI的MOS很少,它自己是不做的。MOS管IR公司要全。
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zvszcs
LV.12
5
2012-08-21 21:23
@asouth
TI的MOS很少,它自己是不做的。MOS管IR公司要全。
N和P的工藝不太一樣
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2012-08-21 22:17
ti的MOS都是極端的 要不內(nèi)阻很小什么的  沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)  主要太貴
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2012-08-21 22:18
@liujinyu76
ti的MOS都是極端的要不內(nèi)阻很小什么的 沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì) 主要太貴
另外N和P工藝不同導(dǎo)致p的內(nèi)阻會(huì)大通常
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lph521
LV.4
8
2012-08-21 22:48
@liujinyu76
另外N和P工藝不同導(dǎo)致p的內(nèi)阻會(huì)大通常
ti做MOS不是強(qiáng)項(xiàng),需要你去比較其他公司的吧.產(chǎn)品他太少了
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