前言

基于二極管的反向截止特性，二極管經(jīng)常被用作隔離管，也就是把兩個信號源隔離開來，避免互相之間的影響，這也是常規(guī)做法，一般我們在某個電路中希望用多個信號驅(qū)動同一開關(guān)時，一般會給每個信號源串聯(lián)一個二極管來做隔離，從而避免信號源之間出現(xiàn)潛在通道互相影響。當(dāng)然這個信號源你也可以理解成電源，比如有些產(chǎn)品需要外接電源和電池雙電源進(jìn)行供電，成本比較低的一種方案就是用兩個二極管串聯(lián)來做雙電源供電的方案。

前段時間在做一個項目的時候，當(dāng)時電路中有一個MOS管采用了雙信號源驅(qū)動，然后在MOS的柵極就采用了雙二極管隔離，實際的電路是比較復(fù)雜，為了便于講解，就簡化成了下面的電路，最終的結(jié)果是12V電源和MOS管柵極反向串聯(lián)了一個二極管，本以為MOS管是不會導(dǎo)通的，但是MOS管居然導(dǎo)通了，接下來就分析一下這個問題。

問題剖析

二極管兩端加上反向電壓時，二極管PN結(jié)內(nèi)部的少數(shù)載流子的會存在漂移運(yùn)動，而這個漂移運(yùn)動就形成了反向電流。一般小功率鍺管的反向電流可達(dá)幾十μA，而小功率硅管的反向電流要小得多，一般在0.1μA以下，當(dāng)溫度升高時，少數(shù)載流子數(shù)目增加，使反向電流增大，特性曲線下移，研究表明，溫度每升高100℃，反向電流近似增大一倍。

對于肖特基二極管來說其漏電流會更高。一般小型肖特基二極管來說通常在μA級別，功率較大的肖特基二極管其漏電流可以達(dá)到mA級別，這已經(jīng)是一個很大的量級了。

那么回到我們的問題，即使MOS管柵極反向串聯(lián)了一個二極管，在高溫狀態(tài)下，二極管的反向漏電流無需達(dá)到1mA，即便只是達(dá)到100μA，這就相當(dāng)于一個100μA的電流源一直在給MOS管的柵極-源極寄生電容充電，把MOS管柵極-源極電壓充至開啟電壓只是時間問題，所以MOS管肯定會導(dǎo)通的。

總結(jié)

通過以上分析，能發(fā)現(xiàn)，二極管的隔離并非是絕對的隔離，在一些特殊的場景之下，是達(dá)不到我們的預(yù)期隔離目的。