RCD電路作為一種簡單、有效的鉗位電路在反激、正激等電路中經(jīng)常會被使用，但RCD電路的參數(shù)需要精心設計才能達到理想效果并且RCD電路還存在著固有缺陷，本文就以反激電路為例對RCD電路進行展開分析并提出改進方案直至最后的自驅(qū)有源鉗位方案。

一、RCD電路在反激電路上的工作原理分析

                圖1-1 RCD鉗位的反激電路

  將反激電路做等效變換，并將工作過程分成導通、截止兩步，如下圖：

               圖1-2 等效反激電路工作過程

  如圖1-2所示RCD電路同負載一樣也會消耗勵磁電感能量，但此過程只發(fā)生在漏感電流為零之前，由此可以推出RCD電路的損耗公式：

                                                                                                          公式（1-1）

進而得出RCD電路中的電阻Rc和電容Cc公式：

                                                                                                          公式（1-2）

                                                                                                          公式（1-3）

（Vclamp鉗位電壓、Vor反射電壓、fs開關(guān)頻率、△V電壓波動、Lk初次級漏感總和）

二、RCD電路參數(shù)對效率的影響。

  在實際電路中由于寄生電容、二極管反向恢復、漏感測不準等因素上述計算結(jié)果要加以修正。

  這里假設為理想系統(tǒng)不存在開關(guān)損耗、變壓器損耗等，只分析RCD電路對系統(tǒng)效率的影響，參數(shù)設置及推導如下：

在上述公式中系數(shù)k表漏感百分比（取0~0.05），系數(shù)a表鉗位電壓與反射電壓之比（>1），系數(shù)r表電流紋波率（r<2為連續(xù)模式，r=2為臨界或斷續(xù)模式）。

  通過上述效率公式可以得出RCD電路種各參數(shù)對效率的影響情況：

圖1-3 DCM模式不同Vclamp效率與漏感的關(guān)系

圖1-3為DCM模式，顯示漏感越小效率越高，鉗位電壓Vclamp越大效率越高。

   圖1-4 CCM模式不同r下效率與漏感的關(guān)系

圖1-4為CCM模式，同DCM模式一樣漏感越小效率越高，但連續(xù)模式越深效率越低。其原理可從如下角度分析：

    圖1-5 CCM模式下RCD比重高于DCM模式

圖1-5是同開關(guān)損耗做類比， RCD損耗為恒定不變隨著連續(xù)深度的增加（r減?。┑刃ч_關(guān)頻率升高，RCD損耗所占的比重也隨之增加結(jié)果導致CCM模式下RCD電路效率更低。

圖1-6 CCM模式不同r效率與鉗位電壓的關(guān)系

圖1-6反映的是DCM及CCM模式下效率與鉗位電壓Vclamp的關(guān)系，一般建議取Vclamp/Vor>1.3。

三、放置在不同位置的RCD電路效率對比

      圖1-7 高端和低端RCD及等效電路對比

  如上圖所示放置在低端的RCD電路要比放置在高端的RCD電路多出個輸入電壓Vin損耗，設Vin=100V效率對比如下:

         圖1-8 高端與低端RCD效率對比

  圖1-8顯示高端RCD效率要高于低端RCD，所以實際電路基本都是采用高端RCD結(jié)構(gòu)。