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張東輝
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屏蔽與防護(hù)電路分析1:容性耦合噪聲與靜電屏蔽指導(dǎo)原則
屏蔽與防護(hù)電路分析2:Analog and Digital shield short和磁場感應(yīng)噪聲
屏蔽與防護(hù)電路分析3:有源屏蔽和防護(hù)以及總結(jié)
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屏蔽與防護(hù)電路分析2:Analog and Digital shield short和磁場感應(yīng)噪聲

本專題將對屏蔽與防護(hù)電路中的常見問題進(jìn)行匯總。通過討論干擾型噪聲,分析噪聲源、耦合通道與接收器三環(huán)節(jié)之間的關(guān)系,并以屏蔽為核心講解抑制干擾的方法。上一期我們討論了容性耦合噪聲和靜電屏蔽指導(dǎo)原則,本期我們將進(jìn)行Analog and Digital shield short磁場感應(yīng)噪聲的內(nèi)容闡述。

如有問題,大家可以在評論區(qū)給我留言!

Analog and Digital shield short

下面舉例說明違反最后兩條原則的可能后果(PS——Analog and Digital shield short):下圖所示屏蔽系統(tǒng)配置不當(dāng)——精密電壓源V1的屏蔽體與數(shù)字邏輯門的屏蔽體直接相連,該情況可能出現(xiàn)在模擬信號和數(shù)字信號共用一根電纜傳輸?shù)拇笙到y(tǒng)中。

圖9 不同屏蔽體相連出現(xiàn)瞬變電壓

邏輯電路輸出端的階躍電壓變化以容性耦合方式進(jìn)入屏蔽體,從而在2英尺長的公共屏蔽返回路徑中產(chǎn)生電流,該電流進(jìn)而產(chǎn)生模擬屏蔽和數(shù)字屏蔽所共有的屏蔽電壓,下圖為其等效電路,其中V(t)表示TTL邏輯門輸出的階躍信號、擺幅為5V,Ro2表示邏輯門輸出電阻,大小為13 Ω,Cws表示電纜屏蔽層與纜芯之間電容,大小為 470pF,Rs和Ls表示連接屏蔽體與系統(tǒng)地之間的2英尺導(dǎo)線電阻和電感,分別為0.1 Ω和1μH。

圖10 產(chǎn)生屏蔽電壓的等效電路

屏蔽電壓 Vs(t) 既可以根據(jù)常規(guī)電路分析技術(shù)計算,也可以按照所給參數(shù)先構(gòu)建電路、再精確測量。下圖為屏蔽層電壓計算所得響應(yīng)波形,初始為幅值5V尖峰,諧振頻率為7.3 MHz,阻尼時間常數(shù)為0.15μs。該曲線可以充分反映屏蔽體上的電壓特征,以及對模擬輸入端的容性耦合情況。采用寬帶示波器觀察該電壓時得到噪聲“尖峰”,該瞬變電壓將快速衰減的高峰值波形耦合到模擬系統(tǒng)中。

圖11 圖10電路的理論響應(yīng)波形

模擬與數(shù)字屏蔽體連接特性仿真測試電路與波形、數(shù)據(jù)分別如下圖所示:模擬與數(shù)字屏蔽體互連一點(diǎn)接地、數(shù)字信號在0V和5V之間變化時時模擬信號V(A1)阻尼變化,最大值約為2V,周期為193.8ns、與計算值150ns誤差約為25%;模擬與數(shù)字屏蔽體各自連接模擬地與數(shù)字地時輸出模擬信號V(A2)保持恒定,不受數(shù)字信號干擾。

a、模擬與數(shù)字屏蔽體互連后一點(diǎn)接地

b、模擬與數(shù)字屏蔽體各自連接模擬地與數(shù)字地

c、參數(shù)設(shè)置

屏蔽體連接仿真測試電路

(等待實際測試)

測試波形與數(shù)據(jù)

即使純數(shù)字系統(tǒng),如果存在上述情況,在相距較遠(yuǎn)的電路之間同樣可能引起噪聲干擾,常使系統(tǒng)出現(xiàn)莫名其妙的故障。當(dāng)存在多種屏蔽連接而且上文所述原則不能直接套用時,需要進(jìn)行全面分析,選擇理論噪聲最小方案。

