一、薄膜電容的優(yōu)勢

? 承受高有效電流的能力，最高可達(dá)1Arms/μF。
? 抗浪涌能力強(qiáng)，能承受2UnV 的浪涌電壓
? 承受高峰值的電流能力，dv/dt高達(dá)100V/μs, ESL電感量小，
充放電速度快。
? 耐壓高，能承受1.5倍于額定電壓的過壓。
? 無極性，能長期承受反向脈沖電壓。
? 介質(zhì)損耗小，ESR小，產(chǎn)品內(nèi)部溫升低，溫度特性好。
? 體積小，長壽命，沒有酸污染。
? 可長時間存儲。
? 如替代電解并非等額容量替代，需根據(jù)不同的要求確定容量

二、薄膜電容在逆變類產(chǎn)品中的應(yīng)用

C1：直流鏈支撐（DC-Link）
C2：逆變回路中IGBT、IPM 模塊突波電壓吸收
C3 ：AC濾波電容，輸出端高頻紋波吸收

①用于DC-LINK

a、主要功能為后級逆變系統(tǒng)功率器件開通瞬間提供有效值和幅值足夠的脈充電流
b、電容容量選擇：
Q=1/2CU2-1/2C(U-△U)2
Q 為每次IGBT 導(dǎo)通時所需能量（一般以每千瓦平均能量計(jì)算=1000/f），U 為直流母線電壓，△U 為紋波電壓的峰峰值，C 為電容容量，f 為PWM脈沖寬度調(diào)制頻率。

②用于逆變回路中IGBT、IPM 模塊突波電壓吸收

a、主要用來緩沖IBGT開關(guān)時產(chǎn)生的高脈沖電壓和電流；
b、IGBT吸收電容有如下要求：特高的du/dt、大電流、高頻特性好、自愈性、極小的ESR、無感結(jié)構(gòu)。
c、電壓選擇：跟據(jù)客戶IGBT電壓等級來選擇，電容額定電壓一般不低于IGBT電壓等級。
d、吸收電容容量選擇：容量為IGBT實(shí)際工作電流每100A使用容量大約1uF。

③用于AC濾波

a、主要是濾除IGBT逆變器產(chǎn)生的高頻紋波，使變流器并網(wǎng)時有一個符合要求的正弦波電壓。
b、電壓選擇：跟據(jù)客戶的變流器輸出電壓來選擇，電容額定電壓不低于客戶使用電壓。
c、容量選擇：根據(jù)客戶要求；一般選擇容量時，符合濾波
d、電容和電感的諧振點(diǎn)在載波頻率的1/4~1/5的條件時，濾波效果較好。

三、實(shí)際產(chǎn)品及案例

（待補(bǔ)充）……