最近做了一款LED防水驅(qū)動電源，參數(shù)是18S1P，也就是輸出電壓為3.2*18=57.6V，電流大小280ma，功率控制在18W·..
 調(diào)試基本算是成功，負載調(diào)整以及電壓調(diào)整率較好，大約10ma內(nèi)! 
元件余量設計充裕，MOS選型為4N650，在264V測試時候MOS峰值電壓最大530V。整機效率0.9····

但是問題一：出來了，我在高壓264V輸入老化一段時間后，MOS燒掉，同時保險絲被燒斷，可能這個時候大俠們會覺得這個肯定是MOS余量不夠造成的，但是燒機現(xiàn)象就是只壞MOS和保險，IC以及采樣電阻完好！重新?lián)Q保險和MOS后，工作又正常！ 當時我就懷疑是MOS的品質(zhì)因素所致，但是一直沒有找到一個完美的理由去說服自己MOS品質(zhì)有問題····所以一直很糾結(jié)??！網(wǎng)大俠們給予一定的解釋···

問題二：在沒有灌膠前電器參數(shù)一切正常，高低壓輸入也很正常！開關機測試以及高低壓老化都正常， 但是在灌膠后 就有高壓閃燈的情況出現(xiàn)，特別是264V是一定不啟動的，變壓器反復頻震，有一次反復頻震還導致MOS壞掉（現(xiàn)象和問題一一樣）！   

這個時候領導說是我的EMC沒有搞好，因為的MOS是折彎90度放下去的，離IC距離教近，我當時也信這樣的說法！但是我自己還是做了實驗，，，
實驗一：直接把MOS豎直起來，遠離IC，重新灌膠。 最后測試還是一樣的問題，高壓閃燈，故排除是因為MOS輻射IC所致！
實驗二：在MOS管D腳套磁珠，90度折彎放置！ 灌膠處理，最后測試，電壓可以升到250V，但是直接上電250V時候，MOS被擊穿！
實驗三：用熱熔膠把MOS周圍元件包裹，這樣以此和灌封膠隔離，灌膠后測試 高壓可以正常啟動！
實驗四：在試驗三的基礎上把熱熔膠改為704膠，問題又回歸到問題二上了??！

通過試驗初步推斷是因為膠的特性導致了電子元件的分布電容發(fā)生了偏移，眼前問題是解決了，但是沒有一個合適的理由讓我去解釋問題的歸根原因，所以發(fā)求助帖期待大俠們的精彩指教?。。?BR>

通過試驗一到試驗四，最后我覺得磁珠和打熱熔膠一起配合是較好的選擇，目前做了4臺樣機，灌膠了，待膠干后再測試?。。?BR>
膠為A+B膠···



變壓器用的EFD25的，參數(shù)為68:45:10，感量０．６····