以下圖所示系統(tǒng)為例,圖中測量電路和信號源參考電位不同,屏蔽體應(yīng)如何連接:(A)測量系統(tǒng)輸入低端、(B)系統(tǒng)輸入地、(C)信號源地、(D)信號源低端。選擇A錯誤,因為噪聲電流將會進(jìn)入信號傳輸線,VG1所引起的噪聲電流通過C4返回,其路徑如圖13a所示。B也不正確,如圖13b所示,兩個噪聲源VG1和VG2串聯(lián),兩條信號線之間形成噪聲源:信號源阻抗與C2并聯(lián),然后與C1串聯(lián)。選擇C同樣不理想,VG1在兩條信號線之間產(chǎn)生電壓,對系統(tǒng)干擾機(jī)制與 (B) 相同,如圖13c所示。給定條件下D是最佳選擇,等效電路如圖 13d所示,該選擇也符合上文接地原則——屏蔽體連接到信號源參考電位。

圖12 不同接地系統(tǒng)

a. 返回路徑A

b. 返回路徑B

c. 返回路徑C

d. 返回路徑D

圖13 等效電路

磁場感應(yīng)噪聲

磁場形式的噪聲會在導(dǎo)體或電路中感生電壓,因為磁場能夠穿透導(dǎo)電材料,所以與電場相比,磁屏蔽難度更大。對于磁感應(yīng)噪聲,利用屏蔽體包裹導(dǎo)體,然后將屏蔽體單點(diǎn)接地的典型方式幾乎無濟(jì)于事。

磁場 (B) 在屏蔽體中傳播時其幅值按照指數(shù)規(guī)律衰減,如下圖所示。屏蔽材料的“趨膚深度”δ定義為磁場強(qiáng)度衰減為其大氣磁場的 37% () 時材料所需穿透深度。表1列出幾種材料在不同頻率條件下的 δ 典型值,從中可知3種材料的δ值均隨頻率升高而降低,由3種材料制成的屏蔽體在高頻條件下效果更好。由吸收損耗曲線可知鋼的δ值都比銅和鋁至少低一個數(shù)量級,所以鋼更適合用作磁屏蔽。

圖14 磁場強(qiáng)度與穿透深度

取相同厚度的銅和鋼、選擇兩種厚度進(jìn)行不同頻率下的吸收損耗特性測試,結(jié)果如下圖 所示。測試表明:當(dāng)頻率高于200Hz時1/8英寸厚的鋼就足以有效吸收磁場;當(dāng)頻率高于1MHz時只要0.5mm厚的銅就能獲得很好屏蔽效果。不過低頻條件下,包括50~60Hz的電力頻段(低頻磁耦合噪聲的主要來源),上述材料性能顯然很差。

圖15 兩種厚度的銅和鋼在不同頻率下對磁場的吸收損耗

表1 趨膚深度δ與頻率的關(guān)系

圖16 高導(dǎo)磁合金及其它材料在不同頻率下的磁場衰減特性

為改善低頻磁屏蔽效果,應(yīng)考慮采用高導(dǎo)磁率的磁性材料(即高導(dǎo)磁合金)制作屏蔽體。圖16給出厚度為30mil的高導(dǎo)磁合金與其它幾種材料在不同頻率下的性能對比。從圖中可知:與其它材料相比,頻率低于1kHz時高導(dǎo)磁合金的性能最優(yōu);而當(dāng)頻率為100kHz時高導(dǎo)磁合金的性能最差;但是高導(dǎo)磁合金使用并不方便,而且如果受到強(qiáng)磁場作用而達(dá)到磁飽和,該種材料將不再具備任何優(yōu)勢。

