AEC-Q100最新的版本是Rev_J，剛剛發(fā)布于2023年8月，因為之前本人翻譯了Rev H版本，借此機會也開始進行J版本的更新翻譯。
AEC Q100 Rev J版本的封面
全文翻譯工作正在進行，完成后會發(fā)布出來，如下是先對版本變化內(nèi)容點進行的更新總結(jié)翻譯內(nèi)容：
AEC Q100 Rev J版本變更內(nèi)容匯總
本部分簡要描述了AEC-Q100 Rev-J文檔與之前的文檔版本AEC-Q100 Rev-H(2014年9月11日)相比所做的更改。標點符號和文本內(nèi)容的完善改進不包括在這個摘要中。
下文格式為：章節(jié) – 變更內(nèi)容
1.2.1 – 車規(guī)參考文件: 增加了對AEC-Q006, SAE J1879和IATF 16949的參考;在參考清單中增加了AEC-Q100子規(guī)范以進行澄清
1.2.3 - 工業(yè)規(guī)范參考文件: 增加了對J-STD-002, JESD94, JESD671, JEP155, JEP157, JEP178的參考
1.2.4 - 對已經(jīng)作廢文件的標注: 刪除這部分內(nèi)容
1.3.1 - AEC-Q100的資質(zhì)認證聲明: ESD等級報告適應要求的指南
新增1.3.6 – Flip-Chip倒裝芯片球柵陣列(FC-BGA)封裝配置: 增加了FC-BGA的新定義
新增圖1 - 倒裝芯片BGA封裝配置說明: 增加了說明FC-BGA的圖片
新增2.3 - 客戶特定的生命周期要求(任務剖面): 在文檔的正文中添加新章節(jié)來定義附錄7切入點
3.3 – 認證和再認證的標準: 明確包括初始認證
新增3.6 - 使用銅(Cu)線互連的器件認證: 增加了使用銅線的器件認證章節(jié)
4.3 – 老化可靠性試驗: 增加了技術認證建議
圖3: 更新以適應表2中的變化點
表2 –認證試驗方法:
o列注: 在對應的測試項目中增加注F、C、W
o測試A1: 增加開蓋檢測要求
o測試A2: 增加了臨時/中間測試時的溫度要求
o測試A3: 增加了對UHST的優(yōu)先選擇
o測試A4: 更改0級的要求增加了對開蓋檢測可用性的要求
o測試A5: 重新制定觸發(fā)標準，以有效識別適用該測試項目的產(chǎn)品
o測試B1: 增加替代測試序列，增加數(shù)據(jù)漂移分析要求
o測試C3: 澄清了J-STD-002的應用
o增加了新的測試C7 (BST – 凸塊剪切測試)
o測試E2: 增加高級CMOS節(jié)點的驗收標準
o測試E3: 增加高級CMOS節(jié)點的驗收標準
o表2圖例: 增加了注C參考銅線器件，注F用于FC-BGA器件特定測試，注W用于未在模具中覆蓋綁線的器件
表3 -工藝變更時選擇對應認證實驗的指南:
o增加了新的測試C7 (BST –凸塊剪切測試)
o增加了新的晶圓凸塊部分和工藝變更項目重新分配層，凸塊金屬，凸塊材料和凸塊場地轉(zhuǎn)移
附錄1 - 產(chǎn)品認證家族的定義: 完整修訂
A1.3 -裝配工藝:增加FC-BGA的參考
附錄2 - Q100設計、實施和資質(zhì)認證
增加了新的12a部分- 晶圓凸塊和子項UBM堆疊和厚度，UBM尺寸，凸塊尺寸和凸塊材料
附錄模板4A - AEC-Q100認證測試計劃:
根據(jù)表2的更改進行重新制作
附錄模板4B - AEC-Q100通用數(shù)據(jù):
根據(jù)表2的更改進行重新制作
附錄7
新的流程圖描述，為讀者提供更清晰的信息
表A7.1: 澄清這是一個計算例子，并非此處所述的標準條件
如上就是對AEC Q100 Rev J最新版文件變化點的整理和內(nèi)容翻譯。
AEC官方鏈接：http://www.aecouncil.com/AECDocuments.html
材料整理制作不易，轉(zhuǎn)發(fā)請注明出處，文章中不對的地方歡迎指教和交流溝通。