最近做了一款LED防水驅(qū)動(dòng)電源，參數(shù)是18S1P，也就是輸出電壓為3.2*18=57.6V，電流大小280ma，功率控制在18W·..
 調(diào)試基本算是成功，負(fù)載調(diào)整以及電壓調(diào)整率較好，大約10ma內(nèi)! 
元件余量設(shè)計(jì)充裕，MOS選型為4N650，在264V測(cè)試時(shí)候MOS峰值電壓最大530V。整機(jī)效率0.9····

但是問(wèn)題一：出來(lái)了，我在高壓264V輸入老化一段時(shí)間后，MOS燒掉，同時(shí)保險(xiǎn)絲被燒斷，可能這個(gè)時(shí)候大俠們會(huì)覺(jué)得這個(gè)肯定是MOS余量不夠造成的，但是燒機(jī)現(xiàn)象就是只壞MOS和保險(xiǎn)，IC以及采樣電阻完好！重新?lián)Q保險(xiǎn)和MOS后，工作又正常！ 當(dāng)時(shí)我就懷疑是MOS的品質(zhì)因素所致，但是一直沒(méi)有找到一個(gè)完美的理由去說(shuō)服自己MOS品質(zhì)有問(wèn)題····所以一直很糾結(jié)??！網(wǎng)大俠們給予一定的解釋···

問(wèn)題二：在沒(méi)有灌膠前電器參數(shù)一切正常，高低壓輸入也很正常！開(kāi)關(guān)機(jī)測(cè)試以及高低壓老化都正常， 但是在灌膠后 就有高壓閃燈的情況出現(xiàn)，特別是264V是一定不啟動(dòng)的，變壓器反復(fù)頻震，有一次反復(fù)頻震還導(dǎo)致MOS壞掉（現(xiàn)象和問(wèn)題一一樣）！   

這個(gè)時(shí)候領(lǐng)導(dǎo)說(shuō)是我的EMC沒(méi)有搞好，因?yàn)榈腗OS是折彎90度放下去的，離IC距離教近，我當(dāng)時(shí)也信這樣的說(shuō)法！但是我自己還是做了實(shí)驗(yàn)，，，
實(shí)驗(yàn)一：直接把MOS豎直起來(lái)，遠(yuǎn)離IC，重新灌膠。 最后測(cè)試還是一樣的問(wèn)題，高壓閃燈，故排除是因?yàn)镸OS輻射IC所致！
實(shí)驗(yàn)二：在MOS管D腳套磁珠，90度折彎放置！ 灌膠處理，最后測(cè)試，電壓可以升到250V，但是直接上電250V時(shí)候，MOS被擊穿！
實(shí)驗(yàn)三：用熱熔膠把MOS周圍元件包裹，這樣以此和灌封膠隔離，灌膠后測(cè)試 高壓可以正常啟動(dòng)！
實(shí)驗(yàn)四：在試驗(yàn)三的基礎(chǔ)上把熱熔膠改為704膠，問(wèn)題又回歸到問(wèn)題二上了??！

通過(guò)試驗(yàn)初步推斷是因?yàn)槟z的特性導(dǎo)致了電子元件的分布電容發(fā)生了偏移，眼前問(wèn)題是解決了，但是沒(méi)有一個(gè)合適的理由讓我去解釋問(wèn)題的歸根原因，所以發(fā)求助帖期待大俠們的精彩指教?。?！


通過(guò)試驗(yàn)一到試驗(yàn)四，最后我覺(jué)得磁珠和打熱熔膠一起配合是較好的選擇，目前做了4臺(tái)樣機(jī)，灌膠了，待膠干后再測(cè)試?。。?BR>
膠為A+B膠···



變壓器用的EFD25的，參數(shù)為68:45:10，感量０．６····