從上文可知:單靠改良耦合介質(zhì)的特性達(dá)到屏蔽磁場目的非常困難,因此低頻條件下將以下幾種手段結(jié)合使用最有效:盡量降低干擾磁場強(qiáng)度、盡量縮小接收器環(huán)路面積以及通過優(yōu)化布線盡量減少耦合,下面為指導(dǎo)原則:

a、接收電路應(yīng)盡可能遠(yuǎn)離磁場源;

b、避免沿磁場平行方向布線,布線方向應(yīng)與磁場方向垂直;

c、根據(jù)磁場頻率和強(qiáng)度選擇合適屏蔽材料;

a 平衡電流的正確連接

b 錯誤連接形成接地環(huán)路

圖17 雙絞線連接

d、使用雙絞線連接,因為導(dǎo)線中的大電流感生磁場,如果雙絞線中電流大小相等、方向相反,則在雙絞線的每個循環(huán)上各空間方向凈磁場均完全抵消。為保證完全抵消,兩根導(dǎo)線中的電流均不能被分流,比如接地層。上圖b所示電路存在接地環(huán)路,部分電流流經(jīng)地層(大小取決于導(dǎo)線電阻與地電阻比值),與雙絞線形成環(huán)路,該環(huán)路將感生磁場,其強(qiáng)度由i3(i3=i1-i2)決定。

即使不連接A點(diǎn)和B點(diǎn),問題也可能出現(xiàn)——Rload電路與地之間只要存在一點(diǎn)點(diǎn)不平衡的雜散電容或電阻就會破壞電流平衡,在雙絞線和地層中產(chǎn)生凈電流,從而形成接地環(huán)路和相關(guān)磁場?;谠撛?,總結(jié)經(jīng)驗如下:布設(shè)雙絞線時應(yīng)使其靠近地層,以便平衡各端與地之間電容,并使環(huán)路面積最小。

e、使用屏蔽電纜,讓屏蔽體承載信號源電路的高返回電流,如下圖所示。如果屏蔽體上的電流I2與電纜芯線中的電流大小相等、方向相反,則由這兩個電流感生的磁場將相互抵消,凈磁場強(qiáng)度為0。該實例似乎違背“屏蔽體中不能存在電流”的原則,但是此處同心電纜并非用來屏蔽芯線,而是通過該種特殊結(jié)構(gòu)抵消干擾。

圖18 利用屏蔽體承載噪聲源返回電流

上述方案適合于ATE(自動測試設(shè)備)系統(tǒng)中,可以有效克服受測器件因電源電流較大引起的噪聲干擾,實現(xiàn)精確測量。以下圖所示情形為例,模數(shù)轉(zhuǎn)換器位于測試電纜一端,其高電流邏輯電源的連接即應(yīng)用該項技術(shù)。

圖19 圖18所示電路在測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

f、磁感應(yīng)噪聲大小取決于接收環(huán)路面積,因此只要縮小該環(huán)路面積就可以降低磁耦合引起的感應(yīng)噪聲電壓。下圖示例中,信號源及其負(fù)載通過一對長度為L、間距為D的導(dǎo)線相連,該電路形成D×L的環(huán)路即為環(huán)路面積。

圖20 磁耦合噪聲的接收環(huán)路面積

環(huán)路感生電壓的大小與環(huán)路面積以及環(huán)路與磁場方向夾角的余弦成比例,因此為使噪聲最低,必須環(huán)路與磁場方向垂直、盡量縮小環(huán)路面積。

通過縮短導(dǎo)線長度和/或?qū)Ь€間距可以縮小環(huán)路面積,采用雙絞線或者將導(dǎo)線成對緊扎成線束可以輕松達(dá)到該目的。將電路輸入線和返回線成對捆扎為常用方法,設(shè)計人員必須掌握電流返回信號源所走的實際路徑,不過通常電流的實際返回路徑與原始設(shè)計布局預(yù)期不一致。

導(dǎo)線的移動(例如故障檢修所致)可能使環(huán)路面積及環(huán)路與磁場夾角發(fā)生變化,導(dǎo)致噪聲強(qiáng)度超過導(dǎo)線移動之前的水平而變得不可接受,從而需要檢修,形成惡性循環(huán);牢記如下根本原則:掌握環(huán)路面積和走向,采取各種措施努力抑制噪聲,而且牢牢固定導(dǎo)線!

本文分享到此,未完待續(xù)!

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  • dy-yZ7wm6TW 2022-11-17 16:48
    老師,能不能發(fā)我一下資料,謝謝! 24****@****.com
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  • 星球居民-mQrYyK28 2022-01-18 11:46
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  • bluesky5417 2021-11-07 11:13
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  • hack100000 2021-09-07 19:34
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  • cheng0123 2021-05-08 19:20
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  • 魚鷹單片機(jī) 2021-01-07 16:17
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