本章和大家一起來看下殘壓該計算以及低殘壓的解決方案是什么。

耐壓測試示意圖

原副邊打耐壓3750V時，CY1和CY2的分壓應(yīng)小于GD2的耐壓（1500Vac或1850Vac），否則GD2會打火，耐壓測試不過；

所以需計算原副邊對地Y電容的比例，并考慮誤差（不容忽視PCB板（尤其是光源板）對PE的寄生電容）；

殘壓計算：

VGY=(VGDT_max+Vcm*0.1/1.2)*CY201/(CY301+CGY+ CY201)

假設(shè)Cgy=0：

VGY=(3000*1.2+6000*0.1/1.2)*2.2/(3.3+0+ 2.2)=1640V

實際Cgy（對地結(jié)電容）較大，殘壓肯定更小。

1，GDT的電壓選擇：VR1A < GDT1 < (VR2+VR3)（需考慮公差）

2，保證兩個共模MOV的串聯(lián)電壓最高，否則若讓其先導(dǎo)通流過差模電流，會炸機；

3、第二級采用高精度、反應(yīng)快的器件（TVS），較低電壓，先導(dǎo)通，殘壓低。但通流量不夠；

4、退耦器件阻擋大能量的沖擊，保護第二級器件，把前面的電壓抬高；同時把電壓上升沿放緩，給第二級電路以充分的反應(yīng)時間，所以第二級也可用尺寸小的MOV；

5、MOV和GDT的串聯(lián)后導(dǎo)通，吸收大部分的能量，包括退耦電感的儲能；

6、退耦電感使用空心電感即可，感量不需多大。