性无码一区二区三区在线观看,少妇被爽到高潮在线观看,午夜精品一区二区三区,无码中文字幕人妻在线一区二区三区,无码精品国产一区二区三区免费

小麥大叔
認(rèn)證:普通會員
所在專題目錄 查看專題
FOC 電流采樣方案對比(單電阻/雙電阻/三電阻)
基于STM32實(shí)現(xiàn)SVPWM
作者動態(tài) 更多
一款輕量級的開源GUI項(xiàng)目——SimpleGUI,可以完美適配單色屏
02-22 09:47
看到這100多個(gè)軟硬件開源項(xiàng)目,真是爽爆了
2024-11-30 14:12
推薦一個(gè)高效,可靠,安全的串口通訊開源方案
2024-11-27 11:17
推薦一款開源hack硬件平臺工具
2024-11-26 13:58
新手學(xué)STM32的話,先學(xué)標(biāo)準(zhǔn)庫還是HAL庫?
2024-10-18 15:09

FOC 電流采樣方案對比(單電阻/雙電阻/三電阻)

1 電流采樣的作用

在FOC算法中,電流采樣在反饋環(huán)節(jié)是相當(dāng)重要的一部分,無論是有感FOC,還是無感FOC,相電流是交流三相同步電機(jī)在進(jìn)行坐標(biāo)變換的關(guān)鍵,最終通過SVPWM實(shí)現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)子磁場和定子磁場的同步轉(zhuǎn)動,通常這里有三種方案,單電阻采樣,雙電阻采樣,三電阻采樣,關(guān)系到整體系統(tǒng)的成本,算法的復(fù)雜程度和最終運(yùn)行的效果,這里需要更加項(xiàng)目的具體需求進(jìn)行選擇。本文參考ST的單電阻和三電阻采樣以及TI的雙電阻采樣,還有microchip的資料,結(jié)合實(shí)際中可能需要注意的地方進(jìn)行總結(jié)分析。

幾種電流采樣方案的對比;

電流采樣 成本 算法 單電阻 低 復(fù)雜 雙電阻 適中 適中 三電阻 高 簡單

2 硬件架構(gòu)

硬件上的設(shè)計(jì)通常是采集三相電流,通過運(yùn)算放大器加偏置電壓,這樣可以就可以采集正負(fù)電流,最終在MCU中處理的時(shí)候減去偏置電壓就行,以Infineon XC167CI SK Board單電阻的方案為例子,具體電路拓?fù)鋱D如下;

下面是TI C2000 的方案

AP1608410 原文鏈接 運(yùn)算放大器

3 采樣關(guān)鍵

采樣的關(guān)鍵是需要在三相逆變器高端關(guān)閉,低端打開的情況下進(jìn)行采樣,這是整體的采樣點(diǎn)。因此,采樣會存在窗口時(shí)間,因?yàn)?code>ADC轉(zhuǎn)換完成需要一定數(shù)量級的時(shí)間,也就是說,在ADC轉(zhuǎn)換完成之前,橋低端是不能關(guān)閉的,在這里,雙電阻和單電阻采樣需要考慮窗口時(shí)間的限制,而三電阻采樣則不存在窗口時(shí)間(PWM占空比接近100%),可以根據(jù)SVPWM當(dāng)前所在象限,進(jìn)行分類,只需要采集其中不受窗口時(shí)間限制的兩相電流,然后根據(jù) Ia+Ib+Ic=0,進(jìn)行電流的重構(gòu)。

4 采樣方案

電流采樣比較關(guān)鍵的地方主要是硬件的設(shè)計(jì)和采樣點(diǎn)的設(shè)置,這里在后面會涉及到通過相應(yīng)的觸發(fā)信號去通知ADC進(jìn)行電流采樣,最后進(jìn)行電流重構(gòu)。

5 三電阻采樣

TI的三電阻采樣

5.1 三電阻采樣點(diǎn)

正如前面所提到的三電阻采樣可以避免窗口時(shí)間,如下圖所示;在不同扇區(qū)需要采樣的相電流,可以看到,共同點(diǎn)是避免去采樣PWM占空比接近100%的那一相電流。

可以參考一下ST的電機(jī)庫的做法,通過TIMER_CH4作為ADC采樣的觸發(fā)信號,而采樣則可以通過修改TIM_CCR4寄存器去改變采樣點(diǎn),相當(dāng)靈活的做法;

5.2 雙電阻采樣

雙電阻采樣無法避免窗口時(shí)間,所以需要限制最終PWM的占空比,為ADC轉(zhuǎn)換預(yù)留足夠的時(shí)間;

5.3 雙電阻采樣點(diǎn)

5.4 單電阻采樣

單電阻采樣需要在一個(gè)PWM周期內(nèi)進(jìn)行兩次采樣,下面需要在SVPWM六個(gè)扇區(qū)進(jìn)行相電流的分類,這里可以對SVPWM的原理進(jìn)行分析,從而了解如何對電流進(jìn)行重構(gòu);單電阻的電路結(jié)構(gòu)如下圖所示;

為了便于理解整個(gè)采樣的過程,為了表示逆變器的開關(guān)管的狀態(tài), Sa表示A相的上下管,同理Sb表示B相的上下管; 這里規(guī)定: Sa = 1表示上管導(dǎo)通,下管斷開; Sa = 0表示下管導(dǎo)通,上管斷開;

SbSc以此類推;

5.4.1 Sa Sb Sc:100

在這里插入圖片描述 5.4.2 Sa Sb Sc:110

因此,單電阻采樣,需要在一個(gè)PWM周期內(nèi)進(jìn)行兩次采樣;具體如下圖所示;

圖中的SAL,SBL,SCL分別對應(yīng)整流橋的下管,因此在一個(gè)周期內(nèi)分別進(jìn)行了Sample 1Sample 2這兩次采樣,對照上表可以推出;

  • Sample 1:采集了開關(guān)管狀態(tài)為SAL SBL SCL:101==>SAH SBH SCH:010,此時(shí)采樣電流為 IB;
  • Sample 2:采集了開關(guān)管狀態(tài)為SAL SBL SCL:100==>SAH SBH SCH:011,此時(shí)采樣電流為 -IA;

原理搞清楚之后,下面要注意的地方還有兩點(diǎn)采樣點(diǎn)的確認(rèn)和窗口時(shí)間的限制;

5.4.4 ST方案

6 總結(jié)

本文介紹和對比了三種電流采樣方案,簡單給出了需要注意的地方,由于本人能力有限,文中難免出現(xiàn)錯(cuò)誤和紕漏,請大佬不吝賜教。

7 附錄

microchip 資料匯總 TI 1-, 2-, and 3-Shunt FOC Inverter Reference Design

聲明:本內(nèi)容為作者獨(dú)立觀點(diǎn),不代表電子星球立場。未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載。授權(quán)事宜與稿件投訴,請聯(lián)系:editor@netbroad.com
覺得內(nèi)容不錯(cuò)的朋友,別忘了一鍵三連哦!
贊 5
收藏 15
關(guān)注 144
成為作者 賺取收益
全部留言
0/200
成為第一個(gè)和作者交流的人吧