三極管，MOS管，核桃相信多數(shù)小伙伴們都熟悉，但，IGBT估計(jì)用的就少了，除非在學(xué)校就能接觸到或者一畢業(yè)就從事變頻器，伺服驅(qū)動器，壓縮機(jī)，電源模塊，新能源汽車等產(chǎn)品的。那為了大伙能更加容易的去理解IGBT，核桃打算從大伙熟悉的三極管和MOS為切入點(diǎn)展開！
（1）結(jié)合MOS管的電壓控制與雙極型晶體管（BJT）的低導(dǎo)通壓降特性，提升整體能效。
（2）導(dǎo)通電阻低，在高壓（>600V）場景下?lián)p耗顯著低于MOS管，尤其適合大功率應(yīng)用。
（3）耐壓可達(dá)數(shù)千伏（如1200V以上），且可承載數(shù)百安培電流，適用于逆變器、電動汽車等高功率領(lǐng)域。
（4）柵極電壓控制，驅(qū)動功耗低且電路設(shè)計(jì)簡化。
（5）硅基材料熱導(dǎo)率（約150 W/m·K）支持高溫工作。
IGBT缺點(diǎn)：
（1）高頻性能弱于MOS管（MHz級），受制于關(guān)斷時的“尾電流”效應(yīng)，導(dǎo)致開關(guān)損耗增加。
（2）無法直接處理交流波形，需外接反并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)雙向電流控制。
（3）反向阻斷能力差，高反向電壓需額外電路保護(hù)。
（4）制造工藝復(fù)雜，價格高于BJT和MOS管。
（5）內(nèi)部寄生晶閘管結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致閉鎖效應(yīng)，限制最大工作電流。那目前碳化硅（Sic）器件，已經(jīng)在逐步替代IGBT在新能源汽車，光伏等高頻高壓領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。
